Электрические переходы в полупроводниках

Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.

Подобные документы

  • Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Физические основы полупроводниковой электроники. Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды и резисторы, фотоэлектрические полупроводниковые приборы. Биполярные и полевые транзисторы. Аналоговые интегральные микросхемы.

    учебное пособие, добавлен 06.09.2017

  • Дослідження взаємодії компонентів активної речовини МПЕ. Фізико-хімічні та емісійні властивості металевопористих емітерів з додаванням скандію. Особливості розробки фізичної моделі їхньої робочої поверхні, яка впливає на вольт-амперні характеристики.

    автореферат, добавлен 30.08.2014

  • Кристаллическая структура полупроводника, влияние примеси и температуры на его проводимость. Особенности реальных p-n-переходов. Тиратрон, устройство и принцип работы. Приборы тлеющего разряда. Переход, смещенный в обратном направлении и виды пробоев.

    контрольная работа, добавлен 29.09.2017

  • Принцип действия фотодиода. Изучение его световых и спектральных характеристик. Применение фотодиода в оптоэлектронике. Создание многоэлементных фотоприемников и полупроводниковых приборов. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках.

    реферат, добавлен 23.12.2016

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.

    учебное пособие, добавлен 11.10.2014

  • Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.

    контрольная работа, добавлен 09.10.2013

  • Принцип действия, типы и схемы включения биполярных транзисторов. Причины инжекции электронов из эмиттера в базу. Определение коэффициента усиления по току и напряжению. Усиление света в полупроводниках. Квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.

    реферат, добавлен 04.12.2018

  • Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.

    курсовая работа, добавлен 21.12.2015

  • Результаты экспериментального исследования влияния напряжения питания на характеристики физически неклонируемых функций (ФНФ) арбитрового типа. Негативное влияние систематических вариаций на уникальность ФНФ. Анализ способов повышения уникальности ФНФ.

    статья, добавлен 27.07.2017

  • Общие сведения о полупроводниках. Приборы, действие которых основано на использовании свойств полупроводников. Характеристика и параметры выпрямительных диодов. Параметры и предназначение стабилитронов. Вольтамперная характеристика туннельного диода.

    реферат, добавлен 24.04.2017

  • Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы. Прямое и обратное включение диодов Шоттки. Вольтамперная характеристика и параметры полупроводниковых диодов. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды. Классификация и маркировка транзисторов.

    книга, добавлен 19.10.2013

  • Физические основы действия проводниковых и резистивных материалов. Температурная зависимость удельного сопротивления металлических проводников. Влияние примесей на свойства и электропроводность металлов. Сопротивление проводников на высоких частотах.

    контрольная работа, добавлен 29.08.2015

  • Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.

    курсовая работа, добавлен 18.10.2014

  • Обсуждение физических принципов и параметров работы твердотельных полупроводниковых приборов, использующих как явление инжекции носителей через p-n-переходы, так и явления, связанные с эффектом поля. Физика поверхности полупроводников и МДП-структур.

    учебное пособие, добавлен 07.05.2014

  • Характеристика системы контроля, работающей под управлением однокристального микроконтроллера. Подключение кварцевого резонатора и выполнение специализированных функций обмена информации. Межстраничные переходы в пределах выбранного банка памяти программ.

    доклад, добавлен 17.05.2016

  • История создания электронного усилителя. Структура усилителя. Температурная стабилизация усилителя для выравнивания частотной характеристики. Аналоговые и цифровые усилители. Электронные приборы медицинской диагностики. Современные электрокардиографы.

    реферат, добавлен 15.04.2012

  • Основные физические явления, используемые в квантовых приборах. Населенности энергетических уровней при термодинамическом равновесии. Переходы микрочастиц между энергетическими уровнями. Квантовые парамагнитные усилители. Квантовые стандарты частоты.

    учебное пособие, добавлен 10.12.2013

  • Схема простейшего стабилизатора напряжения и делителя, образованного балластным резистором. Коэффициент стабилизации. Принцип действия транзисторного устройства. Интегральные стабилизаторы напряжения. Описание электрической схемы выбранного устройства.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2011

  • Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.

    реферат, добавлен 15.05.2015

  • Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.

    курсовая работа, добавлен 22.12.2014

  • Сведения об авиационных генераторах. Выбор структурной схемы. Выбор датчика напряжения и схемы источника опорного напряжения, устройства сравнения и усилителя напряжения, схем усилителя мощности и регулирующего элемента. Эмиттерный переход транзистора.

    контрольная работа, добавлен 07.08.2013

  • Контактные и дроссельные разъемы, их преимущества и недостатки. Сочленение отрезков линий передачи. Трансформаторы типов волн, иногда называемые переходами с одной линии передачи на другую. Переходы между коаксиальной линией и полосковыми линиями.

    лекция, добавлен 27.09.2017

  • Назначение, область применения терморегулятора. Системы регулирования температуры. Устройство регуляторов температуры прямого и непрямого действия. Обзор построения принципиальных схем термометров: электронного, цифрового, бортового-термометра вольтметра.

    реферат, добавлен 30.08.2017

  • Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.