Транзистор – основа построения электронных систем

Изучение особенностей семейства вольтамперных характеристик транзистора, включенного по схеме с общей базой. Определение недостатков биполярных транзисторов. Рассмотрение устройства и принципа работы полевых транзисторов с индуцированным каналом.

Подобные документы

  • Схема построения измерительного комплекса и методика для измерения вольтамперных характеристик, фотопроводимости, односвязных наноразмерных объектов. Форма напряжения на туннельном промежутке для снятия и измерения фотопроводимости наноразмерных объектов.

    статья, добавлен 25.06.2018

  • Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.

    шпаргалка, добавлен 01.04.2017

  • Полевой транзистор как элемент схемы и активный трехполюсник, позволяющий получить усиление по мощности. Входное и выходное сопротивления, функции передач усилительного каскада на полевом транзисторе. Технологичность и входное сопротивление по току.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2017

  • Изучение назначения усилителей постоянного тока. Определение тока и мощности, потребляемых каскадом в режиме покоя. Ознакомление с вольт-амперной характеристикой светоизлучающего диода. Рассмотрение и анализ особенностей процесса выбора типа транзистора.

    контрольная работа, добавлен 20.09.2014

  • Виды транзисторных усилителей, основные задачи при их проектировании. Применяемые при анализе схем обозначения и соглашения. Статистические характеристики транзисторов. Статические и дифференциальные параметры транзисторов. Обратные связи в усилителях.

    лекция, добавлен 09.04.2015

  • Определение ряда существенных преимуществ индукционных светильников, по сравнению со светодиодными и люминесцентными. Изучение принципа работы индукционной лампы. Выявление характеристик, достоинств и недостатков светодиодных и люминесцентных ламп.

    презентация, добавлен 16.12.2016

  • Изучение проблемы ослабления вредного воздействия эффекта Миллера в целью уменьшения входной емкости транзистора. Рассмотрение каскада усиления, где выходной сигнал будет сниматься с резистора в цепи стока. Анализ эквивалентной схемы полевого транзистора.

    статья, добавлен 24.05.2017

  • Определение содержания закона потенциальной градации материи. Расчет величины контактной разности потенциалов для пары Bi-Cu. Принципы работы контактного перехода. Работа германиевого транзистора, согласно закону потенциальной градации материи.

    статья, добавлен 23.11.2018

  • Определение концентрации основных и неосновных носителей зарядов и положения уровня Ферми относительно середины запрещенной зоны. Расчет концентрации атомов донорной примеси. Построение схемы включения транзистора, определение полярности напряжений.

    контрольная работа, добавлен 15.01.2012

  • Изучение особенностей центральных и местных систем воздушного отопления. Ознакомление с видами систем отопления по характеру воздухообмена. Определение недостатков систем с частичной рециркуляцией. Рассмотрение назначения воздушно-тепловых завес.

    реферат, добавлен 23.01.2015

  • Разработка метода изготовления печатных транзисторов из углеродных нанотрубок и нового типа электронного переключателя. Уникальные технологии, созданные специалистами и исследователями различных компаний. Возможные применения разработанных технологий.

    реферат, добавлен 29.05.2017

  • Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.

    методичка, добавлен 08.09.2015

  • Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.

    учебное пособие, добавлен 13.04.2015

  • Влияние температуры и ионизирующего излучения на характеристики полупроводниковой структуры транзисторов. Анализ системы схемотехнического моделирования LTspice IV. Проектирование вариантов схем источника опорного напряжения с учетом внешних воздействий.

    дипломная работа, добавлен 02.09.2018

  • Применение тиристоров и IGBT-транзисторов в качестве полупроводниковых модулей в мощных инверторах. Подбор снабберных элементов для модуля CM600DY-24F. Выбор конденсаторов для входного выпрямителя. Вычисление уравнительных резисторов для инвертора.

    контрольная работа, добавлен 01.12.2016

  • Рассмотрение возникновения квантовой физики и теории относительности. Выявление зависимости энергии излучения черного тела от температуры. Изучение принципа неопределенности Гейзенберга, принципа эквивалентности и общей теории относительности Эйнштейна.

    реферат, добавлен 01.06.2014

  • Рассмотрение истории появления светодиодных ламп. Изучение устройства их элементов, принципа работы полупроводниковых диодов, сроков службы, положительных и отрицательных характеристик. Описание правил выбора светодиодной энергосберегающей лампы для дома.

    презентация, добавлен 22.12.2015

  • Характеристика особенностей устройства стартера. Изучение строения корпуса, якоря, втягивающего рыле, обгонной муфты, щеткодержателя. Изучение принципа работы пусковой установки двигателя. Изучение особенностей технического обслуживания и ремонта.

    реферат, добавлен 02.11.2017

  • Влияние механических напряжений в тонких сверхпроводящих YBCO пленках на их вольтамперные характеристики. Исследования вольтамперных характеристик монокристаллических, гранулярных и напряженных пленок. Повышение внутреннего давления в материале пленки.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Расчёт максимально допустимой амплитуды напряжения между коллектором и эмиттером транзистора. Определение значения крутизны сквозной характеристики усилителя. Выбор промежуточного каскада по схеме с общим эмиттером, проверка допустимой мощности.

    курсовая работа, добавлен 16.10.2017

  • Расчет параметров кремниевого интегрального биполярного транзистора. Распределение донорной и акцепторной примесей. Расчет коэффициента передачи эмиттерного тока. Расчет электрических характеристик кремниевого интегрального канального транзистора.

    курсовая работа, добавлен 01.10.2017

  • Определение номинального тока стабилитрона и недостающих данных для вычислений. Расчет выпрямителя с емкостным фильтром. Вольтамперная характеристика диода. Расчет стабилизаторов постоянного напряжения. Определение h-параметров биполярного транзистора.

    контрольная работа, добавлен 06.01.2014

  • Изучение устройства и принципа работы трансформатора, анализ его внешних характеристик при различных нагрузках (активной, активно-индуктивной, ёмкостной). Определение коэффициента трансформации, напряжения короткого замыкания, параметров схемы замещения.

    лабораторная работа, добавлен 19.11.2014

  • Разработка структурной схемы источника питания, расчёт параметрического стабилизатора напряжения. Специфика структурной схемы усилительного каскада, схема двухполупериодного выпрямителя. Комплементарная пара транзисторов, характеристики микросхемы.

    курсовая работа, добавлен 22.02.2019

  • Анализ физических принципов работы транзистора. Характеристики энергетической диаграммы для одномерной модели в состоянии равновесия. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет удельных сопротивлений базового и эмиттерного слоёв.

    дипломная работа, добавлен 24.12.2011

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.