Получение сильнообогащенных кислородом слоев кремния
Изучение молекулярно-лучевой эпитаксии кремния, кристаллизации пленки путем испарения кремния на подложку в сверхвысоком вакууме. Анализ методов получения захороненных слоев, способов очистки поверхности кремния с помощью системы дифракции электронов.
Подобные документы
Влияние солнечной активности, кремния, температуры и минералов на электропроводность дистиллированной воды. Рассмотрение изменения электропроводности воды в крещенскую ночь. Проверка эффективности работы защитных экранов на телевизоре и компьютере.
реферат, добавлен 18.02.2020Рассмотрение основных процессов, происходящих внутри солнечного элемента при преобразовании оптического излучения в электроэнергию. Анализ основных оптических потерь. Оценка спектральной зависимости показателя поглощения для кремния и арсенида галлия.
статья, добавлен 02.02.2019Материалы с нелинейной проводимостью. Подавление паразитных волн перенапряжений в линиях и на подстанциях. Обусловленость нелинейности характеристик варисторов локальным нагревом соприкасающихся граней кристаллов карбида кремния или иного полупроводника.
реферат, добавлен 24.12.2016Электрические свойства кремния. Применение вычислительной техники в Украине. Производительность фотоэлектрического контроля. Математическое моделирование спектров и теллурового дефектообразования. Исследование высокотемпературной сверхпроводимости.
статья, добавлен 23.08.2012Изложение методов определения тока утечки, мощности потери, удельных диэлектрических потерь. Характеристика проводниковых (алюминий и свинец), полупроводниковых (карбид кремния и варистор) и магнитных материалов (железо технически чистое и феррит 1БИ).
контрольная работа, добавлен 11.05.2014Предназначение растрового электронного микроскопа как прибора для получения изображения поверхности объекта с высоким пространственным разрешением, информации о строении и свойствах приповерхностных слоев. Получение изображений в отраженных электронах.
курсовая работа, добавлен 03.05.2019Особенности классификации светодиодов. Открытие этого вида источников света и первые разработки. Характеристика светодиодов на основе карбида кремния, их аналогов на базе структур AIIIBV: от GaAs до AlInGaP, GaN и его твердые растворы. Мощные светодиоды.
реферат, добавлен 22.04.2014Анализ данных по примесному составу слитков мультикремния, выращенных при разных скоростных и тепловых режимах. Выявление разновидностей протяженных дефектов в мультикремнии методами селективного травления и разных видов микроскопии травления.
автореферат, добавлен 26.07.2018Исследование неравновесных населенностей состояний мелких доноров и акцепторов в полупроводниках кремния, германия. Измерение малосигнального коэффициента терагерцового усиления. Отработка методики низкотемпературной внутрирезонаторной спектроскопии.
автореферат, добавлен 15.02.2018Кварц как распространённый минерал земной коры. Моделирование ударно-волновых процессов в диоксиде кремния. Использование модели вязкоупругого тела максвелловского типа. Предположение, что в процессе нагружения меняется нормальная плотность материала.
статья, добавлен 27.10.2018Математический анализ процессов плазмохимического пиролиза моносилана, конденсации кремниевых паров в расплав. Оценка гарнисажеобразования на рабочих поверхностях реактора. Панорама канала реактора пиролиза с турбулентным течением жидкого кремния.
статья, добавлен 30.01.2016Современная тенденция к миниатюризации. Классификация, характеристика и основные свойства нанообъектов. Особенности наночастиц диоксида кремния и наночастиц оксида цинка. Сущность и специфика компьютерной микроэлектроники. Понятие молекулярных роторов.
реферат, добавлен 29.03.2019- 63. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Анализ стенда для тестирования инфракрасных фотоприёмных устройств в условиях ограничения фоновой облученности фоточувствительныхх элементов. Конструктивные особенности криооптической части стенда. Тепловой режим точечного источника излучения и фона.
статья, добавлен 07.12.2018Кристаллическая структура элементарных полупроводников кремния и германия, изображение элементарной ячейки этих кристаллов. Зонная диаграмма p-n-перехода в равновесии и при прямом смещении. Выходная ВАХ биполярного транзистора в схеме с общей базой.
контрольная работа, добавлен 26.01.2013Приближенная фазовая диаграмма диоксида кремния. Традиционные уравнения Ми-Грюнайзена. Релаксация касательных напряжений в материале при его деформировании. Модель, описывающая ударно-волновое деформирование кварца с учетом полиморфных превращений.
статья, добавлен 02.11.2018Роль различных механизмов в формировании потока вещества при распылении одно- и двухкомпонентных мишеней. Влияние атомов на угловые распределения компонентов при распылении Ni-Pd сплавов. Изучение распыления кремния и германия на стадии ионного облучения.
автореферат, добавлен 10.12.2013Исследование необходимости определения и сравнения значений энергии Гиббса реакций углеродотермического восстановления шихт. Наиболее вероятные реакции при выплавке силикомарганца. Зависимость активности кремнезема от мольной доли оксидов магния.
статья, добавлен 23.04.2016Процесс переноса заряда под действием электрического поля. Связь плотности тока с дрейфовой скоростью. Зависимость удельной проводимости от напряжения (тензорезистивный эффект). Расчет тензоров деформации для алмазоподобных кристаллов на примере кремния.
статья, добавлен 27.11.2018Показаны тенденции развития фотоэлектрического преобразователя, который основан на повышении уровня КПД за счет оптимизации конструктивных и физических параметров. Описание фотоэлектромагнитного и магнитоконцентрационных эффектов, методы повышения КПД.
статья, добавлен 19.06.2018Суть процессов равновесной и неравновесной статистической механики, находящейся в фазовых переходах полимерной накладки. Взаимодействие поверхностных слоев при трении. Связь законов термодинамики с движением электронов и ионов металлополимерных пар.
статья, добавлен 30.01.2016Ионно-плазменные методы получения тонких пленок. Молекулярно-лучевая эпитаксия и лазерное распыление. Суть химических вакуумных методов. Электрохимическое осаждение покрытий и химическая металлизация. Оптические свойства пленок аморфных оксидов ванадия.
курсовая работа, добавлен 15.08.2011Сущность и недостатки метода ионной имплантации. Исследование постимплантационных радиационных нарушений, образуемых при введении ионов иттербия (Yb+) в кремний. Особенности распределения ионно-имплантированного Yb+ в условиях термического отжига.
статья, добавлен 22.06.2015Анализ принципа неопределенности, основанного на идее дуализма квантов света и корпускул материи. Изучение закона корпускулярной дифракции электронов. Суть квантово-полевого принципа взаимодействий в микромире и чисто корпускулярного рассеяния частиц.
статья, добавлен 23.11.2018Зависимость индукции насыщения, максимальной магнитной проницаемости и коэрцитивной силы аморфного магнитного сплава от содержания кремния. Замена гомогенизирующего отжига на термомагнитную обработку с целью повышения магнитных параметров образцов АМС.
статья, добавлен 11.12.2024