Совершенствование технологии мощных транзисторов на широкозонных полупроводниках
Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
Подобные документы
Прием, обработка и хранение информации с помощью электрических зарядов. Изобретение триода. Развитие фотолитографии и диффузионной технологии изготовления транзисторов. Развитие электроники. Появление электронных арифмометров и вычислительных машин.
лекция, добавлен 13.09.2017Входное сопротивление транзистора. Небольшие нелинейные искажения, их искажение. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада. Зависимость параметров биполярного транзистора от частоты. Влияние температуры.
презентация, добавлен 23.09.2016Определение числа каскадов усиления и составление структурной схемы усилителя низкой частоты. Схема оконечного каскада усиления на комплементарных парах транзисторов. Постоянный ток базы в рабочей точке. Сопротивление нагрузки RК в цепи коллектора.
курсовая работа, добавлен 16.02.2015Требования к тонкопленочным резисторам и конденсаторам, особенности и исходные данные для их расчета. Подбор навесных компонентов. Расчет площади подложки. Выбор материала диэлектрика. Бескорпусные аналоги транзисторов. Принципиальная электрическая схема.
контрольная работа, добавлен 19.09.2015Характеристика транзистора как электронного прибора. Примеры транзисторных схем. Использование эмиттерных повторителей в качестве стабилизаторов напряжения, смещение в эмиттерном повторителе. Схема расщепления фазы с единичным коэффициентом усиления.
лекция, добавлен 09.12.2013Выбор выходных транзисторов. Расчет системы охлаждения, определение связи температуры, мощности потерь и тепловых сопротивлений. Выбор драйвера, расчет обвязочных элементов драйвера. Выбор микроконтроллера, расчет себестоимости изделия и его особенности.
курсовая работа, добавлен 13.01.2017Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 25.03.2015Разработка и расчет структурной схемы передатчика с усилителем мощности. Расчет параметром транзисторов, выбор вспомогательных элементов выходного усилителя мощности (ВУМ). Пересчет основных энергетических показателей ВУМ, расчет цепи согласования.
курсовая работа, добавлен 14.05.2015Схемные решения мощных высоковольтных генераторов с полупроводниковыми коммутаторами в виде IGBT-транзисторов и SOS-диодов. использование в разрядном контуре генератора с SOS-диодами высоковольтной и низковольтной цепи импульсного трансформатора.
статья, добавлен 29.07.2016Расчёт полосы пропускания приёмника, промежуточной частоты, параметров транзисторов. Коэффициент усиления высокочастотной части приёмника. Изучение основных достоинств и недостатков супергетеродинного приёмника. Обеспечение минимума коэффициента шума.
курсовая работа, добавлен 13.04.2014Особенности проектирования усилителей с высокой верхней граничной частотой. Расчет числа каскадов усиления, выбор типов интегральных микросхем, транзисторов. Построение амплитудно-частотных характеристик промежуточного каскада, выполненного на ИС К265УВ6.
курсовая работа, добавлен 10.11.2016Выбор усилителя низких частот для реализации на трёхкаскадной структуре. Расчёт оконечного каскада на паре комплементарных транзисторов. Расчет частотных искажений в области верхних и нижних частот. Определение входного каскада и межкаскадных связей.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.
курс лекций, добавлен 15.10.2010Выбор типа приемника и его обоснование. Расчет полосы пропускания, промежуточной частоты, параметров транзисторов, реальной чувствительности, коэффициента усиления высокочастотной части и полосы отдельных каскадов, а также проверка их устойчивости.
контрольная работа, добавлен 09.04.2014Выбор транзисторов оконечного каскада усиления. Расчет величин сопротивлений уравнительных резисторов и термостабилизирующих резисторов выходного и промежуточного каскада; площади теплоотвода. Определение площади радиатора в виде плоской пластины.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Применение двухтактных транзисторных каскадов в усилителях мощности. Использование двухтактным каскадом экономичного режима без заметных нелинейных искажений. Сопряжение проходных характеристик транзисторов в двухтактном усилителе с исходным смещением.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Выбор типа проводимости транзисторов. Синтез конфигурации схемы питания усилительных каскадов постоянными напряжениями и токами. Расчет элементов на постоянном токе. Мероприятия по снижению влияния дестабилизирующих факторов. Коэффициент усиления тракта.
курсовая работа, добавлен 04.04.2023Рассмотрение принципа действия и схемотехники усилителя низкой частоты. Ознакомление с его техническими характеристиками. Исследование особенностей транзисторов выходного каскада. Изучение работы регулятора усиления в усилителях звуковой частоты.
статья, добавлен 19.02.2019Проектирование предварительного усилителя на ИМС. Расчет напряжений питания, потребляемой мощности, КПД, мощности на коллекторах транзисторов, расчет площади теплоотводов. Выбор операционного усилителя, расчет элементов цепи ООС, выходных напряжений.
методичка, добавлен 04.04.2013Осуществление выбора типов интегральных схем и транзисторов. Определение потерь площади усиления при эммитерной коррекции по сравнению с простой коррекцией. Определение соответствия параметров спроектированного усилителя требованиям технического задания.
курсовая работа, добавлен 02.01.2021Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Устройство и принцип работы транзисторов. Режимы работы и параметры биполярного транзистора. Основные элементы цепи простейшего усилителя.
реферат, добавлен 04.05.2014Разработка электрической принципиальной схемы усилителя. Расчет максимального напряжения в нагрузке. Определение мощности, рассеиваемой на резисторе. Вычисление максимального тока базы транзисторов выходного каскада. Калькуляция емкости конденсатора.
курсовая работа, добавлен 23.06.2015- 100. Полевые транзисторы
Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013