Типы полупроводниковых диодов
Выпрямительные диоды. Эксплуатационные параметры диода. Эквивалентная схема выпрямительного диода для работы на сверхвысоких частотах. Импульсные диоды. Стабилитроны (опорные диоды). Основные параметры и вольт-амперная характеристика стабилитрона.
Подобные документы
Рассмотрение эквивалентной схемы синхронизированного генератора сверхвысоких частот, позволяющей получение на выходе удвоенного значения выходной мощности по отношению к максимальному значению для одного диода. Расчетные соотношения для полученной схемы.
статья, добавлен 27.07.2016Сущность широкополосного усилителя сигнала и принципы его работы. Определение коэффициента передачи входного и промежуточного каскадов, их электрическая схема. Выбор транзистора, диодов и стабилитрона, расчет источников питания и силы тока эмиттера.
курсовая работа, добавлен 01.07.2014Понятие тиристора, его основные свойства и принцип работы. Параметры тиристоров и его основные типы: тиристор-диод, динистор, симистор, фоторизистор, инвесторный и запираемый тиристор. Их роль, характеристики и особенности применения в радиоэлектронике.
реферат, добавлен 19.02.2016Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015- 105. Полярные транзисторы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.
реферат, добавлен 11.01.2012 Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Осуществление программным способом аппаратного наращивания разрядности обрабатываемых данных с помощью микропроцессора КР580. Структурная схема устройства. Модель полупроводникового диода в режиме большого сигнала. Алгоритм работы микропроцессора.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013- 108. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Полярность напряжения, приложенного между выводами базы. Структура неуправляемого тиристора. Основные параметры динистора. Схема включения n-p-n-фототранзистора с оборванной базой. Условное обозначение (маркировка) полупроводниковых приборов, их виды.
лекция, добавлен 04.10.2013Передача сигналов и общая теория связи. Параметры детерминированных сигналов, минимальное и мгновенное значение. Измерительные приборы и параметры сигналов. Функциональная схема системы передачи информации и их ограничение. Акустическая линия связи.
курсовая работа, добавлен 20.10.2011Волоконные световоды и оптические кабели. Распространение световых волн вдоль оптического волокна. Источники излучения и оптические модуляторы. Отличие суперлюминесцентного и светоизлучающего диода. Основные элементы фотоприемника. Схема линейного тракта.
контрольная работа, добавлен 29.10.2013Описание работы устройства. Преобразование функциональной схемы. Спроектированная схема на триггерах с динамическим управлением по заднему фронту синхросигнала. Анализ работы триггера. Параметры логических элементов. Результаты работы устройства.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Состав активной массы положительного электрода в заряженном состоянии в никель-кадмиевых аккумуляторах. Основные свойства диодных тиристоров. Методика реостатного пуска асинхронных двигателей. Принцип работы коммутатора сигнально-отличительных огней.
контрольная работа, добавлен 13.08.2014Блок-схема однофазного источника вторичного питания. Анализ технического задания и разработка принципиальной схемы. Расчёт стабилизатора, сглаживающего фильтра и выпрямителя. Состав и основные параметры выпрямителей. Основные параметры вентилей в схемах.
контрольная работа, добавлен 14.01.2015Графики работы выпрямителя с фильтром по расчётным данным и выбор полупроводникового диода по результатам расчета. Расчётная схема и значения параметров транзисторного усилителя. Проверка правильности выбора трансформатора по мощности рассеяния.
курсовая работа, добавлен 12.01.2011Свойства каскада с общим эмиттером. Вольт-амперная характеристика эмиттерного повторителя. Анализ работы схемы с общей базой. Определение коэффициентов усиления по напряжению, току и мощности. Виды смещения транзисторов, влияние на фазу входного сигнала.
реферат, добавлен 01.06.2014Виды приборов для исследования формы, спектра и нелинейных искажений сигналов. Параметры и структурная схема одноканального универсального осциллографа. Факторы, ограничивающие применение универсальных осциллографов в диапазоне сверхвысоких частот.
презентация, добавлен 22.01.2016Характеристика цифро-аналоговых (ЦАП) и аналогово-цифровых (АЦП) преобразователей. Принцип их работы, сферы применения. Типы АЦП: последовательного приближения и параллельного типа. Типы электронных ЦАП, их параметры: разрядность, частота дискретизации.
контрольная работа, добавлен 21.10.2014Основные параметры и характеристики спутниковой радиолинии (СРЛ): перестройка антенны, энергетические параметры СРЛ, места установки антенны, системные параметры приемного оборудования. Влияние помех мешающих ИСЗ на величину помехозащищенности систем.
практическая работа, добавлен 11.12.2010Классификация усилительных каскадов по режиму работы: линейные и нелинейные импульсные усилители. График импульсного сигнала на входе и его искажения на выходе усилителя. Применение избирательных усилителей. Схема генератора синусоидальных колебаний.
лекция, добавлен 09.12.2013Структурная схема системы автоматического управления, тип и параметры корректирующего звена и местной обратной связи. Теоремы Z–преобразования. Схема алгоритма изготовления шахматных фигур, разработка программ предварительной и чистовой обработки.
курсовая работа, добавлен 16.12.2014Характеристика СВЧ установок и их рабочих камер. Анализ принципиальных схем, функционирования и устройства магнетрона, блока питания к нему, высоковольтного диода. Блок управления и ввода информации. Меры безопасной работы при ремонте и регулировке.
контрольная работа, добавлен 20.05.2010- 123. Основы электроники
Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014 Общее представление о науке электронике. Типология электропроводности и вольтамперные характеристики движения тока. Определение электрической проводимости и свойств диодов. Основные параметры варикапа. Полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды.
презентация, добавлен 25.12.2013Входные характеристики при включении транзистора по схеме с общим эмиттером. Характеристики управления при включении транзистора по схеме. Параметры и эквивалентные схемы биполярных транзисторов. Эквивалентная схема в виде модели Эбертса-Молла (вид).
презентация, добавлен 23.09.2016