Проектирование топологии ИМС
Этапы разработки схемы топологии полупроводниковой ИМС. Конструктивно-технологические ограничения при разработке на биполярных транзисторах. Минимально допустимые размеры. Правила проектирования изолированных областей, учет их количества и размеров.
Подобные документы
Выбор метода разработки конструкции микросхемы и технологического маршрута ее производства. Определение размеров кристалла полупроводниковой схемы, количество контактных площадок платы. Принципы проектирования резисторов, расчет пленочного конденсатора.
курсовая работа, добавлен 25.05.2015Топологический расчет транзистора. Расчет геометрических размеров резисторов. Расчет геометрических размеров конденсаторов. Расчет топологии и технологический процесс полупроводникового кристалла. Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом.
курсовая работа, добавлен 23.03.2010Анализ решений научно-технической задачи повышения эффективности систем автоматизации проектирования топологии микроэлектронных устройств с учетом помехоустойчивости. Разработка алгоритмов проектирования с учетом помехоустойчивости топологии в канале.
статья, добавлен 14.09.2016Схема и материалы, используемые для разработки микросборки. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных резисторов, пленочных конденсаторов и проводников, контактных площадок интегральной микросхемы. Разработка топологии микросхемы.
курсовая работа, добавлен 28.03.2016Проектирование локальной вычислительной сети Ethernet: разделение пользователей на группы и групп по комнатам. Проектирование сети Ethernet шинной топологии на тонком коаксиальном кабеле, а также смешанной топологии на коаксиальном кабеле и витой паре.
курсовая работа, добавлен 24.04.2011Разработка собственной комплексной системы автоматизированного проектирования. Создание маршрута планирования больших интегральных схем на основе аналого-цифрового базового матричного кристалла. Характеристика построения топологии переменного слоя.
статья, добавлен 29.06.2017Понятие корпоративных сетей предприятия. Основные проблемы их проектирования. Задачи структурного проектирования, выбор топологии, системы передачи сигналов. Функционально-структурное проектирование КСП на основе построения математических моделей.
статья, добавлен 24.08.2020Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Основные этапы процесса проектирования. Расчет параметров низкочастотного микшера. Антенный усилитель диапазона ДМВ. Приемник прямого усиления. Ускорение включения транзисторных усилителей. Разработка конструктивного исполнения, сборка и настройка.
курсовая работа, добавлен 09.04.2015Основные технологические этапы построения схемы И-НЕ на n-МОП транзисторах. Характеристика схемы нагрузочного и активного транзистора. Этапы расчета емкости перекрытия каналов. Особенности расчета схемы при помощи программы P-Spice, параметры схемы.
контрольная работа, добавлен 27.05.2012Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах, особенности их построения. Вычисления коэффициентов усиления, входного и выходного сопротивления. Типовые схемные решения усилительного каскада с общими эмиттером и базой, их анализ.
учебное пособие, добавлен 09.04.2015Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Разработка конструкции узкополосного фильтра на ПАВ. Топологическая структура среднеполосного фильтра. Расчет параметров и топологии преобразователей. Определение габаритных размеров среднеполосного фильтра на ПАВ и расчет топологии акселерометра.
контрольная работа, добавлен 06.12.2013Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Расчет требуемых эквивалентных ресурсов волоконно-оптической системы передачи. Обоснование выбора топологии сети и типа емкости оптического кабеля. Определение видов и количества мультиплексоров, выбор их конфигурации. Разработка схемы организации связи.
курсовая работа, добавлен 23.01.2017Принципы проектирования компьютерных сетей. Выбор топологии сети и технологий. Разработка схемы адресации. Программное обеспечение Cisco IOS. Выбор коммутаторов, маршрутизаторов. Расчет стоимости активного оборудования. Настройка активного оборудования.
курсовая работа, добавлен 18.02.2019Исследование принципов работы усилительных каскадов на биполярных транзисторах. Определение их основных параметров. Расчет усилительного каскада на транзисторе по схеме с эмиттерной стабилизацией. Нахождение соотношения коллекторного и базового тока.
лабораторная работа, добавлен 15.06.2015Разработка и оптимизация микрополосковых устройств. Схемы замещения, содержащие сосредоточенные реактивные элементы. Исследование планарной топологии электрического элемента. Интерполяция сплайнами рабочих характеристик микрополосковых устройств.
статья, добавлен 02.04.2019Каскады на биполярных и полевых транзисторах. Рассмотрение параметров операционных усилителей. Основные преобразования аналоговых сигналов. Методы коррекции частотной характеристики операционных усилителей. Сложная схема "токового зеркала" Уилсона.
презентация, добавлен 18.04.2021Изучение свойств и принципов действия усилителей низкой частоты на биполярных транзисторах, а также методики проектирования и расчета генераторов колебаний прямоугольной формы с управляемой частотой следования импульсов. Обоснование структурной схемы.
контрольная работа, добавлен 06.02.2013Электронные усилители: общие характеристики и классификация. Статистические и динамические режимы усилительных каскадов. Схемы включения на биполярных и полевых транзисторах. Анализ влияния дестабилизирующих факторов на работу усилительных каскадов.
лекция, добавлен 13.10.2013Общие сведения о транзисторах. Характеристика принципа работы биполярных транзисторов, особенности схемы их включения и разновидности. Биполярные транзисторы с изолированным затвором. Влияние частоты на усилительные свойства биполярных транзисторов.
реферат, добавлен 12.11.2013Специфика разработки структурной и принципиальной схемы. Выбор навесных элементов и расчет конфигурации пленочных элементов, особенности разработки топологии. Характеристика этапов изготовления устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
курсовая работа, добавлен 01.12.2014Описание места проектирования и используемого стандарта сети сотовой связи. Расчет нагрузки на проектируемую сеть. Расчет необходимого количества оборудования проектируемой сети связи. Определение топологии сети и дальности связи стандарта GSM.
курсовая работа, добавлен 28.04.2022