Элемнты аналоговой и цифровой элетроники
Свойства электронно-дырочного или p-n-перехода. Диод как электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля, свойства и применение транзистора и тиристора. Однокаскадные и двухкаскадные усилители.
Подобные документы
Проведение наблюдений метеорных треков потока Персеид с помощью электронно-оптического преобразователя на микроканальной пластине МПН-8КМ и цифровой камеры. Существенная особенность повышения эффективности регистрации точечных объектов в сотни раз.
статья, добавлен 22.05.2018Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Способы коррекции работы систем автоматизированного управления. Синтез цифровой системы по аналоговой модели, построение структурной схемы. Реализация математической модели цифровой системы в переменных состояниях с помощью пакетов MatLab, MathCAD.
курсовая работа, добавлен 25.12.2014Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018Определение величины сопротивления ограничительного резистора. Расчет напряжения холостого хода перехода диода. Температурная зависимость удельной проводимости примесного полупроводника. Рассмотрение структуры и принципа работы диодного тиристора.
контрольная работа, добавлен 26.09.2017Дискретное преобразование Фурье (ДПФ) для цифровой последовательности N отсчетов, его свойства и способы численных расчетов. Цифровая фильтрация методом ДПФ и методом дискретной сверстки. Применение методов цифровой фильтрации в Visual Basic 6.0.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Электронные, дырочные и вырожденные полупроводники, образование p-n-перехода. Характеристика обращенного диода. Методы изготовления туннельного диода, анализ зависимости его основных параметров от температуры и свойств полупроводникового материала.
реферат, добавлен 07.06.2010История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010- 37. Усилители
Усилители электрических сигналов, их параметры и принципы работы. Структурная схема усилительного каскада. Входная и коллекторные характеристики транзистора. Области применения усилителей постоянного тока. Схемы и диаграммы работы дифференцирующих цепей.
лекция, добавлен 09.12.2013 Линейные системы, их особые свойства. Принцип суперпозиции и импульсная декомпозиция. Операция свёртки, ее математические свойства. Корреляция и преобразование Фурье. Цифровые фильтры, их свойства, децибелы. Построение режекторных и полосовых фильтров.
краткое изложение, добавлен 28.01.2016Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Источники сигнала (микрофоны, фотоэлементы, усилители и т.д.), их свойства и параметры. Эквивалентные схемы усилителей. Классификация электронных усилителей. Характер входного сигнала. Полоса пропускания и абсолютные значения частот усиливаемых сигналов.
презентация, добавлен 23.09.2016Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Последствия перехода к построению цифровых средств измерений. Три основных вида измерительных систем в зависимости от выполняемых функций. Применение современных средств цифровой схемотехники. Основные отличительные особенности виртуальных приборов.
контрольная работа, добавлен 20.09.2015Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Определение понятия аналого-цифрового преобразователя для перевода напряжения в двоичный цифровой код, его применение и свойства. Статические и динамические параметры. Характеристика параллельных и последовательных аналого-цифровых преобразователей.
реферат, добавлен 25.03.2014Физические основы полупроводников. Структура и принцип действия транзистора. Применение тиристора в управляемом выпрямителе. Устройства промышленной электроники. Логические функции и логические схемы. Трехразрядный двоичный счетчик на вычитание.
учебное пособие, добавлен 05.07.2013Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.
контрольная работа, добавлен 05.07.2016Металлические цилиндры с конечной проводимостью как один из примеров практической реализации импедансных круговых структур. Методика определения выражений для коэффициентов дифракции в виде, зависящем только от продольной компоненты магнитного поля.
статья, добавлен 04.11.2018Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Изучение принципа динамического управления электронным потоком и его применения в приборах СВЧ. Исследование характеристик и параметров ЛБВ-О. Изучение устройства детекторных и смесительных диодов СВЧ. Характеристики квантовых парамагнитных усилителей.
контрольная работа, добавлен 27.03.2012