Биполярные транзисторы и их применение в радиоэлектронике
Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
Подобные документы
Изучение особенностей строения схемы транзисторного усилителя низкой частоты. Выбор биполярного транзистора, положения рабочей точки. Расчет параметров элементов схемы. Аналитический расчет параметров усилительного каскада на полевом транзисторе.
контрольная работа, добавлен 19.11.2017Выбор транзистора для выходного и предварительных каскадов усилителя. Схема температурной стабилизации рабочей точки. Схема и основные параметры температурной стабилизации рабочей точки транзистора предварительного каскада. Расчет вспомогательных цепей.
курсовая работа, добавлен 08.01.2012Выбор структурной схемы и предварительный расчет радиопередающего устройства с частотной модуляцией. Оконечный усилитель мощности на биполярном транзисторе по схеме с общим эмиттером. Элементы схемы, параметры транзистора. Эквивалентные параметры антенны.
курсовая работа, добавлен 06.11.2011Схема резистивного усилительного каскада с общим эмиттером и питанием от одного источника. Дестабилизирующие факторы, нарушающие устойчивую работу транзистора. Определение коэффициента нелинейных искажений усилителя, позиционные обозначения элементов.
практическая работа, добавлен 16.11.2010Выбор режима работы транзистора. Определение сопротивления делителя в цепи базы, параметров транзистора по статическим характеристикам и элементов схемы по напряжению, коэффициентов усиления и нелинейных искажений каскада. Выбор резисторов, конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 20.01.2014Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Применение различных типов материалов в качестве теплопроводящего слоя в месте контакта металлического основания транзистора и охлаждающего основания платы. Влияние применение материала на параметры уровня выходной мощности LDMOS-транзистора BLF578XR.
статья, добавлен 23.03.2018- 108. Полевые транзисторы
Исследование особенностей работы полевых транзисторов. Изучение структуры полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Способы изоляции управляющего электрода от управляемого токопроводящего канала. Образование индуцированного канала транзистора.
презентация, добавлен 20.07.2013 Расчет параметров усилителя, на вход которого подается сигнал с амплитудой от источника с внутренним сопротивлением. Эквивалентная схема усилителя для области средних частот. Выходная проводимость транзистора. Напряжение питания предоконечного каскада.
контрольная работа, добавлен 27.06.2013Определение коэффициента передачи усилителя с отрицательной обратной связью. Выбор рабочей точки и транзистора для выходного каскада. Выбор транзистора для промежуточного каскада. Проверка правильности выбора транзистора. Расчет емкостных элементов.
курсовая работа, добавлен 13.10.2017Экспериментальное построение характеристик транзистора, определение коэффициента усиления по току, проверка формулы Эберса-Молла. Определение зависимости напряжения базы от логарифма тока коллектора, а также коэффициента усиления от тока коллектора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Преобразование энергии внешних источников постоянных напряжений в энергию преобразуемого сигнала. Характеристики транзистора связанные нелинейными функциональными зависимостями. Связь между системами параметров транзистора в различных схемах включения.
методичка, добавлен 13.08.2013Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016- 114. Каскад УНЧ с ОЭ
Расчет и схематизация каскада усилителя мощности низкой частоты на транзисторе с общими эмиттерами. Определение предельно допустимых параметров безопасной работы заданного транзистора. Расчет значения резисторов и сопротивления в цепях коллекторов.
реферат, добавлен 01.04.2015 Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Усилитель на биполярном транзисторе, включенный по схеме с общим эмиттером. Его принципиальная электрическая схема. Схемная реализация входного и выходного каскада. Расчёт общих параметров, коэффициента гармоник и КПД. Построение сквозной характеристики.
курсовая работа, добавлен 25.09.2013Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014- 119. Полярные транзисторы
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность по сравнению с электронными лампами. Типы транзисторов: биполярные и полевые. Основные материалы, из которых изготовляют транзисторы. Максимально допустимые параметры полевого транзистора.
реферат, добавлен 11.01.2012 Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.
лабораторная работа, добавлен 20.09.2014Структура курса "Электроника". Темы курса. Краткий конспект лекций курса. Физические основы электроники. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры и семисторы. Усилительный каскад на транзисторе и его параметры.
курс лекций, добавлен 20.07.2013Полупроводниковые технологии и современные интегральные микросхемы. Изучение закона Мура. Схема традиционного планарного транзистора. Структура терагерцевого транзистора. Бесконтактная диагностика микросхем. Аспекты развития микропроцессорной техники.
реферат, добавлен 15.11.2012Изучение устройства, характеристик и параметров полевого транзистора с изолированным затвором. Анализ эволюции статических характеристик транзистора, задающихся паспортно, в динамические характеристики при использовании транзистора в рабочем режиме.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015Изучение состава усилителей на полевых транзисторах. Амплитудно-частотная характеристика усилителя. Исследование схемы усилительного каскада на полевом транзисторе с общим истоком. Анализ различия между емкостью разделительного конденсатора и транзистора.
лекция, добавлен 04.10.2013Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013