Биополярный транзистор
Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Устройство и принцип работы транзисторов. Режимы работы и параметры биполярного транзистора. Основные элементы цепи простейшего усилителя.
Подобные документы
Расчет выходного усилительного каскада передатчика, коллекторной цепи транзистора, входной цепи. Амплитуда тока базы. Элементы эквивалентной схемы. Резистивная и реактивная составляющая входного сопротивления транзистора. Усиление транзистора по мощности.
курсовая работа, добавлен 16.12.2012Расчет параметров усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе. Выбор биполярного транзистора и положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы и определение параметров усилительного каскада на биполярном и полевом транзисторах.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.
лабораторная работа, добавлен 27.12.2014Общие сведения о биполярных транзисторах как электропреобразовательных приборах, их классификация по мощности и частоте. Устройство, принцип действия и схемы включения транзисторов. Статические характеристики и схемы замещения биполярных транзисторов.
лекция, добавлен 26.09.2017Основные механизмы отказа биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) при коротком замыкании нагрузки и выключении индуктивной нагрузки. Существующие методы тестирования IGBT приборов и базисные требования к неразрушающему методу контроля.
статья, добавлен 28.07.2013Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Ознакомление с методами разработки электронных устройств. Расчет статических и динамических режимов работы низкочастотного усилителя на биполярном транзисторе. Определение коэффициентов усиления передаваемого сигнала по напряжению, току и мощности.
реферат, добавлен 24.12.2013Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Расчет рабочей точки усилителя. Расчет схем термостабилизации транзистора. Расчёт параметров схемы Джиаколетто и эмиттерной коррекции. Промежуточный каскад. Искажения, вносимые входной цепью. Расчет входной корректирующей цепи и коэффициента усиления.
курсовая работа, добавлен 15.06.2014Алгоритм нахождения параметров нагрузки и расчета количества каскадов усилителя. Выбор рабочей точки транзистора. Расчет значения коэффициента усиления. Моделирование усилителя на ЭВМ с помощью пакета схемотехнического моделирования Micro-Cap 3.
курсовая работа, добавлен 11.12.2013Основные статические параметры транзистора. Показатели динамического режима транзисторного усилителя. Принципиальная схема усилительного каскада. Расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Определение параметров схемы мультивибратора.
контрольная работа, добавлен 03.06.2018Схема полосового усилителя. Сопротивление контура на резонансе. Полоса пропускания усилителя, коэффициент усиления. Схема двухкаскадного усилителя. Применение высокочастотного биполярного транзистора MMBR931. Расчет токов, сопротивления, токопотребления.
курсовая работа, добавлен 07.12.2015Расчет коэффициента усиления усилителя с разомкнутой цепью обратной связи ОС. Выбор режима усиления и его обоснование. Определение мощности, рассеиваемой коллектором. Режим покоя транзистора и оценка его работоспособности. Расчет КПД данного усилителя.
контрольная работа, добавлен 04.01.2011- 114. Основы электроники
Разработка и характеристика электрических схем аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов. Исследование принципов работы гибридных интегральных микросхем. Ознакомление с особенностями структурной схемы двухкаскадного усилителя.
курсовая работа, добавлен 06.02.2017 Особенность изготовления дискретного биполярного транзистора. Усиление или генерация колебаний портативными радиоприемниками. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Проведение исследования правил пользования пробником индикатором.
курсовая работа, добавлен 18.04.2016Расчёт интегрирующего операционного усилителя с выходным усилительным каскадом на транзисторах. Определение мощности, которая выделяется на нагрузке, тока и величины напряжения питания. Выбор транзисторов. Коэффициент усиления инвертирующего усилителя.
курсовая работа, добавлен 19.04.2011Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.
лекция, добавлен 04.10.2013- 118. Электронная техника
Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017 Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.
методичка, добавлен 30.10.2015- 120. Полевые транзисторы
Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017 Исследование отличительных особенностей выходных каскадов транзисторов. Анализ работы предварительного каскада в области средних частот. Расчет коэффициентов усиления базового тока композитного транзистора. Изучение схемы двухтактного выходного каскада.
лекция, добавлен 04.10.2013Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.
контрольная работа, добавлен 14.02.2015Определение числа каскадов усиления и составление структурной схемы усилителя низкой частоты. Схема оконечного каскада усиления на комплементарных парах транзисторов. Постоянный ток базы в рабочей точке. Сопротивление нагрузки RК в цепи коллектора.
курсовая работа, добавлен 16.02.2015- 125. Полевые транзисторы
Устройство и принцип действия полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом, с изолированным затвором, с индуцированным каналом n-типа. Простейший усилительный каскад на полевых транзисторах, расчет электрических цепей с использованием транзисторов.
реферат, добавлен 21.06.2014