Механізми люмінесценції в дифузійних шарах широкозонних II-VI напівпровідників
Аналіз оптичних, електричних і структурних властивостей широкозонних шарів. Особливості механізмів випромінювальної рекомбінації у тонких шарах широкозонних напівпровідників, зумовлених енергетичною структурою дозволених зон та дефектної підсистеми.
Подобные документы
Фотопровідність напівпровідників. Оптична генерація носіїв току. Характеристики і параметри напівпровідників: вольт-амперна, спектральна, енергетична, температурна, гранична. Фотодіоди з внутрішнім підсиленням. Застосування і перспективи фотоприймачів.
реферат, добавлен 19.02.2009Дослідження механізмів самоіндукованного формування квантових точок і впливу геометричних та структурних факторів на енергетичний спектр. Аналіз особливостей процесів, що реалізуються за участю електронних, екситонних, фононних і плазмових збуджень.
автореферат, добавлен 28.01.2016Дослідження частотної залежності електропровідності сплавів і напівпровідників. Виникнення квіазіщілини в енергетичному спектрі електронів при атомному і магнітному впорядкуваннях. Зміни енергетичного спектру електронів та оптичної провідності кристалів.
автореферат, добавлен 28.09.2015Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Поняття про поляризації гірської породи. Діелектричні втрати. Взаємодія електричних і магнітних полів з гірською породою. Провідність металів і напівпровідників. Виникнення механічних напружень в гірських породах під дією зовнішніх електричних полів.
лекция, добавлен 22.07.2017- 57. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Дослідження електронних процесів під час взаємодії атомних часток з широкозонними твердими тілами. Поняття електронної гетерогенної аккоммодації енергії хімічних реакцій. Комп'ютерне моделювання процесів електронного збудження метастабльних твердих тіл.
автореферат, добавлен 10.01.2014Вплив кристалографічної орієнтації монокристалічного кремнію на квантовий вихід фотолюмінесценції поруватого кремнію в процесі анодизації. Механізми струмопереносу та випромінювальної рекомбінації. Особливості характеристик електролюмінесценції.
автореферат, добавлен 29.08.2014Встановлення зв'язку між параметрами йонної імплантації, зміною оптичних властивостей та приповерхневої структури систем "тонка металева плівка-піроелектрик". Методика розробки високоефективних піроелектричних приймачів інфрачервоного випромінювання.
автореферат, добавлен 30.07.2015Встановлення основних закономірностей впливу лазерних ударних хвиль на вузькощілинні напівпровідники та границі розділу на їх основі. Вивчення можливості управління дефектною структурою та цілеспрямованої модифікації властивостей цих напівпровідників.
автореферат, добавлен 25.06.2014Аналіз ролі технологічних факторів у формуванні підсистеми власних точкових дефектів і електрофізичних властивостей плівок PbTe, PbS і PbSe. Процеси дефектоутворення і зміни дефектної підсистеми і електрофізичних властивостей плівок халькогенідів свинцю.
автореферат, добавлен 22.07.2014Вивчення механізмів дефектоутворення в кристалічному і аморфному кремнії та зміна його фотоелектричних властивостей під впливом гамма-опромінення, іонної імплантації та гідрогенізації матеріалу. Коефіцієнти квазіхімічних реакцій моделей дефектоутворення.
автореферат, добавлен 25.02.2014Історія отримання золота, його властивості та застосування в промисловості. Розподіл поля та заряду в об’ємі Bi12SiO20. Залежність розподілу поля та заряду від координат. Нормовані значення розподілу потенціалу, поля, заряду. Кількість та густина заряду.
курсовая работа, добавлен 18.11.2014- 65. Роль макродефектів в електронних та іонних процесах в кристалах і епітаксійних шарах сполук А2В6
Вплив декорованих дислокацій на люмінесцентні та оптичні характеристики кристалів CdS. Роль лінійних дефектів на спектри фотолюмінесценції епітаксійних шарів ZnTe/GaAs, ZnSe/GaAs та дослідження розподілу точкових та лінійних дефектів по товщині шарів.
автореферат, добавлен 21.11.2013 Класифікація речовин по провідності. Власна та домішкова провідність напівпровідників. Електричний контакт двох напівпровідників p і n типу (p-n перехід) та його властивості. Пряме та зворотне включення. Напівпровідниковий діод і його застосування.
презентация, добавлен 09.02.2012Оптичні характеристики хімічно чистих перехідних металів, їхніх бінарних сплавів, сплавів із благородними металами у широкій області спектра. Зв'язок оптичних властивостей з електронною енергетичною структурою чистих металів та двокомпонентних сполук.
автореферат, добавлен 22.04.2014Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Дослідження структурних і фізичних властивостей реактивно-магнетронно розпилених плівок W-Ti-N та Ta-Si-N, в залежності від вмісту азоту в розпилювальній плазмі. Взаємозв’язок між фізико-технологічними параметрами розпилення і властивостями тонких плівок.
автореферат, добавлен 30.10.2015Особливості метастабільної фази некристалічних халькогенідних напівпровідників. Аналіз зміни атомної структури миш’яку та сурми під дією зовнішніх чинників, вивчення їх властивостей. Розробка і оптимізація параметрів елементів оптоелектронних систем.
автореферат, добавлен 29.09.2014Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
автореферат, добавлен 24.07.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015Моделі для реалізації методу математичного планування і оптимізації багатофакторного експерименту у способі вирощування тонких плівок з парової фази методом гарячої стінки. Експериментальні дослідження структури і електричних властивостей тонких плівок.
автореферат, добавлен 23.11.2013Власна провідність напівпровідників. Енергія, потрібна електрону для міжзонального переходу. Концентрація вільних носіїв у верхній частині валентної зони і нижній частині зони провідності. Відстань між рівнями в зоні провідності і валентній зоні.
лабораторная работа, добавлен 28.07.2017