Фізико-технологічні засади мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників
Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
Подобные документы
Розробка технології створення нанорозмірних плівок електропровідних полімерів та встановлення впливу технологічних умов термовакуумного напилення на їх структурні та електрофізичні властивості. Створення швидкодіючих електрооптичних модуляторів.
автореферат, добавлен 26.07.2014Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Вивчення впливу низькотемпературного відпалу на спектри ядерного квадрупольного резонансу і характеристики гетерофотодіодів на основі моноселенідів індію та галію. Встановлення оптимального режиму термообробки вихідних матеріалів та їх гетероструктур.
автореферат, добавлен 20.07.2015Створення структур типу "кремній на ізоляторі" зі заданими властивостями шару полікремнію та розробка на їх основі мікроелектронних сенсорів для застосування в широкому інтервалі температур, включаючи кріогенні. Дослідження їх характеристик та параметрів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Розробка нових мікроелектронних волоконно-оптичних сенсорів рівня водневого покажчика середовища та концентрації аміаку, які працюють на ефекті розсіювання світла контролю параметрів довкілля з використанням поліанілінової плівки як чутливого елемента.
автореферат, добавлен 14.09.2014Аналіз існуючих вимог до мікроелектронних частотних датчиків на шляху поліпшення їх технічних характеристик. Розробка і дослідження автогенераторних вимірювальних частотних перетворювачів для мікроелектронних частотних датчиків технологічного обладнання.
автореферат, добавлен 15.07.2014Дослідження та розробка електронних схем для ємнісних сенсорів теплового розширення твердих тіл. Вплив зовнішніх факторів на стабільність тонкоплівкових мідних сенсорів температури. Методика виготовлення плівкового мідного термоперетворювача опору.
автореферат, добавлен 25.02.2015Закономірності впливу зовнішніх дестабілізуючих чинників на п’єзорезистивні властивості НК Si р-типу як матеріалу, придатного для розроблення сенсорів механічних величин. Зміна енергії активації домішкової провідності під дією одновісної деформації.
автореферат, добавлен 29.09.2014Огляд систем і матеріалів для створення хімічних сенсорів. Вивчення принципів їх роботи, типів й конструкції. Описання нових сенсорів на основі точкових мікроконтактів. Вибір ацетонітрилу як розчинника для утворення чутливого шару сенсорного елемента.
курсовая работа, добавлен 28.12.2015Розробка технологічних термообробок кристалічних сполук АIIВVI для керованої зміни їх оптичних і електрофізичних властивостей з метою застосувань в оптоелектроніці. Оптимальні режими отримання структурно досконалих однорідних плівок ZnO оптичної якості.
автореферат, добавлен 06.07.2014Характеристика електрофізичних властивостей структур кремній-на-ізоляторі та мікрокристалів кремнію у широкому інтервалі температур на постійному та змінному струмах. Аналіз передумов розроблення фізичних основ створення мікроелектронних сенсорів.
автореферат, добавлен 21.03.2016Підтвердження високої довгострокової стабільності параметрів платинових сенсорів. Доцільність індивідуального калібрування сенсорів на міжповірочний інтервал часу. Формули оцінки необхідної точності визначення індивідуальних значень параметрів сенсорів.
статья, добавлен 28.09.2016Оцінка дефектності та прогнозування виходу придатних мікроелектронних пристроїв. Аналіз напівпровідникової структури. Методика забезпечення технологічності мікроелектронних пристроїв та засобів контролю дефектності структур і стабільності їх елементів.
автореферат, добавлен 10.01.2014Розробка схемотехнічних моделей багатоканальних гетероструктур, оптимізація фізико-топологічних параметрів транзисторів. Механізм підвищення дрейфової швидкості носіїв заряду у гетеротранзисторі з квантовими точками з урахуванням розмірного квантування.
автореферат, добавлен 29.07.2015Аналіз можливості використання композитних органічних і неорганічних барвників із люмінесцентним відгуком для створення реєструвальних середовищ. Внесення комплексних змін до структури інформаційних шарів оптичного диска та пристрою зчитування інформації.
статья, добавлен 29.01.2019Исследование электрофизических и приборных характеристик одинарных и двойных гетероструктур. Разработка основных этапов технологии создания мощного полевого транзистора. Электрофизические параметры и стабильность приборных характеристик транзистора.
автореферат, добавлен 31.07.2018- 17. Методи та засоби теплового проектування мікроелектронних пристроїв з кристалами на жорстких виводах
Сучасні тенденції розвитку електронних систем. Врахування теплових факторів у процесі проектування мікроелектронних пристроїв. Аналіз температурних полів елементів з кристалами на жорстких виводах. Дослідження процесів теплообміну в режимі функціонування.
автореферат, добавлен 24.06.2014 Розробка способів отримання надтонких плівок та їх стабілізації в невакуумних умовах. Вимірювання параметрів засобами сканувальної тунельної та атомно-силової мікроскопії. Виготовлення нанозазорів для створення планарних комірок в органічних плівках.
автореферат, добавлен 14.07.2015Особливості розвитку сучасної діагностичної апаратури біомедичного призначення. Етапи розробки контролерів температурного режиму. Розгляд нових підходів електротеплового моделювання вимірювальних кіл первинних перетворювачів теплових сенсорів потоку.
автореферат, добавлен 27.07.2015Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Математична модель rail-to-rail операційного підсилювача. Аналіз стабільності таких операційних підсилювачів в схемах ємнісних драйверів. Розробка та дослідження низки вузлів сигнальних перетворювачів мікроелектронних сенсорних пристроїв ємнісного типу.
автореферат, добавлен 25.07.2015Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Розробка нових інтегральних мікроелектронних багатосенсорних кремнієвих структур з діелектричною ізоляцією (КСДІ). Створення вимірювальних перетворювачів неелектричних величин з широкими функціональними можливостями. Контроль товщини тонких плівок.
автореферат, добавлен 29.08.2014- 25. Формування і дослідження термостійких омічних та бар'єрних контактів до НВЧ приладів на основі GAAS
Розробка оптимізованої технології і дослідження термостійких бар'єрних, омічних контактів для НВЧ приладів. Фазові, морфологічні перетворення при напиленні Ti на реальну поверхню GaAs, що визначають електрофізичні властивості контактів, їх термостійкість.
автореферат, добавлен 10.08.2014