Фотоприймачі ІЧ випромінювання на основі твердих розчинів HgMnTe, HgCdMnTe та HgCdZnTe
Фізичні основи технології створення низькорозмірних і об'ємних напівпровідникових структур та їх електричні, фотоелектронні та оптичні властивості. Розрахунок параметрів енергетичного спектра напівпровідникових чотирикомпонентних твердих розчинів.
Подобные документы
Технологічні основи одержання керамічних галогеновмісних високотемпературних надпровідників і гібридних контактних структур типу "ВТНП-киснево-вмісний напівпровідник". Комплексні дослідження фізичних властивостей, розробка гібридних контактних структур.
автореферат, добавлен 15.11.2013Електронна польова емісія у вакуумі з кремнієвих і вуглецевих нанокомпозитних напівпровідникових структур на Si і GaAs. Локальна передпробійна формовка напівпровідникових і діелектричних плівок електричним полем. Покращення емісійних параметрів катодів.
автореферат, добавлен 14.09.2015Структура кристалів твердих сполук на основі сульфіду цинку з різноманітними активаторами. Енергетичний спектр фоточутливих парамагнітних центрів у забороненій зоні твердих сполук. Механізм рекомбінації носіїв заряду, що належить видимій області спектра.
автореферат, добавлен 27.02.2014Дослідження впливу розмірних ефектів і домішок, електрофізичних властивостей та технологічних умов отримання і обробки зразків на оптичні та електричні характеристики і структуру низькорозмірних систем розроблених на базі дийодиду свинцю і сполук цинку.
автореферат, добавлен 29.09.2014Вивчення перетворень і умов стабілізації твердих розчинів (Cu, Со) і (Au, Со) з елементами гранульованого стану у спін-клапанній структурі. Аналіз кореляції між її структурно-фазовим станом і оптичними характеристиками, отриманими методом еліпсометрії.
автореферат, добавлен 26.09.2015Теорія фононного та поляронного станів в анізотропних напівпровідникових квантових ямах. Залежність середньої кількості віртуальних фононів полярона від хвильового вектора. Аналіз енергетичного спектра в гетероструктурах із плоскою квантовою ямою.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Роль 5f – 3d гібридизації при формуванні магнітних властивостей твердих розчинів UCoAl. Два типи магнітного поводження розчинів UCoAl: поступове пригнічення метамагнетизму і співіснування в деякому інтервалі феромагнітної і метамагнітної компонент.
автореферат, добавлен 22.06.2014Закономірності впливу енергетичного електронного опромінення на оптичні характеристики напівпровідникових нанокристалів CdS1–xSex, вкраплених у боросилікатну скляну матрицю, порівняння з радіаційними дефектами у склоподібних матеріалах класу силікатів.
автореферат, добавлен 24.06.2014Визначення топології енергетичного спектра шаруватих напівпровідників гексагональної симетрії. Пошук актуальних позицій Викофа. Аналіз термодинамічної стабільності системи залежно від концентрації інтеркалянта. Основи розподілу електронної густини.
автореферат, добавлен 20.07.2015Вплив модифікації монокристалів Li6Gd(BO3)3:Ce натрієм і магнієм на процеси дефектоутворення під впливом іонізуючого випромінювання. Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах твердих розчинів Li6Gd1-xEux(BO3)3, Li6Y1-xEux(BO3)3.
автореферат, добавлен 23.08.2014Електричні властивості монокристалів, які використовуються для виготовлення інфрачервоних детекторів, інтерпретуються в рамках моделі вузькозонного напівпровідника, а оптичні властивості по теорії Кейна із сильно непараболічними енергетичними зонами.
автореферат, добавлен 24.02.2014Виготовлення полікристалів твердих розчинів вісмут-сурма в інтервалі складів 0 – 20 ат. Дослідження магнітопольових залежностей гальваномагнітних властивостей та встановлення межі слабкого магнітного поля в залежності від складу та температури.
автореферат, добавлен 25.08.2015Дослідження опису генерації оптичного випромінювання у напівпровідникових лазерах на гетероструктурах із масивними і квантоворозмірними активними шарами, взаємодії оптичного випромінювання з матеріалом активних елементів волоконно-оптичних систем.
автореферат, добавлен 22.04.2014- 65. Фотоелектричні властивості багатошарових напівпровідникових SiGe гетероструктур з наноострівцями
Розрахунок зонної діаграми гетеропереходу SiGe-острівець/Si-оточення, використовуючи данні про компонентний склад та деформації SiGe наноострівців, отримані з аналізу спектрів. Взаємодія оптичного випромінювання з багатошаровими гетероструктурами з SiGe.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Квантові кристали, які утворюються внаслідок фазового розшарування твердих розчинів. Кінетичні та релаксаційні процеси у рідинах при наднизьких температурах. Плавлення та кристалізація включень концентрованої фази. Систематичні експериментальні дані.
автореферат, добавлен 31.01.2014Вимірювання в області наднизьких температур часів спін–граткової і спін–спінової релаксації у двофазних кристалах твердих розчинів 3Не-4Не, які складаються з включень 3Не у матриці кристалічного 4Не. Механізми, які зумовлюють ядерну магнітну релаксацію.
автореферат, добавлен 24.06.2014Енергетичні стани квантових систем. Оптичні елементи квантових приладів. Методи утворення від`ємних температур. Активні середовища квантових приладів. Фізичні явища, що використовуються для прийому лазерного випромінювання. Основи нелінійної оптики.
методичка, добавлен 18.04.2014Вплив виду, концентрації легуючої домішки на фазовий склад і параметри кристалічної структури, оптичні й електричні властивості плівок оксиду цинку. Оптимізація технологічних параметрів різних видів магнетронного розпилення для одержання легованих плівок.
автореферат, добавлен 30.07.2014- 71. Діагностика напівпровідникових перетворювачів із застосуванням вейвлет-функцій m-ічного аргументу
Аналіз напівпровідникових перетворювачів як об'єктів діагностування, розгляд методів обробки діагностичних даних. Розробка підходів до діагностування напівпровідникових перетворювачів на основі вейвлет-спектрів часових залежностей їх струмів та напруг.
автореферат, добавлен 24.07.2014 Оптичні властивості тонких плівок і керамік на основі оксидів вольфраму і вісмуту, особливості їх люмінесценції при різних видах збудження. Встановлення механізму випромінювання та дослідження характеристик центрів захоплення термоактиваційними методами.
автореферат, добавлен 25.06.2014- 73. Вплив модового складу на робочі характеристики напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором
Теоретичний опис впливу модового складу випромінювання напівпровідникових лазерів з вертикальним резонатором, оксидним вікном і квантоворозмірним активним шаром. Модифікація дифузійно-динамічної моделі за рахунок введення аналізу в термінах концентрацій.
автореферат, добавлен 27.07.2014 Встановлення закономірностей впливу розмірних ефектів на магнітні та термоелектричні властивості надграток EuS-PbS. Можливість існування в напівпровідникових НГ EuS-PbS міжшарової обмінної взаємодії феромагнітних шарів через немагнітні прошарки.
автореферат, добавлен 28.07.2014Характеристика розведених розчинів деформівних і недеформівних ланцюгових макромолекул у найпростіших течіях розчинів. Опис та специфіка структури ланцюгових макромолекул полімерів і знаходження їх параметрів в експериментах віскозиметричними методами.
автореферат, добавлен 27.07.2015