Самоузгоджені електрон-деформаційно-дифузійні ефекти в широкозонних напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами
Поняття електрон-деформаційно-дифузійної нелінійної моделі, формування n-n+переходів у напівпровідниках та гетеросистемах із самоорганізованими точковими дефектами. Розподіл точкових дефектів і деформації кристалічної ґратки в напружених гетероструктурах.
Подобные документы
- 26. Просторовий розподіл та місце локалізації в гратці радіаційних дефектів та домішок інертних газів
Типи радіаційних дефектів і їх просторовий розподіл. Захоплення і утримання дейтерію в сталі при підвищених температурах опромінення. Місце локалізації в гратці монокристала нікелю атомів ксенону і криптону, їх взаємодія з радіаційними дефектами.
автореферат, добавлен 27.07.2015 Характеристика процесів електрон-іонних зіткнень для багатозарядних іонів у зовнішньому електричному полі будь-якої сили, використання непертурбативного метода розрахунку сил Ne-подібних іонів. Релятивістський опис розподілу електронів континуума.
автореферат, добавлен 24.07.2014Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013- 31. Процеси переносу та захоплення носіїв заряду в гетеросистемах аморфна плівка – кристалічний кремній
Механізми переносу носіїв заряду в гетероструктурах a-Si:H(Er)/n-Si, SiO2(Ge)/n-Si та a-SiC/p-Si при різних температурах і робочих напругах. Модель збудження електролюмінесценції в світловипромінюючій гетероструктурі. Результати введення ербію в плівку.
автореферат, добавлен 29.08.2014 Проблема стійкості дисперсної фази в процесі оствальдівського дозрівання. Закономірності дисперсних фаз в металевих сплавах та наноструктур в напівпровідникових гетеросистемах в процесі одночасної дії двох механізмів масопереносу, обумовлених дифузіями.
автореферат, добавлен 28.09.2014Запропоновано новий фізичний підхід оптимізації технології одержання напівпровідникових широкозонних шарів для плівкових фотоелектрично активних гетеросистем. Показано, що процес осадження шарів ZnO:Al не повинен викликати міжфазну та дифузійну взаємодію.
автореферат, добавлен 06.07.2014Побудова гамільтоніан електрона, рух якого обмежений потенціалом квантової точки або кільця. Розрахунки впливу спін-орбітальної і електрон-електронної взаємодії на магнітні властивості квантових точок. Визначення температурних залежностей намагніченості.
автореферат, добавлен 25.07.2015Особливості відкриття електрону, його поняття та сутність. Визначення заряду електрона, розкладання хімічних сполук під дією електричного струму. Характеристика досліджень Томсона на відхилення катодного проміння в магнітному або електричному полі.
реферат, добавлен 12.06.2015Вимірювання різниці енергії між парами деяких ліній електронів внутрішньої конверсії з розпаду 183Re, 184m, gRe, 177m, gLu. Визначення з високою точністю енергії переходів у 184Re та 184W. Аналіз на сумісність даних по енергіях переходів у 177Lu та 177Hf.
статья, добавлен 24.09.2013Теорія електронних і фононних температурних хвиль у напівпровідниках скінченої довжини, які виникають у результаті об’ємного поглинання модульованого світла. Процеси нестаціонарних термодифузійних потоків у субмікронних напівпровідникових плівках.
автореферат, добавлен 30.07.2014Вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC. Розщеплення низькочастотної та високочастотної областей прозорості.
автореферат, добавлен 23.02.2014Методи визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках, їх природа. Електропровідність металів. Надпровідність, магнітні властивості надпровідників. Суть явища ефекту Холла, його використання в вимірювальних пристроїв і схем автоматики.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Феноменологічна динамічна модель залежностей повної інтегральної інтенсивності дифрагованого випромінення у вигнутих кристалах з дефектами від пружного циліндричного вигину та характеристик дефектів для граничного випадку кристала в геометрії за Лауе.
автореферат, добавлен 28.08.2015Закономірності оствальдівського дозрівання (коалесценції) дисперсних фаз у металевих сплавах і наноструктур в гетеросистемах з квантовими точками, в умовах дислокаційної дифузії. Вплив можливого порушення когерентності на характер розподілу за розмірами.
автореферат, добавлен 06.07.2014Аналіз впливу спінових та поляризаційних ефектів на потужність синхротронного випромінювання рентгенівського пульсару. Зміст процесу народження електрон-позитронної пари електроном в магнітному полі поблизу порогу процесу з урахуванням спінів частинок.
автореферат, добавлен 20.07.2015Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Розвиток теорії повздовжніх флуктуацій струму в анізотропних напівпровідниках і встановленні на її основі головних закономірностей сумісної дії гріючого носії електричного та класично сильного магнітного полів і температури на спектральну щільність шумів.
автореферат, добавлен 06.07.2014З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Динаміка заселеності енергетичних рівнів у напівпровідниках під дією електромагнітного випромінювання, вплив часу життя рівнів і механізму релаксації. Розрахунок модуляційних спектрів оптичного поглинання для інтерпретації спектрів п'єзофотопровідності.
автореферат, добавлен 04.03.2014- 47. Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Аналітичний та чисельний аналіз ефективної маси електронів провідності в зовнішньому магнітному полі. Отримання рівняння для спектру спінових збуджень кристалічної та структурно невпорядкованої моделей в рамках двочасових температурних функцій Гріна.
автореферат, добавлен 29.10.2015Аналіз стану розвитку динамічної теорії розсіяння рентгенівських променів у реальних недосконалих монокристалах. Дифракційні ефекти в тороїдально вигнутих кристалах з мікродефектами при наявності сильної деформації. Розподіли дифузного розсіяння променів.
автореферат, добавлен 14.07.2015Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
автореферат, добавлен 24.06.2014