Статический режим полупроводникового диода
Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.
Подобные документы
Определение удельного сопротивления раствора электролита. Особенности электрического сопротивления металлов. Процесс фокусировки электронного пучка магнитным полем, кaлибровка термопары. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода.
дипломная работа, добавлен 14.09.2017Разработка командного файла для моделирования структуры силового диода в программе DESSIS. Результаты моделирования с помощью программы INSPECT. Схематическая структура диода с алюминиевой металлизацией и медными элементами корпуса и термоэлектродами.
курсовая работа, добавлен 20.11.2016Исследование электростатического поля и электрического сопротивления металлов. Определение горизонтальной составляющей напряженности магнитного поля земли. Снятие вольтамперной характеристики полупроводникового диода. Изучение термоэлектрических явлений.
учебное пособие, добавлен 29.09.2017- 29. Лазерные диоды
Принцип работы лазерного диода. Определение распределения Больцмана. Особенности конструкции кристалла полупроводника лазерного диода. Алгоритм подключения лазерного диода. Единица измерения длины волны, которую может продуцировать лазерный диод.
реферат, добавлен 22.09.2017 Использование р-п перехода (полупроводникового диода) в большинстве полупроводниковых приборов, его реальные свойства. Понятие р-п перехода как структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Приложение к р-п переходу напряжения.
лекция, добавлен 30.07.2013Представлена математическая модель прямой ветви вольтамперной характеристики лазерного диода на основе AlGaAs с раздельным ограничением и квантоворазмерной активной областью. Факторы, определяющие напряжение и дифференциальное сопротивление таких диодов.
статья, добавлен 16.07.2018Причины возникновения временной нестабильности в чувствительных элементах датчиков давлений на основе карбида кремния. Рассмотрение схемы температурной компенсации высокоомного терморезистора. Характеристики полупроводникового чувствительного элемента.
статья, добавлен 06.05.2018Исследование амплитудно-частотных характеристик модели акустического диода в широком диапазоне частот. Изучение влияния формы волнового фронта на амплитуду прошедшей волны. Использование метода конечных элементов и программы AutoCAD при моделировании.
статья, добавлен 06.09.2021Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
презентация, добавлен 23.06.2013Описание принципа работы диафрагменного резистивного диода. Разработка конструктивного варианта гидропневматического диода, анализ его диодности по сравнению с известными диодами. Особенности его работы не только на низких, но и на средних давлениях.
статья, добавлен 02.02.2019Процесс нахождения отношение прямого тока к обратному с использованием упрощенного уравнения вольтамперной характеристики диода. Определение тока в цепи, состоящего из источника напряжения, резистора и диода. Линия максимально допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 07.10.2013Типы, основные параметры и принцип работы фотоприемника и полупроводникового индикатора. Спектральная чувствительность и эквивалентная электрическая схема фотодиодов. Определение длинноволновой границы фотоэффекта и фоточувствительности фотоприемника.
контрольная работа, добавлен 15.01.2015Выбор и обоснование выпрямительной схемы. Расчет напряжения, токов и мощности трансформатора. Подбор типа диодов и разработка соединения плеч преобразователя. Исследование внешних характеристик агрегата, коммутации, защиты и аварийных режимов работы.
курсовая работа, добавлен 13.05.2015Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 20.09.2014Полупроводниковый лазер как лазер с активной средой полупроводникового кристалла. Структура лазера и его активная среда. Резонатор и система накачки. Условие лазерной генерации и порог возбуждения. Применение полупроводникового лазера в лазерной арфе.
курсовая работа, добавлен 18.02.2016Общее понятие и классификация диодов. Структура и схемы включения диода во внешнюю электрическую цепь. Схема электрическая принципиальная однофазных двух полупериодных выпрямителей. Характеристика и график зависимости параметрического стабилизатора.
лекция, добавлен 02.08.2013Диод как двухэлектродный электронный прибор, его свойства. История открытия принципов работы термионного диода. Типы диодов, характеристика их параметров. Специальные типы диодов, их применение для защиты устройств от неправильной полярности включения.
реферат, добавлен 22.11.2015Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015Принцип действия частотно-перестраиваемого полупроводникового лазера полосковой конструкции. Частотно-перестраиваемый дисковый полупроводниковый лазер. Рассмотрение примеров модификации частотно-перестраиваемого полупроводникового дискового лазера.
реферат, добавлен 08.02.2016- 45. Тиристор
Определение тиристора. Виды тиристоров, их классификация по способу управления и проводимости. Характеристика тиристора и его схема. Вольт-амперная характеристика. Отличия тиристора от диода. Достоинства и недостатки. Углы управления тиристорами.
презентация, добавлен 30.11.2023 Исследовано влияние внешних когерентных или шумовых возмущений большой амплитуды на поведение вольтамперных характеристик туннельных диодов. Показано, что шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа.
статья, добавлен 07.11.2018Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Методика расчета импульсных регуляторов. Основные компоненты импульсных источников питания: дроссели, конденсаторы, управляемые ключи и трансформаторы. Схема повышающего импульсного и инвертирующего регулятора. Вольт-амперная характеристика диода.
лекция, добавлен 03.03.2017Перспективы солнечной энергетики. Схема работы полупроводникового кремниевого фотоэлемента. Перспективы развития солнечной энергетики в Республика Беларусь. Фототермические и фотоэлектрические преобразователи света. Концепция системы "солнечного дома".
реферат, добавлен 10.04.2012Структура, основные параметры и принципы работы фотоприемника. Изображение принципиальной схемы включения семисегментного полупроводникового индикатора. Входной двоичный код и состояние выходов дешифратора. Расчет длины волны и силы света светодиода.
контрольная работа, добавлен 06.11.2014