Детектори на основі напівпровідникових сполук CdTe І CdZnTe для дозиметрії іонізуючого випромінювання
Встановлення закономірностей фізичних процесів, що протікають у детекторах гамма-випромінювання на основі напівпровідникових сполук CdTe і CdZnTe. Методи поліпшення характеристик детекторів, створення на їхній основі дозиметричних блоків детектування.
Подобные документы
Характеристика фізичної природи інфрачервоного випромінювання – оптичного випромінювання з довжиною хвилі більшою ніж у видимого випромінювання. Область застосування інфрачервоного випромінювання. Дослідження природи ультрафіолетового випромінювання.
презентация, добавлен 16.05.2016Вивчення особливостей переносу заряду в квантових гетероструктурах на основі сполук А3В5 під дією освітлення, додаткового електричного потенціалу та наявності носіїв заряду обох знаків. Особливості побудови моделі електрично-індукованої надгратки.
автореферат, добавлен 06.07.2014Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Поліпшення методики формування в учнів уявлень про джерела оптичного випромінювання. Спектральний метод дослідження фізичних явищ та розробка нового навчального експерименту. Підвищення ефективності навчально-виховного процесу з квантової фізики.
автореферат, добавлен 29.09.2014Формування потоку рентгенівського випромінювання електронно-променевих приладів з урахуванням конструктивних параметрів, характеристика електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Виявлення дефектів зварних з’єднань контрольованного об’єкта.
автореферат, добавлен 28.07.2014Підвищення точності вимірювання відстаней і потужності когерентного та некогерентного оптичного випромінювання. Застосування методів низькокогерентної спектральної інтерферометрії для створення сіток оптичних частот в телекомунікаційних системах.
автореферат, добавлен 19.06.2018Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Удосконалення методів визначення втрат потужності в перетворювальних пристроях, які працюють в різних режимах. Розробка математичної моделі напівпровідникових перетворювачів постійного та змінного струму працюючих в автономних системах електропостачання.
автореферат, добавлен 29.07.2014- 60. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 З’ясування можливості використання поверхнево-бар’єрних напівпровідникових структур з надтонкими плівками титану і нікелю як первісних перетворювачів сигналу від оточуючого газового середовища. Встановлення фізичних процесів впливу аміаку і криптону.
автореферат, добавлен 10.01.2014Визначення поняття теплових процесів, як технологічних процесів, що протікають зі швидкістю, обумовленою законами теплопередачі. Вивчення рівняння теплового балансу та способів розповсюдження тепла: теплопровідності, конвекції, теплового випромінювання.
доклад, добавлен 12.06.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, а також технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру досліджуваних низькорозмірних систем на основі кисневмісних сполук цинку та дийодиду свинцю.
автореферат, добавлен 14.10.2015Моделі процесу формування потоку рентгенівського випромінювання з урахуванням конструктивних параметрів та електричних режимів роботи рентгенівської трубки. Параметри перспективних передавальних електронно-променевих приладів та рентгеноскопічних систем.
автореферат, добавлен 28.07.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Поняття напівпровідникових матеріалів та пристроїв. Електронно-дірковий перехід та його властивості. Класифікація напівпровідникових діодів, їх різновиди та функціональні особливості. Опис і властивості арсеніду галію. Розрахунок параметрів діоду АД110А.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Розрахунок електронної зонної структури бінарних сполук методом модельного псевдопотенціалу та дослідження впливу на неї деформацій і температури. Моделювання твердих розчинів заміщення і дослідження впливу структурної релаксації на електронний спектр.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження впливу ванадію на електричні, фотоелектричні, оптичні та магнітні властивості CdTe в залежності від його концентрації. Встановлення природи дефектів ванадію. Дослідження структури кристалів CdTe:V, застосовування ультразвукової обробки.
автореферат, добавлен 15.11.2013Встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Можливість існування в напівпровідникових НГ EuS-PbS міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Фізична модель впливу тривалої витримки на повітрі і робочої температури на ефективність плівкових гетероструктур на основі базових шарів CuIn0,7Ga0,3Se2. Методика експериментального дослідження фотоелектричних процесів у плівкових гетероструктурах.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз впливу на глибину модуляції фізичних параметрів сумішей, температури та характеристик керуючого сигналу. Розробка рекомендацій по створенню матеріалів для ефективних низькочастотних модуляторів лазерного випромінювання видимого діапазону спектру.
автореферат, добавлен 18.11.2013Загальна характеристика гама-випромінювання. Поглинання гама-променів речовиною. Експериментальне встановлення гама-випромінювання. Використання приладів дозиметричного контролю та принципи їх роботи. Вимірювачі потужності дози радіоактивної зараженості.
реферат, добавлен 19.11.2010Вивчення кореляційного взаємозв'язку між магнітними властивостями кристалів і ефективною валентністю рідкісноземельного іону. Порядок формування електронних транспортних властивостей твердих розчинів на основі потрійних сполук європію та ітербію.
автореферат, добавлен 12.02.2014Дослідження властивостей наноструктурованих металізованих напівпровідникових підкладок для спектроскопії поверхнево підсиленого комбінаційного розсіювання світла. Морфологічні параметри срібних острівцевих плівок, сформованих на кремнієвій основі.
автореферат, добавлен 29.07.2015Вивчення основних елементів технології виготовлення мікроcтріпових металевих детекторів для моніторингу пучків заряджених частинок та синхротронного випромінювання. Виявлення проблем фотолітографії та хімічного травлення підтримуючої кремнієвої пластини.
статья, добавлен 14.11.2013