Транзистор – основа построения электронных систем
Изучение особенностей семейства вольтамперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. Определение недостатков биполярных транзисторов. Рассмотрение устройства и принципа работы полевых транзисторов с индуцированным каналом.
Подобные документы
Схема построения измерительного комплекса и методика для измерения вольтамперных характеристик, фотопроводимости, односвязных наноразмерных объектов. Форма напряжения на туннельном промежутке для снятия и измерения фотопроводимости наноразмерных объектов.
статья, добавлен 25.06.2018Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Полевой транзистор как элемент схемы и активный трехполюсник, позволяющий получить усиление по мощности. Входное и выходное сопротивления, функции передач усилительного каскада на полевом транзисторе. Технологичность и входное сопротивление по току.
курсовая работа, добавлен 24.04.2017Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.
контрольная работа, добавлен 20.09.2014Виды транзисторных усилителей, основные задачи при их проектировании. Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статистические характеристики транзисторов. Статические и дифференциальные параметры транзисторов. Обратные связи в усилителях.
лекция, добавлен 09.04.2015Определение ряда существенных преимуществ индукционных светильников, по сравнению со светодиодными и люминесцентными. Изучение принципа работы индукционной лампы. Выявление характеристик, достоинств и недостатков светодиодных и люминесцентных ламп.
презентация, добавлен 16.12.2016- 82. Эффект Миллера
Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.
статья, добавлен 24.05.2017 - 83. Транзистор
Определение содержания закона потенциальной градации материи. Расчет величины контактной разности потенциалов для пары Bi-Cu. Принципы работы контактного перехода. Работа германиевого транзистора, согласно закону потенциальной градации материи.
статья, добавлен 23.11.2018 Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.
контрольная работа, добавлен 15.01.2012Изучение особенностей центральных и местных систем воздушного отопления. Ознакомление с видами систем отопления по характеру воздухообмена. Определение недостатков систем с частичной рециркуляцией. Рассмотрение назначения воздушно-тепловых завес.
реферат, добавлен 23.01.2015Разработка метода изготовления печатных транзисторов из углеродных нанотрубок и нового типа электронного переключателя. Уникальные технологии, созданные специалистами и исследователями различных компаний. Возможные применения разработанных технологий.
реферат, добавлен 29.05.2017Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики полупроводниковой структуры транзисторов. Анализ системы схемотехнического моделирования LTspice IV. Проектирование вариантов схем источника опорного напряжения с учетом внешних воздействий.
дипломная работа, добавлен 02.09.2018Применение тиристоров и IGBT-транзисторов в качестве полупроводниковых модулей в мощных инверторах. Подбор снабберных элементов для модуля CM600DY-24F. Выбор конденсаторов для входного выпрямителя. Вычисление уравнительных резисторов для инвертора.
контрольная работа, добавлен 01.12.2016Рассмотрение возникновения квантовой физики и теории относительности. Выявление зависимости энергии излучения черного тела от температуры. Изучение принципа неопределенности Гейзенберга, принципа эквивалентности и общей теории относительности Эйнштейна.
реферат, добавлен 01.06.2014Рассмотрение истории появления светодиодных ламп. Изучение устройства их элементов, принципа работы полупроводниковых диодов, сроков службы, положительных и отрицательных характеристик. Описание правил выбора светодиодной энергосберегающей лампы для дома.
презентация, добавлен 22.12.2015Характеристика особенностей устройства стартера. Изучение строения корпуса, якоря, втягивающего рыле, обгонной муфты, щеткодержателя. Изучение принципа работы пусковой установки двигателя. Изучение особенностей технического обслуживания и ремонта.
реферат, добавлен 02.11.2017Влияние механических напряжений в тонких сверхпроводящих YBCO пленках на их вольтамперные характеристики. Исследования вольтамперных характеристик монокристаллических, гранулярных и напряженных пленок. Повышение внутреннего давления в материале пленки.
статья, добавлен 02.02.2019Расчёт максимально допустимой амплитуды напряжения между коллектором и эмиттером транзистора. Определение значения крутизны сквозной характеристики усилителя. Выбор промежуточного каскада по схеме с общим эмиттером, проверка допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 16.10.2017Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.10.2017Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.01.2014Изучение устройства и принципа работы трансформатора, анализ его внешних характеристик при различных нагрузках (активной, активно-индуктивной, ёмкостной). Определение коэффициента трансформации, напряжения короткого замыкания, параметров схемы замещения.
лабораторная работа, добавлен 19.11.2014Разработка структурной схемы источника питания, расчёт параметрического стабилизатора напряжения. Специфика структурной схемы усилительного каскада, схема двухполупериодного выпрямителя. Комплементарная пара транзисторов, характеристики микросхемы.
курсовая работа, добавлен 22.02.2019Анализ физических принципов работы транзистора. Характеристики энергетической диаграммы для одномерной модели в состоянии равновесия. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет удельных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв.
дипломная работа, добавлен 24.12.2011