Полупроводниковые материалы
Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
Подобные документы
Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Изучение электрических и диэлектрических свойств природного клиноптилолита Амурской области. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости, проводимости и тангенса угла диэлектрических потерь. Характер выхода молекул воды из матрицы цеолитов.
статья, добавлен 26.01.2021Изучение эффекта Холла и возникновения магнитосопротивления. Расчет абсолютной ошибки концентрации примесей. Нахождение относительной погрешности сопротивления образца в магнитном поле. Анализ зависимости подвижности носителей заряда от температуры.
отчет по практике, добавлен 10.05.2018Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
курсовая работа, добавлен 01.05.2015Анализ генерации, рекомбинации и захвати носителей заряда в ионных соединениях при импульсном рентгеновском возбуждении по данным радиационно-индуцированной проводимости. Модель образования основного канала разряда в щелочно-галоидных кристаллах.
автореферат, добавлен 02.03.2018Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Температурная зависимость люминесценции ионов эрбия в свинцово-фторидных наностеклокерамиках. Возрастание пиков люминесценции с повышением концентрации эрбия и времени термообработки. Применение графиков при создании люминесцентных датчиков температуры.
статья, добавлен 30.11.2018Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Анализ туннельной плотности поверхностных состояний и проводимости поверхностной реконструкции Si(111)-7x7 образцов с величиной удельного сопротивления 1 Ωсм. Измерения температурной зависимости проводимости поверхности в диапазоне температур от 35-1
статья, добавлен 03.11.2018Определение подвижности носителей заряда в системе, состоящей из органической матрицы на основе поливинилкарбазола, легированной сферическими нанокристаллами (СНК). Исследование фотолюминесценции СНК CdSe/CdS, помещенных в трехмерный фотонный кристалл.
автореферат, добавлен 18.11.2018Обзор понятия и видов тока, под которым в теории электрических цепей принято считать направленное движение носителей заряда в проводящей среде под действием электрического поля. Ток проводимости. Электрический ток смещения. Проводники электрического тока.
статья, добавлен 20.02.2019Методы получения кварцевых емкостей для нагрева, высушивания, сжигания, обжига или плавления монокристаллов кремния. Влияние примесей в материале тигля на качество и анизотропию физических свойств однородных кристаллов. Механические свойства тигля.
статья, добавлен 28.02.2016Опыт К. Рикке по проверке неатомного характера тока в металлах. Исследования Милликена и Иоффе по измерению заряда электрона. Дискретность электрического заряда. Практическое количественное измерение Толменом и Стюартом инерционного тока в металлах.
отчет по практике, добавлен 02.10.2014Схема структуры и смещения атомов при фазовых переходах в кристаллах триглицинсульфата. Кристаллические решетки дигидрофосфата калия и титаната бария. Температурная зависимость и диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика со структурой перовскита.
реферат, добавлен 29.08.2015Исследование истории понятия электрического заряда и закона сохранения заряда. Характеристика закона Кулона и Ома. Определение электрической проводимости веществ. Особенности открытия магнитного взаимодействия и явления электромагнитной индукции.
реферат, добавлен 13.05.2016- 68. Диэлектрики
Определение концентрации носителей заряда в диэлектриках - веществах, не проводящих электрический ток. Влияние температуры, давления и напряженности поля на активные диэлектрики. Свойства электретов и жидких кристаллов. Материалы твердотельных лазеров.
реферат, добавлен 21.07.2013 Изучение закономерностей образования дифракционной картины в электронном микроскопе. Исследование способов получения дифракционных картин от монокристаллов и поликристаллов. Анализ проиндицированных электронограмм от монокристалла и поликристалла.
лабораторная работа, добавлен 26.07.2015Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017- 73. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Понятие эффективной массы электрона. Экспериментальное определение эффективной массы носителей. Зависимость энергии частицы от импульса, взаимосвязь эффективной массы и подвижности электронов. Основные внешние факторы, влияющие на электропроводность.
реферат, добавлен 27.04.2009