Механизмы пробоя p-n-перехода
Зависимость теплового тока от процессов термогенерации носителей заряда и ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого выполнен p-n-переход. Причины возникновения и меры предотвращения электрических и тепловых разновидностей пробоя p-n-перехода.
Подобные документы
Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Интерес производителей электронного оборудования к производству преобразователей частоты на основе IGBT-модулей. Причины и условия пробоя транзисторов и диодов в модулях, рекомендации по их монтажу и эксплуатации, позволяющие предотвратить выход из строя.
статья, добавлен 16.01.2017Теоретические основы моделирования тепловых процессов. Способы обеспечения теплоотвода космической аппаратуры. АСОНИКА как инструмент математического моделирования физических процессов. Исследование тепловых процессов телекоммуникационного устройства.
дипломная работа, добавлен 04.12.2019Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Исследование линейных электрических цепей постоянного и синусоидального тока. Понятие резонанса, причины и необходимые условия его возникновения; определение параметров цепи. Расчет линейных однофазных цепей при несинусоидальном питающем напряжении.
дипломная работа, добавлен 09.02.2013Анализ факторов, формирующих зоны затенения при распространении радиоволн. Определение коэффициента дифракционного усиления с препятствием по сравнению со свободным пространством. Зависимость ширины "теневой" зоны от высот препятствия и базовой станции.
статья, добавлен 10.03.2018Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
реферат, добавлен 08.06.2016Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Главные принципы иерархического моделирования тепловых процессов в бортовой аппаратуре. Изучение влияния тепла на надежность БА. Программное обеспечение радиоэлектронной аппаратуры. Анализ теплового режима МТ-403. Установка радиатора на корпус микросхемы.
дипломная работа, добавлен 01.12.2019Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Кристаллическая структура полупроводника, влияние примеси и температуры на его проводимость. Особенности реальных p-n-переходов. Тиратрон, устройство и принцип работы. Приборы тлеющего разряда. Переход, смещенный в обратном направлении и виды пробоев.
контрольная работа, добавлен 29.09.2017Особенности теплового моделирования при проектировании инфокоммуникационных устройств. Тепловые процессы в радиоэлектронной аппаратуре, моделирование тепловых процессов в приемно-вычислительном блоке. Проектирование инфокоммуникационных устройств.
дипломная работа, добавлен 10.12.2019Примеры эффективности предлагаемых методик при температурных измерениях увлажнённых нанопористых образцов. Исследование возможности использования микроволновых, электрических и тепловых измерений при их сочетании или при одновременном использовании.
статья, добавлен 26.01.2021Интегратор, как техническое устройство, выходной, сигнал которого пропорционален интегралу обычного времени. Характеристика механических вычислительных технических устройств. Анализ измерения степени заряда и разряда электрохимических источников тока.
контрольная работа, добавлен 25.04.2016Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Особенности появления электрохимического пробоя изоляции, которое происходит по причине протекания химических реакций в изоляционном слое, скорость которых увеличивается при подведении дополнительной тепловой энергии. Объемные плотности тепловыделения.
статья, добавлен 27.09.2012- 44. Частичный разряд
Изучение новых методов обнаружения и диагностики изоляции по частичным разрядам, применяемого на заводях изготовителях трансформаторного оборудования при контроле качества изоляции выпускаемой продукции. Расчет длительности процесса пробоя включения.
реферат, добавлен 03.05.2016 Использование акустического метода при повреждении в кабельных сетях. Междуфазные замыкания с различными переходными сопротивлениями. Определение пробоя между жилой и заземленной оболочкой. Возникновение устойчивого искрового разряда в месте повреждения.
реферат, добавлен 21.10.2016Понятие электрической цепи и описание схем построения неразветвленных и разветвленных электрических цепей. Проведение расчета электрических цепей однофазного переменного тока символическим методом. Проверка расчета цепей методом энергетического баланса.
курсовая работа, добавлен 16.06.2020Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018- 48. Шоттки диоды
Использование выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником на диоде. Выпрямительные свойства и устранение инжекции неосновных носителей зарядов. Эффект туннелирования. Варианты структур диодов Шотки с двухслойной базой.
контрольная работа, добавлен 17.10.2013 Моделирование системы охлаждения процессоров суперЭВМ с тепловым насосом на обратном цикле Стирлинга путем численного моделирования процессов теплопередачи в исследуемом объекте. Изучена зависимость требуемого температурного лифта теплового насоса.
статья, добавлен 27.02.2018Плавные переходы с микрополосковой на однополосковую линию. Рассмотрение планарной и непланарной конструкции перехода. Анализ распределения амплитуды электрического поля на частоте 31 ГГц при возбуждении перехода со стороны микрополосковой линии.
статья, добавлен 04.11.2018