Роль нерівноважних носіїв заряду в лінійних явищах переносу в обмежених напівпровідниках
Підходи, що застосовуються для опису лінійних явищ переносу. Дослідження рекомбінації нерiвноважних носіїв як при відсутності, так i при наявності температурного поля в напівпровіднику. Загальні положення теорії кінетичних явищ у напівпровідниках.
Подобные документы
Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014- 27. Багатофункціональний електрохемілюмінесцентний елемент з плівками Ленгмюра-Блоджетт на електроді
Комп'ютерне моделювання основних фізичних процесів: переносу речовини, носіїв заряду та енергії електронного збудження, що протікають під час роботи електрохемілюмінесцентного елемента з модифікованим робочим електродом, їх експериментальні дослідження.
автореферат, добавлен 14.09.2014 Виявлення природи нових динамічних явищ, індукованих взаємодіями спінових систем локальних і нелокальних центрів у напівпровідниках та низькоомних твердих розчинах. Їх впливу на мікрохвильовий відгук, магнітні та електричні властивості цих матеріалів.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 29. Вивчення фотоелектричних явищ в напівпровідниках та характеристик напівпровідникового фотоелемента
Аналіз основних рис фотопровідності, явищ зовнішнього й внутрішнього фотоефекту. Дослідження законів внутрішнього фотоефекту на прикладі одержання вольт-амперної і світлової характеристик напівпровідникового фотоопору. Розрахунок його питомої чутливості.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017 Дослідження фотофізичних властивостей полімерних композитів (ПК) з добавками органічних матеріалів. Спектри поглинання, фотогенерації та рекомбінації носіїв заряду в ПК з мероціаніновими барвниками. Аналіз впливу зовнішнього електростатичного поля.
автореферат, добавлен 28.08.2014Вивчення електронного транспорту в одно- та двобар'єрних квантових гетероструктурах типу AlxGa1-xN/GaN. Дослідження фізичних явищ, що виникають в умовах сильних магнітних і електричних полів при кріогенних температурах, як особливостей переносу заряду.
автореферат, добавлен 20.07.2015Дослідження властивостей двовимірного електронного газу в провідному каналі гетероструктури в наносекундному діапазоні. З’ясування природи квантово-розмірних ефектів, притаманних гарячим електронам. Вивчення кінетики провідного каналу гетероструктур.
автореферат, добавлен 12.07.2015Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Суть методу термічного висвічування. Розробка установки для дослідження термолюмінесценції, що дозволяє визначати кінетичні параметри центрів локалізації носіїв заряду, центрів рекомбінації, їх енергетичні характеристики. Опис експериментальної установки.
статья, добавлен 29.09.2016Дослідження об’ємного часу життя в монокристалічному кремнії з врахуванням рекомбінації Шоклі-Ріда. Аналіз впливу концентрації надлишкових носіїв заряду та звуження забороненої зони на поверхневу рекомбінацію в кремнієвих фоточутливих структурах.
автореферат, добавлен 14.09.2015Розрахунок вільних і нестаціонарних вимушених коливань стрічкових носіїв з застосуванням інтегральних рівнянь Вольтера другого роду. Розробка програмного забезпечення для розрахунку частотних характеристик стаціонарних і нестаціонарних коливань стрічки.
автореферат, добавлен 26.02.2015Властивості та розсіяння світла плазмонами в напівпровідниках з виродженою валентною зоною. Вплив розігріву дірок у полі світлової хвилі на поглинання ними світла при прямих міжпідзонних оптичних переходах у напівпровідниках з виродженою валентною зоною.
автореферат, добавлен 28.08.2014- 38. Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Дослідження перехідних теплових процесів у напівпровідниках та діелектриках. Розв’язки рівнянь балансу енергії для електронів та фононів. Встановлення особливостей температурних розподілів. Перенос теплового імпульсу через твердотільні середовища.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014Аналіз енергетичного спектру локалізованих станів носіїв заряду в аморфних плівках кремнійорганічних сполук методом фракційного термовисвічування. Вплив фотодеградації на енергетичний розподіл локалізованих станів аморфних плівок поліметилфенілсілану.
автореферат, добавлен 25.02.2014Термодинамічні функції електронного газу у сильноанізотропних шаруватих напівпровідниках для моделей залежності енергії від квазіімпульсу. Залежність термодинамічних функцій від параметра перемішування, застосування теорії пружності Дебая в кристалах.
статья, добавлен 29.09.2016Дослідження непружного розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового моменту носіїв. Вивчення властивостей колективних збуджень вільних носіїв заряду. Виявлення впливу направленої деформації кристала на властивості плазмонів і розсіяння світла.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 44. Випромінювальні остовно-валентні та міжконфігураційні переходи в галоїдних сцинтиляційних матеріалах
Взаємодія остовних дірок з електронними домішковими рівнями, розташованими вище вершини валентної зони кристала. Виявлення основних механізмів передачі енергії збудження до церієвих центрів у кристалах галоїдів шляхом рекомбінації гарячих носіїв заряду.
автореферат, добавлен 22.07.2014 Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Визначення умов існування електричного струму. Класифікація речовин за здатністю проводити електричні заряди. Вивчення електричних властивостей індію. Розгляд змісту електронної теорії провідності. Визначення відношення заряду до маси носіїв заряду.
практическая работа, добавлен 08.04.2020Теорія електронних і фононних температурних хвиль у напівпровідниках скінченої довжини, які виникають у результаті об’ємного поглинання модульованого світла. Процеси нестаціонарних термодифузійних потоків у субмікронних напівпровідникових плівках.
автореферат, добавлен 30.07.2014Існування у низькосиметричних сегнетоелектриках-напівпровідниках заряджених, нахилених до вектора поляризації, доменних границь. Аналіз кристалічної структури, аномалії діелектричних властивостей, суперіонної провідності, швидкості поширення ультразвуку.
автореферат, добавлен 27.08.2014Вплив анізотропії фононної та плазмової підсистем на властивості поверхневих фононних та плазмон-фононних поляритонів у полярних, оптично-анізотропних напівпровідниках ZnO і 6H-SiC. Розщеплення низькочастотної та високочастотної областей прозорості.
автореферат, добавлен 23.02.2014