Сущность электроники

Характеристика основных элементов электронных систем. Анализ параметров полупроводникового диода. Устройство и основные физические процессы биполярных транзисторов. Исследование оптоэлектронных приборов. Классификация и основные параметры усилителей.

Подобные документы

  • Общее устройство и основные структурные элементы полупроводникового диода. Сравнительная оценка вольт-амперных характеристик кремниевого и германиевого диодов. Дифференциальные параметры полупроводникового диода, его предельно допустимая температура.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.

    учебное пособие, добавлен 13.04.2015

  • Появление усилительных элементов – транзисторов, интегральных схем и других электронных приборов, усиливающих электрические сигналы. Создание широкополосных усилителей гармонических и импульсных сигналов, предназначенных для телевидения, радиолокации.

    контрольная работа, добавлен 09.10.2018

  • Изучение устройства полупроводникового диода, а также физических процессов, происходящих в нем. Исследование параметров полупроводниковых диодов. Приведение вольтамперной характеристики идеализированного р-п перехода и стабилитрона общего назначения.

    лабораторная работа, добавлен 07.02.2016

  • Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.

    курс лекций, добавлен 25.02.2014

  • Виды транзисторных усилителей, основные задачи при их проектировании. Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статистические характеристики транзисторов. Статические и дифференциальные параметры транзисторов. Обратные связи в усилителях.

    лекция, добавлен 09.04.2015

  • Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.

    лабораторная работа, добавлен 29.06.2014

  • Особенности и режимы работы силовых приборов, применяемых в устройствах преобразовательной техники, входящих в состав современных электротехнических и электроэнергетических систем. Применение полупроводниковых диодов, тиристоров и транзисторов.

    учебное пособие, добавлен 06.09.2016

  • Расчет основных параметров и характеристик выпрямительного диода. Вольтамперный анализ прямой и обратной зависимости емкости от напряжения. Примеры практического применения активного элемента. Достоинства и недостатки двухполупериодного выпрямителя.

    курсовая работа, добавлен 19.03.2012

  • Изучение основных характеристик операционных усилителей. Разработка усилителя с хорошим коэффициентом усиления. Способы борьбы с температурным дрейфом в биполярных транзисторах. Анализ метода дифференциального каскада. Полная схема основных транзисторов.

    лекция, добавлен 20.09.2017

  • История изобретения транзисторов, их назначение, область применения и недостатки первых моделей. Структура и типовые характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором. Сравнительная характеристика различных семейств биполярных транзисторов.

    реферат, добавлен 02.12.2015

  • Изучение особенностей семейства вольтамперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. Определение недостатков биполярных транзисторов. Рассмотрение устройства и принципа работы полевых транзисторов с индуцированным каналом.

    лекция, добавлен 21.10.2014

  • Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.

    курс лекций, добавлен 13.02.2017

  • Основные характеристики и параметры полупроводниковых р-n переходов, влияние на них температуры окружающей среды. Преобразование переменного тока в постоянный. Прямой и обратный токи полупроводникового диода, расчет дифференциального сопротивления.

    контрольная работа, добавлен 13.12.2021

  • Классификация, основные параметры и назначение усилителей. Способы регулирования скорости вращения асинхронного двигателя и тормозные режимы. Характеристика и виды электромеханических измерительных приборов, схемы возбуждения машин постоянного тока.

    шпаргалка, добавлен 20.01.2010

  • Диод как простейший полупроводниковый прибор, обозначение диода. Краткое рассмотрение способов создания p-n перехода. Характеристика основных недостатков полупроводникового диода. Анализ энергетических диаграмм для легированных акцепторной примесью.

    контрольная работа, добавлен 08.06.2012

  • Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.

    контрольная работа, добавлен 22.02.2010

  • Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.

    учебное пособие, добавлен 27.02.2012

  • Основные физические процессы, лежащие в основе работы полевого транзистора с управляющим электронно-дырочным переходом. Расчет выходного дифференциального сопротивления. Особенности использования полевых и биполярных транзисторов разных диапазонов частот.

    лабораторная работа, добавлен 27.06.2015

  • Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.

    реферат, добавлен 13.06.2015

  • Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.

    лекция, добавлен 08.08.2020

  • Классификация электроизмерительных приборов и технические требования, предъявляемые к ним. Основные системы электроизмерительных приборов. Принципы действия приборов электромагнитной и магнитоэлектрической систем. Схема соединения катушек амперметра.

    лекция, добавлен 20.04.2012

  • Устройство и принцип действия, статические характеристики полевого транзистора с управляющим р-n-переходом. Основные параметры МДП – транзисторов и область их применения. Главные преимущества и недостатки полевых транзисторов. Усилители с общим истоком.

    курсовая работа, добавлен 16.06.2022

  • Прохождение сигналов через линейную цепь. Структурная схема усиления электрических сигналов. Согласование сопротивлений для оптимальной передачи мощности. Классификация и основные параметры усилителей. Влияние обратной связи на параметры усилителей

    презентация, добавлен 27.09.2017

  • Анализ режимов работы и функциональных возможностей устройств силовой электроники, выполненных на полностью управляемых ключах. Управление активной фильтрацией на основе элементов силовой электроники для решения проблем повышения качества электроэнергии.

    автореферат, добавлен 08.02.2018

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.