Технология микроэлектронной промышленности
История развития и оценка современных достижений электронной промышленности. Первые полупроводниковые материалы и сферы их использования. Кремниевые полупроводниковые приборы, их описание и преимущества, методы сборки и герметизации и металлизация.
Подобные документы
Понятие полупроводниковых индикаторов, основные принципы работы, классификация и характеристика. Физические эффекты, пригодные для использования в индикаторной технике. Органические и полимерные дисплеи. Сущность жидкокристаллических индикаторов.
лекция, добавлен 17.08.2014Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Как получают наноматериалы и их свойства. Теоретические основы технологий различного масштабно-временного уровня. Зависимость прочности от плотности атомарных дефектов в материале. Наноэлектроника следующих поколений. Динамика развития микроэлектроники.
реферат, добавлен 04.05.2015Определение и классификация лазеров по безопасности. Твердые лазеры на люминесцентных средах. Газовые и полупроводниковые лазеры. История лазерных проекционных телевизоров. Принцип действия лазерных кинескопов. Лазерный проектор и его применение.
реферат, добавлен 25.01.2010Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012Функциональный электронный блок с внутренним монтажом кристаллов. Применение технологии низкотемпературной совместно обжигаемой керамики LTCC. Материалы для производства LTCC изделий. Система смешанной металлизации. Преимущества металлических паст Ferro.
статья, добавлен 04.12.2018Характеристика реализации масс-спектрометрического контроля надёжности отбраковки продукции микроэлектронной промышленности. Основные факторы, влияющие на надёжность работы интегральных схем и резонаторов. Особенности качества исходных материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Особенности лазерного излучения. Газовые и полупроводниковые лазеры. Принцип работы МО накопителя. Область применения и перспективы развития. Применение лазеров в военной технике: принципы наземной локации, голографических индикаторов на лобовом стекле.
реферат, добавлен 29.08.2015Технологии вакуумной герметизации микроэлектромеханической системы. Соединение деталей эвтектической пайкой. Маршруты проведения диффузионной сварки, анодного сращивания, монтажа датчика давления. Расчет себестоимости и цены кристалла тензоэлемента.
дипломная работа, добавлен 03.06.2016Обзор основных видов производства оптических волокон. Описание оптических волокон, их характеристика, области применений, а также материалы и технологии их изготовления. Подвесной, бронированный, оптический кабель: преимущества и недостатки использования.
статья, добавлен 15.02.2019История, первые версии Ethernet v1.0 и Ethernet v2.0. Формат Ethernet-кадра. Краткое описание всех официально существующих разновидностей Ethernet. Ранние модификации Ethernet. Быстрый Ethernet (100 Мбит/с) (Fast Ethernet). Технология 10 Гигабит Ethernet.
курсовая работа, добавлен 11.07.2012Общее представление о науке электронике. Типология электропроводности и вольтамперные характеристики движения тока. Определение электрической проводимости и свойств диодов. Основные параметры варикапа. Полупроводниковые фотоэлементы и светодиоды.
презентация, добавлен 25.12.2013Характеристика электрических параметров, эксплуатационных данных и конструктивных особенностей тиристоров. Анализ инверторного режима в трехфазном мостовом тиристорном преобразователе. Временная диаграмма напряжений и токов тиристорного преобразователя.
контрольная работа, добавлен 27.03.2016Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.
реферат, добавлен 24.05.2015Вольтамперная характеристика диода, его выпрямительные свойства, характеризуемые отношением обратного сопротивления к прямому. Основные параметры стабилитрона. Отличительная особенность туннельного диода. Использование светодиода в качестве индикатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Классификационные признаки и назначение полупроводниковых выпрямителей. Исследование однофазных одно- и двухполупериодных схем выпрямления и сглаживающих LC-фильтров. Построение вольтамперных характеристик неуправляемого и управляемого выпрямителей.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Развитие российской радиоэлектронной промышленности. Исследования современного состояния радиоэлектроники. Выбор объектов исследования в качестве репрезентативного представителя радиоэлектронной промышленности. Импортозамещение в радиоэлектронике.
статья, добавлен 16.09.2024Варисторы – полупроводниковые резисторы, сопротивление которых зависит от приложенного к ним напряжения. Терморезисторы и их применение в цепях температурной стабилизации режима работы усилителей в различных устройствах измерения, контроля и автоматики.
презентация, добавлен 23.09.2016Биполярные и униполярные (полевые) транзисторы - базовые элементы большинства полупроводниковых интегральных схем. Изучение основных технологические процессов для формирования полупроводниковых структур. Локальное изменение типа проводимости кремния.
презентация, добавлен 01.03.2023Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Создание современной электронной базы, позволяющей производить серийную радиоэлектронную продукцию, укрепление научного потенциала предприятий за счет проведения технического переоснащения производств. Управление развитием высокотехнологичных компаний.
статья, добавлен 18.09.2018