Полевые транзисторы
Критерии классификации и условные графические обозначения полевых транзисторов. Структурная схема и схема включения полевого транзистора с управляющим переходом. Перекрытие канала, вольтамперные характеристики. Значения параметров полевых транзисторов.
Подобные документы
Понятие, классификация и принцип работы электронного усилителя. Типы электронных усилителей, их параметры и характеристики. Сравнительный анализ основных параметров усилителей с различным включением транзисторов в схемах. Разработка печатной платы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Основные параметры биполярного транзистора с p-n-p переходом, определяющие работу линейного усилителя низкой частоты. Принципиальная схема работы усилителя. Расчет и экспериментальная проверка рабочей точки по статическим характеристикам транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.09.2014Анализ прогресса в изготовлении транзисторов. Влияние попадания тяжелых заряженных частиц на работу транзисторов и КМОП-ячейки памяти. Моделирование воздействия заряженных частиц при разных размерах и разной температуре. Влияние радиации на транзисторы.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Методы измерений биполярных транзисторов. Влияние температуры и частоты на свойства транзисторов и полупроводниковых приборов. Обоснование алгоритма экстракции SPICE-параметров модели. Разработка интерфейса и вычислительного ядра программного модуля.
магистерская работа, добавлен 01.12.2019- 106. Дискретный канал
Определение дискретного канала как канала связи, используемого для передачи дискретных сообщений. Его параметры и модель частичного описания, классификация и структурная схема. Специфика объема передаваемой информации при заданном темпе и критерии отказа.
курсовая работа, добавлен 03.05.2015 Измерение и аппроксимация температурных зависимостей основных параметров моделей p-канальных МОП-транзисторов в широком диапазоне температур. Моделирование температурных режимов усилителей на МОП-транзисторах в электронных симуляторах SPICE-типа.
статья, добавлен 30.05.2017- 108. Основы электроники
Понятие элементной базы устройств полупроводниковой электроники. Особенности классификации, вольт-амперных. Характеристики диодов, транзисторов, основные схемы включения и особенности их применения в конкретных приборах в различных режимах работы.
учебное пособие, добавлен 24.09.2014 Структурная схема усилителя с одноканальной обратной связью. Выбор транзистора и расчет режима работы выходного каскада. Выбор схемы цепи усиления и расчет по постоянному току. Расчет коэффициента усиления и параметров АЧХ. Принципиальная схема.
курсовая работа, добавлен 25.05.2010Компьютерное моделирование интегральных цифровых приборов. Структурная схема счетчика, эскиз топологии и топологические размеры. Параметры транзисторов и модели вентилей. Расчет быстродействия триггеров. Определение межсоединений и паразитных емкостей.
курсовая работа, добавлен 22.10.2017Задание величины отрицательной обратной связи с помощью пассивных элементов (резисторов), обладающих хорошей стабильностью. Разработка схемы с общим эмиттером, использующая транзистор. Использование полевых транзисторов. Метод дифференциального каскада.
лекция, добавлен 29.10.2013Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.
статья, добавлен 21.10.2016Входное и выходное напряжение. Определение типа транзистора. Мощность, рассеиваемая коллектором транзистора. Расчет коэффициента обратной связи по напряжению. Вольтамперные характеристики транзистора. Расчет статического коэффициента передачи по току.
контрольная работа, добавлен 13.05.2015Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Анализ схемы электрической принципиальной. Обоснование выбора элементов схемы: резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов, транзисторов. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Техника безопасности при эксплуатации электронной аппаратуры.
дипломная работа, добавлен 15.07.2009Обзор существующих устройств. Структурная схема приёмника. Определение коэффициентов включения, элементов связи транзистора. Расчёт коэффициента усиления линейного тракта радиовещательного приёмника супергетеродинного типа и разбивка его по каскадам.
дипломная работа, добавлен 26.02.2013Методы анализа линейных усилительных каскадов в частотной области. Исследование биполярных и полевых транзисторов. Особенность изучения усилителей с обратной связью. Сущность аналоговых перемножителей сигналов. Устройства вторичных источников питания.
учебное пособие, добавлен 17.11.2015Исследование статических вольт-амперных характеристик биполярных транзисторов в схеме с общей базой. Расчет дифференциальных параметров в заданной точке. Определение характеристик БТ с общим эмиттером для вариантов выходного напряжения и входного тока.
лабораторная работа, добавлен 12.06.2020Расчёт полосы пропускания приёмника, промежуточной частоты, параметров транзисторов. Коэффициент усиления высокочастотной части приёмника. Изучение основных достоинств и недостатков супергетеродинного приёмника. Обеспечение минимума коэффициента шума.
курсовая работа, добавлен 13.04.2014Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Параметры межсоединений в различных технологических базисах. Моделирование базисных логических элементов. Функциональная схема мультиплексора. Этап схемотехнического проектирования. Период тактового сигнала. Расчет основных параметров транзисторов.
курсовая работа, добавлен 01.12.2011Обоснование способа увеличения плотности элементов в схемах NOR и OR, сформированных на базе полевых гетеротранзисторов. Разработка рекомендации по оптимизации технологического процесса с целью формирования более компактного распределения примесей.
статья, добавлен 21.06.2020