Расчет полевого транзистора Шоттки на основе гидродинамической модели
Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
Подобные документы
Анализ принципиальной электрической схемы. Расчет и выбор элементов выходного выпрямителя и сглаживающего фильтра. Схема выходного выпрямителя с фильтром. Расчет и выбор элементов мостового преобразователя напряжения. Анализ параметров транзистора.
курсовая работа, добавлен 23.01.2017Анализ схемной реализации устройства. Статический и динамический расчеты транзисторного ключа. Функциональная схема управления ШИП. Расчет элементов формирующих линию переключения транзисторов. Изучение особенностей определения мощности транзистора.
курсовая работа, добавлен 22.11.2016Анализ физических принципов работы транзистора. Характеристики энергетической диаграммы для одномерной модели в состоянии равновесия. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет удельных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв.
дипломная работа, добавлен 24.12.2011Исследование КНИ МОП транзисторов в условиях экстремальных температур (до 300°C). Работоспособность элементов и фрагментов аналоговых КМОП-схем, изготовленных по субмикронной 0,5-мкм КНИ КМОП-технологии. Влияние температуры на параметры транзисторов.
дипломная работа, добавлен 01.08.2017Рассмотрение физических принципов термоэлектронной эмиссии. Вычисление максимальной плотности тока по формуле Ричардсона-Дешмана. Оценка влияния анодного напряжения, эффекта Шоттки и контактной разности потенциалов на вольт-амперную характеристику.
контрольная работа, добавлен 16.10.2014Комплексное исследование физических процессов схем усилителя для трех режимов транзистора. Составление уравнения Кирхгофа по напряжению и току для входной и выходной цепей. Рассмотрение трех режимов работы транзистора: отсечка, насыщение, активный.
контрольная работа, добавлен 23.03.2022Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Электроника как область науки, техники и производства, охватывающая исследование и разработку электронных приборов. Рассмотрение особенностей р-канального МДП транзистора, основное назначение. Характеристика преимуществ мощных полевых транзисторов.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Выходы портов в статическом режиме при низком уровне сигнала, их суммарный ток нагрузки. Обеспечения генерации тактовой частоты. Увеличение линий ввода-вывода микроконтроллера. Цифровая интегральная схема транзисторной логики с диодами Шоттки серии ТТЛ.
курсовая работа, добавлен 10.06.2014Внутреннее устройство и принцип действия биполярного транзистора, его функциональные особенности и сферы практического использования. Схемы включения и перспективы дальнейшего развития. Статические характеристики транзисторов с индуцированным каналом.
контрольная работа, добавлен 21.03.2016Загальна характеристика схеми для побудови вхідної характеристики біполярного транзистора. Розгляд способів визначення частотної залежності струму колектора. Знайомство зі способами побудови статичної прохідної характеристики біполярного транзистора.
лабораторная работа, добавлен 19.11.2015Выбор и расчет элементов, входящих в состав компенсационного стабилизатора. Принцип действия биполярного транзистора. Параметры маломощных стабилитронов. Расчет стабилизатора. Основные элементы сглаживающих фильтров. Выбор диодов и расчет выпрямителя.
курсовая работа, добавлен 10.12.2012Рассмотрение статических вольтамперных характеристик биполярного транзистора. Определение главных параметров подключения рассматриваемого полупроводникового устройства с общим эмиттером, предназначенного для увеличения мощности электрического тока.
лабораторная работа, добавлен 29.06.2014Анализ концепции "корпускулярно-полевого дуализма" физических характеристик микрочастицы. Исследование соответствия электрического векторного потенциала электрическому заряду микрочастицы, кратному кванту электрического потока - заряду электрона.
статья, добавлен 24.11.2018Анализ параметров идеализированного кремниевого диода, определение его дифференциального сопротивления, построение графика силы тока и прямого напряжения. Принципиальная схема усилителя транзистора с резисторной нагрузкой, расчет его входной мощности.
контрольная работа, добавлен 27.02.2015- 66. Исследование гидродинамической устойчивости расплава при выращивании кристаллов методом Чохральского
Особенности выращивания монокристаллов методом Чохральского. Причины возникновения радиального поля скоростей в расплаве. Проведение исследования гидродинамической неустойчивости расплава. Методы исследования устойчивости движения несжимаемой жидкости.
контрольная работа, добавлен 27.09.2012 Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
контрольная работа, добавлен 15.01.2012Использование простейших локальных моделей для анализа цепи с биполярными транзисторами. Линейные модели для основных режимов работы биполярного транзистора. Определение напряжения между коллектором и эмиттером, напряжения коллекторного перехода.
лекция, добавлен 03.03.2017Использование квадратичной модели прибора для анализа цепи с МОП-транзисторами. Возникновение режима насыщения МОП-транзистора с индуцированным каналом, его характеристика. Сопротивление резистора в цепи стока. Сопротивление эквивалентного резистора.
лекция, добавлен 03.03.2017Расчет частичных емкостей параметров высоковольтной линии. Определение заряда, приходящегося на 1 км длины каждого провода. Построение графика изменения потенциала и напряженности поля вдоль оси АВ. Расчет плотности поверхностных зарядов в точке А.
контрольная работа, добавлен 29.05.2017Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Создание и сбор регулируемого AC-DC преобразователя напряжения на основе биполярного транзистора. Регулирование выходного напряжения преобразователя. Поступление напряжения с R2 на вход базы транзистора VT1, включенного по схеме эмиттерного повторителя.
лабораторная работа, добавлен 06.06.2023Техническое описание полевого одноканального сцинтилляционного гамма-спектрометра. Настройка и градуировка прибора. Выбор рабочих каналов дискриминатора для определения концентраций радиоактивных элементов. Особенности настройки спектрометра для работы.
лабораторная работа, добавлен 06.05.2015Характеристики диффузионных пламён, образованных при горении коаксиальных струй. Расчет фронта пламени из модели Бурке-Шуманна. Расчет распределения температур и электрических потенциалов и концентраций свободных зарядов в различных областях пламени.
статья, добавлен 04.12.2018Ознакомление с классификацией усилителей. Анализ технических характеристик и электрических параметров исследуемого транзистора. Изучение структурной схемы каскада с общим эмиттером. Определение напряжение питания усилителя (по второму закону Киргофа).
контрольная работа, добавлен 07.01.2015