Диоды и транзисторы
Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
Подобные документы
Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.
реферат, добавлен 24.04.2017- 77. Варикапы
Использование варикапов в качестве конденсатора, емкость которого зависит от величины обратного напряжения. Порядок расчета параметрического стабилизатора напряжения. Назначение стабилизаторов, стабисторов, туннельных и обращенных диодов, транзисторов.
лекция, добавлен 06.09.2017 Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.
контрольная работа, добавлен 17.10.2011Характеристика и распространение электронных волн в среде, свойства которой меняются только вдоль определенного направления. Использование одноэлектронного стационарного уравнения Шрёдингера. Создание нового поколения резонансно-туннельных диодов.
статья, добавлен 23.01.2018Электрическая энергия и ее подача к потребителям в виде трехфазного или однофазного переменного тока. Классификация диодов: выпрямительные, стабилитроны и стабисторы, универсальные и импульсные, варикапы, специфика туннельных и обращенных диодов.
реферат, добавлен 13.11.2014Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Описание схемы биполярного транзистора с эмиттером и экспериментальное определение его вольт-амперных характеристик при нормальной и повышенной температуре. Измерение показателей и построение графиков входных и выходных параметров биполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Оптоэлектронные приборы, их определение, устройство и принцип работы. Выпрямительные диоды, их определение и устройство. Работа транзистора в режиме насыщения. Принципиальные особенности оптоэлектронных устройств. Распространение световых лучей.
контрольная работа, добавлен 09.01.2011- 86. Диоды Шоттки
Выпрямительные диоды Шоттки. Время перезарядки барьерной ёмкости перехода и сопротивление базы диода. ВАХ кремниевого диода Шоттки 2Д219 при разных температурах. Импульсные диоды. Номенклатура составных частей дискретных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 20.06.2011 Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Методика расчёта дискретного биполярного транзистора с использованием пакета программ MathCad. Расчёт параметров биполярного транзистора с учётом эффектов высокого уровня легирования, инжекции и Кирка. Выбор топологии кристалла. Проверка базы на прокол.
учебное пособие, добавлен 29.10.2013Принцип действия полевого транзистора с управляющим р-n переходом. Выходные (стоковые), передаточные (стоко-затворные) и вольт-амперные характеристики полевых транзисторов. Графо-аналитический и аналитический методы определения основных параметров ПТ.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2021Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Рассмотрение модуляционно-легированных полевых транзисторов. Особенности биполярных транзисторов на гетеропереходах. Изучение резонансного туннельного эффекта. Анализ транзисторов на горячих электронах, с резонансным туннелированием и одноэлектронных.
реферат, добавлен 26.08.2015Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Физика работы транзистора. Параметры биполярного транзистора. Технология диффузионных процессов для легирования эмиттерной области. Метод тройной диффузии. Параметры диффузионных процессов. Эпитаксиальные процессы для формирования базовой области.
курсовая работа, добавлен 21.12.2012- 94. Туннельные диоды
Изготовление туннельного диода из германия или арсенида галлия с высокой концентрацией примеси. Электронно-дырочный переход в вырожденном полупроводнике. Диффузионное перемещение. Туннельный переход электронов с энергией меньшей потенциального барьера.
презентация, добавлен 23.09.2016 Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
статья, добавлен 29.05.2017Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Основные области применения и характеристики датчиков температуры. Изучение основных типов полупроводниковых датчиков температуры. Применение датчиков температуры на основе диодов и транзисторов. Пленочные полупроводниковые датчики температуры.
курсовая работа, добавлен 16.05.2016Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017Проведение исследования полупроводниковых приборов со встроенным и индуцированным каналом. Характеристика температурных свойств полевых транзисторов. Особенность большого входного сопротивления устройства на постоянном токе и высокой технологичности.
лекция, добавлен 23.09.2016