Распределение Ферми-Дирака

Распределение концентрации носителей при монополярной диффузии в кремниевом и германиевом полупроводниках. График распределения Ферми-Дирака, построение диаграмм для перехода из германия. Потенциалы Ферми для дырочного и электронного полупроводников.

Подобные документы

  • Изучение основных способов представления дельта-функции Дирака. Описание искусственных и естественных представлений дельта-функции Дирака в исследованиях математической физики. Изучение порядка определения дельта-функции при помощи систем неравенств.

    лекция, добавлен 16.08.2012

  • Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.

    лекция, добавлен 23.06.2013

  • История создания ядерного реактора и его строение. Запуск первого реактора под руководством Э. Ферми в США. Распределение ядерного топлива в активной зоне. Схема работы атомной электростанции на двухконтурном водо-водяном энергетическом реакторе.

    презентация, добавлен 06.04.2014

  • Импульсное температурное воздействие на термистор в последовательном колебательном контуре. Температурное воздействие моделировалось дельта-функциями Дирака. Решение дифференциального уравнения с переменными коэффициентами дельта-функциями Дирака.

    статья, добавлен 06.11.2018

  • Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.

    реферат, добавлен 30.07.2015

  • Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.

    методичка, добавлен 13.06.2011

  • Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.

    отчет по практике, добавлен 04.10.2019

  • Индуцированное излучение электрона на цилиндрической поверхности нанотрубки в суперпозиции электрического и магнитного полей. Зависимости энергии Ферми нерелятивистского вырожденного электронного газа и мощности индуцированного излучения нанотрубки.

    дипломная работа, добавлен 06.07.2016

  • Определение площади эмиттерного перехода. Расчет сопротивления эмиттера, базы, диффузионных емкостей, предельной частоты усиления, максимальной частоты генерации. Расчет максимальной мощности, рассеиваемой коллектором. Определение положения уровня Ферми.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2015

  • Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.

    дипломная работа, добавлен 14.08.2018

  • Виды оптического поглощения в полупроводниках. Измерение поглощения оптического излучения в арсениде галлия. Отбор образцов с дефектами. Измерение спектров пропускания. Оценка концентрации хрома и его распределения в высокоомных образцах арсенида галлия.

    отчет по практике, добавлен 21.02.2020

  • Способ передачи информации в квантовой теории физики. Уравнение Шредингера и уравнение Дирака. Рассмотрение существенного различия между временным фактором, используемым в уравнении Шредингера, и временным фактором, выявляемым в уравнении Дирака.

    статья, добавлен 09.06.2022

  • Нахождение функции распределения механической энергии молекул идеального газа в состоянии теплового равновесия, находящегося в потенциальном силовом поле. Вывод распределение Больцмана в МКТ и барометрической формулы. Каноническое распределение Гиббса.

    лекция, добавлен 19.10.2014

  • Термомагнитные явления в полупроводниках: поперечный и продольный эффекты Нернста - Эттингсгаузена. Термоэлектрические явления: эффекты Зеебека, Пельтье, Томпсона. Характеристика электронно-дырочного p-n перехода. Физический смысл эффектов Холла и Ганна.

    реферат, добавлен 23.03.2014

  • Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.

    реферат, добавлен 30.05.2017

  • Состояние теплового равновесия реального газа. Функция распределения молекул по скоростям. Функция плотности вероятности распределения скоростных точек молекул в пространстве скоростей. Распределение по абсолютным скоростям. Вывод формулы распределения.

    лекция, добавлен 21.10.2014

  • Расчет плотности числа состояний для частицы, находящейся в трехмерном ящике объемом. Вычисление средних значений физических величин, характеризующих статистические системы. Теплоемкость идеального кристалла, формула Эйнштейна. Свойства Ферми-газа.

    курс лекций, добавлен 07.08.2015

  • Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Увеличение потребления энергии с развитием человеческого общества. Использование ядерного топлива в промышленности, военной сфере и энергетике. Первый ядерный реактор, названный СР-1 и построенный в декабре 1942 года в США под руководством Э. Ферми.

    презентация, добавлен 19.05.2015

  • Характеристика особенностей цепной реакции деления Э. Ферми. Рассмотрение условий осуществления управляемой цепной ядерной реакции. Исследование принципа действия атомной электростанции. Выявление её экономического значения и влияния на окружающую среду.

    презентация, добавлен 04.06.2015

  • История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.

    реферат, добавлен 08.03.2010

  • Становление вычислительной физики как отдельной дисциплины. История открытия планеты Нептун с позиции вычислительной физики. Проблема Ферми-Пасты-Улама и открытие солитонов. Эвристическая роль вычислительного эксперимента, понятие математической модели.

    реферат, добавлен 24.08.2015

  • Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.

    лабораторная работа, добавлен 19.12.2015

  • Графічне знаходження опорних реакцій ферми за допомогою силового, вірьовочного багатокутників. Розрахунок зусиль в стержнях методом вирізання вузлів. Рівновага сил з врахуванням зчеплення (тертя спокою). Розрахунок опорних реакцій просторової конструкції.

    учебное пособие, добавлен 07.07.2017

  • Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.

    лекция, добавлен 11.11.2021

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.