Вплив зовнішніх факторів на електрофізичні властивості приповерхневого шару базисних граней кристалів CdS
Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
Подобные документы
Умови осадження полікристалічних плівок ZnO методом хімічного осадження з парової фази металоорганічних вихідних реагентів, при підсиленні плазмовим розрядом. Вплив галію на структуру, морфологію, електричний опір та спектр оптичного пропускання плівок.
автореферат, добавлен 26.08.2015Методи термічного випаровування в квазізамкнутому об’ємі. Окиснення леткого попередника. Енергетичні стани електронів. Загальні закономірності фізико–хімічних процесів формування п’єзоактивних оксидних та халькогенідних структур з розвиненою поверхнею.
автореферат, добавлен 27.07.2014Результати діелектричних досліджень сегнетиелектричних кристалів CuIn1+гамаP2S6 в температурному інтервалі 293-450 К при дії гідростатичних тисків до р=300МПа. Етапи побудови фазової p,T-діаграми кристалів; причини її відхилення від лінійного закону.
контрольная работа, добавлен 27.12.2016Механізми утворення дефектів і їх впливу на електричні, фотоелектричні і оптичні властивості монокристалів сульфіду кадмію опромінених частинками підпорогової енергії. Дослідження лазерного відпалу центрів рекомбінації в опромінених монокристалах.
автореферат, добавлен 29.08.2015Вивчення впливу легування кремнію ізовалентною домішкою олова. Процеси утворення і відпалу радіаційних і термічних дефектів. Теорія кінетики утворення термодонорів. Електрофізичні властивості кремнію при обробці. Оцінка носіїв струму при опроміненні.
автореферат, добавлен 12.02.2014Основні виявлення ролі часткових дислокацій, які рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення зміни фізичних властивостей кристалів, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 82. Рідкі кристали
Поняття, типи та фізичні властивості рідких кристалів. Специфічність агрегатного стану речовини. Порядок орієнтації молекул в рідкокристалічному зразку. Застосування кристалів в окулярах для космонавтів та пілотів. Історія їх впровадження в електроніку.
реферат, добавлен 08.12.2020 Закономірності тензорезистивних ефектів, обумовлених перебудовою енергетичних зон кристалів Si та Ge під дією сильної одновісної деформації і дослідження анізотропії тензорезистивних ефектів, пов’язаної зі змінами симетрії кристалів і рівня легування.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 84. Температурна поведінка оптичної анізотропії нелінійних діелектриків з центросиметричною парафазою
Вивчення результатів поляриметричних досліджень параметрів оптичної анізотропії кристалів дейтерованого тригліцинсульфату. Розгляд наслідків дейтерування ізоморфних заміщень. Аналіз термічного розширення кристалічних фероїків з органічними катіонами.
автореферат, добавлен 25.02.2015 Вивчення домішкових та наведених іонізуючим випромінюванням парамагнітних центрів в ацентричних розупорядкованих сполуках. Аналіз спектру оптичного поглинання та люмінесценції кристалів. Вплив високотемпературного відпалу на валентний стан іонів марганцю.
автореферат, добавлен 05.01.2014Дослідження температурних залежностей властивостей сегнетоелектричних кристалів тригліцинсульфату, диметиламонійалюмінійсульфату, калія селенату та амонія гідроселенату. Ступень анізотропії показника заломлення та коефіцієнта лінійного розширення.
автореферат, добавлен 23.11.2013Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Поняття та сутність електричного поля, його характеристика та властивості, закон Кулона, силові лінії. Розгляд дії електричного диполя, значення електростатики. Електричне поле безмежного рівномірно зарядженого стержня, напруженість електричного поля.
реферат, добавлен 24.06.2014Залежності ефективності перетворення короткохвильового випромінювання в довгохвильове від параметрів зовнішніх впливів і параметрів кристалів. Температурний діапазон, в межах якого досягаються найвищі значення ефективності перетворення в монокремнії.
автореферат, добавлен 25.08.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Кристалічні речовини, їх характерні властивості, як: стала температура плавлення, спайність, анізотропія, пружність. Існування рідких кристалів, їх застосування для створення осциляторів для годинників, радіо, телевізорів, електронних ігор, комп’ютерів,
презентация, добавлен 27.02.2020- 92. Дослідження топографії та атомної структури поверхонь сколювання (100) шаруватих кристалів In4Se3
Методами скануючих тунельної, атомно-силової мікроскопій та дифракції повільних електронів на відбивання досліджено топографію, кристалографію та атомну структуру поверхонь сколювання шаруватих кристалів In4Se3, одержаних шляхом сколювання in situ.
статья, добавлен 13.10.2016 Вивчення впливу орієнтуючих поверхонь на деякі електро-оптичні явища в рідких кристалів комірках. Характеристика світлоіндукованого переходу Фредерікса та відгук на взаємодію з кутовим моментом світла. Процес формування об'ємних дифракційних граток.
автореферат, добавлен 07.01.2014Роль часткових дислокацій, що рухаються, в процесах фазових перетворень в кристалах сульфіду та селеніду цинку. Вивчення змін фізичних властивостей кристалів сульфіду та селеніду цинку, які залежать від стану електричної активності нерухомих дислокацій.
автореферат, добавлен 28.12.2015Дослідження еволюції дислокаційної структури кристалів в залежності від способів її введення. Вплив термічної обробки монокристалічних напівпровідникових матеріалів на характеристики дислокаційно-домішкової структури і розсіяння рентгенівських променів.
автореферат, добавлен 29.01.2016Розгляд підходу до спектроскопії свинцевих активаторних центрів у лужно-галоїдних кристалах. Опис методики створення монокристалів та дослідження їх люмінесцентно-кінетичних властивостей. Аналіз впливу квантово-розмірного ефекту на властивості кристалів.
автореферат, добавлен 29.04.2014Взаємозв'язок між умовами вирощування, чистотою вихідної сировини й формуванням структури власних та домішкових точкових дефектів, які суттєво впливають на роботу приладів, виготовлених на сапфірових підкладках. Технологія оптимального розкрою кристалів.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження потенціалу електричного поля в різних точках рідкого або газоподібного діелектрика методом електричного зонду. Роль атмосфери у формуванні приповерхневих явищ на Землі. Механізм виникнення електричних зарядів у атмосфері: феномен грози.
статья, добавлен 18.04.2024Залежність поведінки високотемпературної теплопровідності досліджуваних молекулярних кристалів від характеру обертального руху молекул. Розподіл внесків фонон-фононної та фонон-обертальної взаємодії в повний тепловий опір досліджуваних кристалів.
автореферат, добавлен 20.04.2014Механізм формування підсистеми дефектів структури, обумовлених дією опромінення, легування та термічної обробки та її вплив на електричні властивості тонких моно- і полікристалічних плівок. Електрофізичні властивості тонких плівок халькоґенідів плюмбуму.
автореферат, добавлен 13.08.2015