Арсенид индия. Свойства, применение. Особенности получения эпитаксиальных пленок
Электрофизические свойства объемного арсенида индия: структура, оптические характеристики, подвижность. Методы глубокой очистки индия. Получение мышьяка и его соединений высокой степени чистоты. Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы.
Подобные документы
- 1. Диод
Рассмотрение основных свойств диодов. Направления использования германиевых, кремниевых диодов, диодов из арсенида галлия и фосфида индия. Основные электрические параметры, характеризующие диоды. Вольтамперная характеристика полупроводникового диода.
презентация, добавлен 06.05.2019 Основные свойства арсенида галлия, его кристаллическая структура. Выращивание кристаллов методом Бриджмена. Биполярные и полевые транзисторы, принципы их работы и технологии изготовления. Приборы, работающие на основе квантового размерного эффекта.
курсовая работа, добавлен 20.04.2018Определение параметров технологического процесса, обеспечивающих наибольшую производительность и равномерность сверхвысокочастотной плазменной обработки. Получение полупроводниковых аморфных пленок кремния и его соединений, их электрофизические свойства.
автореферат, добавлен 13.04.2018Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016Влияние технологических параметров приготовления на электрические и структурные свойства эпитаксиальных пленок, полученных из высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x распылением. Параметры химической и термической обработки NdGaO3 подложек.
статья, добавлен 03.11.2018Анализ гомогенного и гетерогенного зарождения новой фазы. Химический рост эпитаксиальных пленок. Термодинамика и адсорбционные процессы на поверхности твердых тел. Процессы очистки, промывки и пропитки поверхности. Факторы, влияющие на адгезию.
курсовая работа, добавлен 25.02.2012Арсенид галлия как полупроводниковый материал. Расчет собственной концентрации носителей заряда. Определение концентрации основных и неосновных носителей заряда. Расчет проводимости и величины токов. Построение энергии Ферми от концентрации примеси.
курсовая работа, добавлен 11.03.2020Материалы, которые определяют параметры и характеристики электронных элементов и материалы, которые должны обеспечивать механическую прочность изделий, создаваемых из радиоматериалов. Сведения о строении вещества. Электрические и механические свойства.
презентация, добавлен 23.09.2016Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.
учебное пособие, добавлен 25.04.2014Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Представления о низкотемпературной и высокотемпературной сверхпроводимости. Эффекты и явления, на которых основана работа устройств криоэлектроники. Методы получения тонких пленок, монокристаллов, керамических образцов. Свойства сверхпроводников.
учебное пособие, добавлен 26.09.2017- 13. Система управления перехватом целей и связи для комплекса дальнего радиолокационного обнаружения
Основные результаты работ по созданию системы управления перехватом целей и связи для комплекса дальнего радиолокационного обнаружения в интересах Воздушно-военных сил Республики Индия. Определение элементом системы управления перехватом и связи.
статья, добавлен 30.10.2018 - 14. Наноструктурированные пленки на основе аморфного гидрогенизированного кремния для оптоэлектроники
Получение и исследование наноструктурированных пленок аморфного гидрогенизированного кремния, обладающих высокой фоточувствительностью и стабильностью. Расчет излучательной способности наноструктурированных пленок в видимом и инфракрасном диапазонах.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Базовые технологические операции изготовления интегральных микросхем. Операция наращивания на подложке монокристаллического слоя. Получение эпитаксиальных пленок. Использование светочувствительных материалов. Ионное легирование и термическое окисление.
доклад, добавлен 22.05.2016Физические свойства, структура, фазовые состояния, условия получения металлов, механические свойства объекта контроля. Расчет пьезоэлектрического преобразователя. Особенности его конструкции, анализ работы прибора ультразвуковой структуроскопии.
курсовая работа, добавлен 21.02.2014Разъемный метод соединения коннектор-коннектор. Сварка оптоволокна при помощи газовой горелки и лазера. Соединение оптических волокон методом склеивания. Светоизлучающие диоды: конструкции, принцип действия, электрические и оптические характеристики.
доклад, добавлен 28.05.2012Методы передачи в волоконно-оптических системах городских телефонных сетей, принципы построения и основные особенности. Волоконно-оптические датчики, оптические гироскопы. Шумовые факторы, методы их устранения. Лазеры и становление оптоэлектроники.
реферат, добавлен 19.06.2010Физико-химические и технологические основы получения легированных анодных оксидных пленок кремния для создания элементов полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Кинетика анодного окисления кремния и его соединений в легирующих электролитах.
автореферат, добавлен 30.01.2018Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
статья, добавлен 29.07.2017- 21. Электроника
Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые приборы: физические основы работы, параметры, модели, применение. Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем. Приборы вакуумной электроники.
презентация, добавлен 23.01.2014 Методы очистки подложек интегральных схем и деталей электровакуумных приборов. Технология получения и изучения свойств тонких пленок. Изготовление оксидного катода и его испытание в разборной лампе. Технология люминофоров и люминесцирующих покрытий.
методичка, добавлен 27.10.2017Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Обзор роли тонкопленочной технологии в производстве интегральных схем. Тонкопленочная металлизация полупроводниковых приборов и интегральных схем. Факторы, влияющие на свойства тонких пленок. Тонкопленочные конденсаторы, пленки тантала и его соединений.
реферат, добавлен 08.12.2012Преимущества и недостатки передачи данных с помощью волоконно-оптических линий связи. Методы контроля и защиты информации от несанкционированного доступа. Виды и структура оптического волокна. Характеристики и применение одномодовых, многомодовых кабелей.
статья, добавлен 28.08.2022