Источники излучения. Лазеры
Физические основы работы твердотельных, газовых, жидкостных и полупроводниковых лазеров. Типы лазеров, примененных в оптоэлектронных приборах. Структура, параметры, достоинства и деградация полупроводниковых лазеров. Оптический передающий модуль.
Подобные документы
Моделирования энергомощностных и температурных характеристик для диодных биполярной структуры и структуры с барьером Шоттки на основе кремния при воздействии последовательности импульсов СВЧ электромагнитного излучения. Роль тепловой релаксации.
статья, добавлен 30.10.2018- 102. Электронная техника
Движение электронов в электрических и магнитных полях, электропроводность полупроводников. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковых диодов. Устройство, классификация, схемы включения и принцип действия биполярных транзисторов.
учебное пособие, добавлен 16.04.2015 Сущность принципа оптического усиления. Классификация и назначение полупроводниковых усилителей. Расчёт усиления и выходной мощности сигнала, ширины и равномерности полосы усиления эрбиевого усилителя. Принцип действия волоконно-оптических усилителей.
курсовая работа, добавлен 18.12.2013Принцип работы и структура прибора с зарядовой связью. Достоинства и ограничения ПЗС. Сечение трёхфазного ПЗС с электродами из поликристаллического кремния и с виртуальной фазой. Запоминающее устройство на ПЗС, способ управления записью информации.
реферат, добавлен 14.10.2015Особенности проектирования высокоскоростных оптоэлектронных аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей, необходимость учитывать большое число свойств элементов системы. Структура автоматизированного проектирования оптоэлектронных устройств.
статья, добавлен 15.07.2020Характеристики биполярных интегральных транзисторов, их элементы, назначение и область применения. Разновидности интегральных резисторов, их параметры и конструкции. Конфигурации интегральных диффузионных конденсаторов, их конструирование и формирование.
реферат, добавлен 22.02.2009Понятие о полупроводниковых диодах и транзисторах, их свойства. Характеристика и схема работы триода. Полевой МДП транзистор и его схематическое изображение. Зонная структура n-полупроводника при отрицательном заряде. Схема включения транзистора в цепь.
реферат, добавлен 07.11.2013Принцип работы приемного и передающего тракта радиостанции Р-832М по структурной схеме. Его внутреннее устройство и элементы, сферы и условия практического использования. Состав каскадов, входящих в передающий тракт, а также влияющие на него факторы.
учебное пособие, добавлен 22.09.2017Структура световода и прохождение луча по волокну, характеристика его пропускной способности. Методы передачи и кодирования информации, свойства источников и приемников излучения. Сетевые технологии с оптоволоконной передачей, их достоинства и недостатки.
курсовая работа, добавлен 17.12.2010Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Разработка и проектирование макета, включающего в себя модуль излучателя и модуль приёмника. Для управления модулями используется внешний микроконтроллер на базе ArduinoUNO, который формирует зондирующий сигнал и анализирует принятый. Достоинства модуля.
курсовая работа, добавлен 30.06.2017Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
книга, добавлен 19.03.2015Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018- 114. Электроника
Материалы электронной техники и их электрофизические свойства. Полупроводниковые приборы: физические основы работы, параметры, модели, применение. Основы технологии микроэлектронных изделий и элементы интегральных схем. Приборы вакуумной электроники.
презентация, добавлен 23.01.2014 - 115. Основы электроники
Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015 Понятие бесконтактного датчика, его достоинства, классификация по принципу действия. Сфера применения емкостных, оптических датчиков. Типы оптических устройств бесконтактного типа. Принцип работы индуктивных, ультразвуковых, пирометрических датчиков.
презентация, добавлен 07.12.2018Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Физические основы визуально-оптического метода контроля. Сфера применения. Классификация методов данного направления. Обзор приборов оптико-визуальной направленности: эндоскопа, бороскопа. Их конструкция и применение. Компании-производители оборудования.
доклад, добавлен 24.04.2020Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015Градация полупроводниковых электронных агрегатов. Принцип работы устройств, предназначенных для цифрового преобразования аналоговых сигналов с опорным напряжением. Основные характеристики однопороговых, регенераторных и двухпороговых компараторов.
реферат, добавлен 24.12.2014Характеристика гибридных интегральных схем как микросхем, являющихся комбинацией пленочных пассивных элементов и активных компонентов, расположенных на общей диэлектрической подложке. Технология изготовления полупроводниковых схем на биполярных элементах.
курс лекций, добавлен 21.03.2011Технические параметры линий задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ). Физические основы работы линий: принцип устройства, метод возбуждения и приема ПАВ с помощью встречно-штыревого преобразователя, схемы ультразвуковых линий задержки.
реферат, добавлен 25.11.2014Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Понятие газоразрядных и вакуумных индикаторов, характеристика их разновидности. Принцип работы дисплея с полевой эмиссией. Сущность электролюминесцентных индикаторов, их свойства, значение и отличительные черты. Использование углеродных нанотрубок.
лекция, добавлен 17.08.2014Методы расчета установившихся и переходных процессов в электрических цепях. Применения электротехники в инженерной практике. Свойства полупроводниковых элементов. Принципы работы активных и пассивных двухполюсников. Схемотехника цифровых устройств.
учебное пособие, добавлен 02.11.2014