Развитие полупроводниковой техники
История появления полупроводниковой электроники. Замена ламповой аппаратуры на полупроводниковую. Строение полупроводников и основные принципы их действия. Зонная структура алмазоподобных полупроводников. Дырочная примесная электропроводимость.
Подобные документы
Описание структуры кристалла. Электронный тип проводимости. Выбор конструкции элементов схемы, описание методики расчёта выбранных элементов. Расчет реальной длины резистора на кристалле, минимальной толщины диэлектрика. Параметры интегрального резистора.
курсовая работа, добавлен 03.04.2019Транспортные и оптические свойства низкоразмерных материалов наноэлектроники в условиях воздействия сильных электромагнитных полей. Характер вольт-амперных характеристик исследуемых систем. Радиоэлектрический эффект в полупроводниковой сверхрешетке.
автореферат, добавлен 15.02.2018Исторические вехи становления электроники как технической науки. Прогрессивное значение изобретения радиолампы. Основная конструкция транзистора. Сплавная и диффузионная технология производства полупроводникового триода. Цикл изготовления микросхемы.
лекция, добавлен 26.10.2013Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 07.05.2014Учение о строении атомов и молекул. Сведения о полиморфных превращениях углерода, о наноуглеродных трубках и способах их получения. Свойства растворов неэлектролитов и электролитов. Физико-химические свойства металлов, полупроводников и диэлектриков.
учебное пособие, добавлен 19.08.2017Гетерогенный многосердцевинный световод с прямоугольным поперечным сечением. Потенциал применения фотоники и радиофотоники в радиосредствах СВЧ-диапазона. Фоточувствительные активные волоконные световоды для радиофотоники. Исследования полупроводников.
научная работа, добавлен 26.10.2015Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022- 60. Полупроводники
Электропроводность полупроводников, образование и свойства p-n-перехода. Электронно-дырочный переход во внешнем электрическом поле. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода. Выпрямительный полупроводниковый диод, его предназначение и характеристики.
лекция, добавлен 09.12.2013 Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.
лекция, добавлен 04.10.2013Примесная фотопроводимость, связанная с одним типом уровней. Эффект индуцированной примесной фотопроводимости. Термооптические переходы и двойные оптические переходы. Оптическая перезарядка примесных центров. Эффект отрицательной фотопроводимости.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Энергетические зоны на границе двух полупроводников. Принципиальное отличие энергетического спектра квантовой точки от спектра квантовой ямы. Механизмы самоорганизованного роста тонкого слоя на поверхности монокристалла. Спектры фотолюминисценции.
презентация, добавлен 24.05.2014Устройство и принципы работы приборов наноэлектроники: транзисторов на резонансном туннелировании и эффекте кулоновской блокады, цифровых переключающих приборов на атомных и молекулярных шнурах. Усовершенствование традиционной элементной базы электроники.
презентация, добавлен 24.05.2014Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
лекция, добавлен 26.10.2013Современный процесс по организации производства радиоэлектронной аппаратуры, формы специализации цехов. Основные понятия технологии производства аппаратуры и ее технологические особенности. Основные задачи планирования технологической подготовки.
статья, добавлен 15.11.2018Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Конструктивная иерархия аппаратуры особенности модульного принципа ее конструирования. Принципы иерархического конструирования радиоэлектронной аппаратуры. Стандартизация при модульном конструировании. Проектирование корпусов микросхем и микросборок.
лекция, добавлен 15.11.2018Анализ оптических параметров: волн, фотонов, электромагнитного спектра. Структура строения волоконного кабеля. Принцип действия многомодовых и одномодовых световодов. Основные положения лучевой оптики при передаче света по ступенчатых волноводах.
реферат, добавлен 27.11.2009Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Особенности функционирования комплекса регистрации температуры. Возможность расширения диапазона измерений температурных режимов при проведении испытаний аппаратуры систем управления ракетно-космической техники. Расчет погрешности измеренных значений.
статья, добавлен 22.03.2016Описание электрических и магнитных цепей. Основы электроники. Анализ электрических цепей. Электрические цепи переменного тока. Методы расчета параметров элементов промышленной электроники. Общие принципы работы электронных усилителей. Трансформаторы.
методичка, добавлен 23.10.2008