Модифікація електрофізичних і фотоелектричних властивостей кристалів ZnSe І Cd1-хZnхTe для електронної техніки

Закономірності впливу на діелектричні властивості кристалів ZnSe легуючих домішок Cr і Te та системи двовимірних дефектів структури. Контроль придатності кристалів Cd1-xZnxTe для дозиметрії іонізуючих випромінювань як етап технології їх виготовлення.

Подобные документы

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.