Полупроводниковые диоды

Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.

Подобные документы

  • Рассмотрены СВЧ-диоды как устройства, используемые в СВЧ-технологиях для генерации, управления и детектирования сигналов высоких частот. Они имеют специальную конструкцию и материалы, которые позволяют им работать в диапазоне сверхвысоких частот.

    статья, добавлен 11.09.2024

  • Рассмотрение использования и конструкции диода Ганна. Анализ подходов выполнения низкоомных омических контактов, необходимых для подвода тока для работы диодов Ганна. Режимы использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения.

    статья, добавлен 19.02.2019

  • Интегральные микросхемы: основные понятия и определения. Технология изготовления аналого-цифровых микросхем. Назначение двухразрядного дешифратора (декодера). Построение его схемы. Синтез шифратора. Преобразователь кода для семисегментного индикатора.

    контрольная работа, добавлен 22.05.2016

  • Выбор избирательной системы преселектора, определение числа резонансных контуров и элементов настройки. Определение избирательности по зеркальному каналу. Обоснование и расчет схемы детектора и типа диода. Описание схемы электрической принципиальной.

    курсовая работа, добавлен 01.02.2013

  • Выбор структурной и электрической принципиальных схем устройства. Выбор по заданным начальным параметрам напряжения питания, транзистора VT1, диода VD1, расчет номиналов остальных деталей. Алгоритм расчета блокинг-генератора по схеме с общим эмиттером.

    дипломная работа, добавлен 24.11.2011

  • Графики работы выпрямителя с фильтром по расчётным данным и выбор полупроводникового диода по результатам расчета. Расчётная схема и значения параметров транзисторного усилителя. Проверка правильности выбора трансформатора по мощности рассеяния.

    курсовая работа, добавлен 12.01.2011

  • Электрические характеристики перовскитных диодиов. Использования перовскитов в качестве материалов для фотоприемников. Фотодиоды на основе гибридных материалов. Вольтамперная характеристика и импульсная реакция фотопроводника. Программное обеспечение.

    диссертация, добавлен 10.08.2020

  • Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.

    курсовая работа, добавлен 16.05.2016

  • Создание схемы, позволяющей управлять яркостью свечения светодиода с передней панели системы управления. Расчет параметров и подбор элементов. Внешний вид платы и подключение к контролеру. Принцип работы схемы, руководство пользователя, блок-диаграмма.

    контрольная работа, добавлен 11.02.2013

  • Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.

    курс лекций, добавлен 11.09.2012

  • Фундамент развития электроники и создания электронных приборов. Изобретение лампы накаливания. Создание электровакуумного диода и приемо-усилительных радиоламп. Предпосылки появления транзисторов, интегральных микросхем. Этапы развития микроэлектроники.

    дипломная работа, добавлен 07.07.2014

  • Особенности микроволнового диапазона и динамического принципа управления преобразованием энергии. Электрофизические свойства однородных и неоднородных полупроводников. Свойства p-n перехода в микроволновом диапазоне. Лавинно-пролетный диод, Диод Шоттки.

    учебное пособие, добавлен 25.04.2014

  • Контроль температуры с широтно-импульсной модуляцией выходного сигнала. Преобразование сопротивления в напряжение с использованием операционного усилителя, характеристики стабилитрона. Мощность рассеивания резистора. Инвертирующий усилитель напряжения.

    контрольная работа, добавлен 20.11.2016

  • Порядок проектирования сетевого источника напряжения, на выходе которого имеется стабилизированное напряжение +3В. Выбор транзистора, стабилитрона. Расчет выпрямителя и трансформатора. Определение сопротивления резистора, его рассеиваемая мощность.

    курсовая работа, добавлен 17.06.2012

  • Параметры АЦП и их сущность. Последовательный интерфейс сигма-дельта АЦП и его характеристика. Статические параметры их классификация и характеристика. Динамические параметры, особенность и сущность. Шумы АЦП понятие, особенности и применение на практике.

    реферат, добавлен 14.02.2009

  • Оборудование электропитающей установки, выполненной по буферной системе электропитания с вольтодобавочными конверторами и без устройств регулирования в цепи постоянного тока. Элементы силовой части однотактного преобразователя с обратным включением диода.

    контрольная работа, добавлен 14.11.2012

  • Расчет временных параметров заданного высокоскоростного кадра для заданного варианта. Определение количества пользователей в ячейке сотовых систем TDMA, FDMA и CDMA. Проектирование системы сотовой связи CDMA стандарта IS-95: прямого и обратного канала.

    контрольная работа, добавлен 17.11.2017

  • Основные технические характеристики, область применения и основные особенности конструкции термопреобразователей сопротивления из металла. Методика апроксимации номинальной статической градуировочной характеристики термопреобразователей сопротивления.

    лабораторная работа, добавлен 16.09.2012

  • Состав активной массы положительного электрода в заряженном состоянии в никель-кадмиевых аккумуляторах. Основные свойства диодных тиристоров. Методика реостатного пуска асинхронных двигателей. Принцип работы коммутатора сигнально-отличительных огней.

    контрольная работа, добавлен 13.08.2014

  • Электропроводность полупроводников, действие полупроводниковых приборов. Рекомбинация электронов и дырок в полупроводнике и их роль в установлении равновесных концентраций. Нелинейные полупроводниковые резисторы. Верхние разрешенные энергетические зоны.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Селенид цинка как один из типичных представителей соединения А2В6, его использование в качестве активной среды лазеров, экранов цветного телевизора, оптических модуляторов света и других оптоэлектронных приборов. Свойства исследуемых гетероструктур.

    статья, добавлен 30.12.2016

  • Особенность работы оптоэлектронных устройств. Оптрон, как основной элемент оптоэлектроники. Синтез принципа действия инжекционного светодиода. Анализ главных материалов для фотодиодов. Суть несимметричного поверхностного диэлектрического волновода.

    лекция, добавлен 25.07.2015

  • Выбор схемы включения операционного усилителя. Оценка допустимого значения входного сопротивления. Построение логарифмической амплитудно-частотной характеристики операционного усилителя. Расчет ориентировочного значения токов, протекающих через диоды.

    курсовая работа, добавлен 03.12.2019

  • Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

    учебное пособие, добавлен 18.04.2016

  • История развития и оценка современных достижений электронной промышленности. Первые полупроводниковые материалы и сферы их использования. Кремниевые полупроводниковые приборы, их описание и преимущества, методы сборки и герметизации и металлизация.

    учебное пособие, добавлен 08.02.2015

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.