Элементы электроники. Полупроводниковые диоды
Исследование типов электропроводности. Описания полупроводниковых веществ. Электронно-дырочный переход в электрическом поле, его образование. Параметры туннельного диода. Свойства обращенных диодов. Зависимость емкости варикапа от обратного напряжения.
Подобные документы
Неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом. Механизм образования электронно–дырочного р-n-перехода. Причины появления собственной и примесной проводимости полупроводника.
лекция, добавлен 11.11.2021Заряд внутри проводника. Явление разделения разноимённых зарядов в проводнике, помещённом в электрическое поле. Примерный ход эквипотенциальных поверхностей для определённого момента возбуждения сердца. Диэлектрическая проницаемость разных веществ.
презентация, добавлен 10.12.2015Электрические характеристики, параметры электровакуумных приборов, электронных устройств. Полупроводниковые диоды, электронные схемы на их основе. Обратные связи в операционных усилителях. Импульсные электронные генераторы на базе операционных усилителей.
презентация, добавлен 03.01.2018Определение электропроводности материалов. Зависимость концентрации собственных носителей от температуры. Описание лабораторной установки. Оценка электропроводности образца при всех температурах. Определение ширины запрещенной зоны полупроводника.
лабораторная работа, добавлен 24.01.2017Формулировка закона Кулона для двух точечных зарядов. Определение понятия "электрическое поле". Дивергенция электрического поля и электрический потенциал. Проводник в электрическом токе и уравнение Лапласа. Емкостные и потенциальные коэффициенты.
учебное пособие, добавлен 09.12.2014Исследование влияния легирования примесями акцепторного и донорного типа на физические свойства твёрдых растворов теллеридов висмута и сурьмы Вг2Те3 — ЗЬ2Те3. Описание техники оптического эксперимента, а также методики определения плазменных частот.
статья, добавлен 19.01.2021Порядок выбора схемы выпрямителя, определение вентилей. Принципы расчета вторичного тока, напряжения и мощности выпрямительного трансформатора. Амплитудное значение обратного напряжения. Параметры усилительного каскада. Основные режимы транзистора.
контрольная работа, добавлен 06.12.2013Построение линейных электротехнических моделей проводимости биологической клетки в импульсном электрическом поле. Метод, технические средства импульсной кондуктометрии, основанной на электропорации мембраны в электрическом поле возрастающей напряженности.
статья, добавлен 14.09.2016Силы, действующие на заряженную частицу в электромагнитном поле. Закон сохранения энергии. Движение частицы в однородном, постоянном магнитном поле. Действие пространственного заряда на электронный пучок. Характеристики и параметры реального диода.
реферат, добавлен 11.08.2014Расчет туннельного тока, проходящего через иглу туннельного микроскопа. Измерение рельефа поверхности с помощью туннельного микроскопа. Оценка размеров конца иглы. Изменения в монохромном изображении, к которым приводит учет радиуса закругления иглы.
статья, добавлен 28.10.2018Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Особенности электронной оптики и электронно-лучевых приборов. Элементарные процессы в плазме и газе. Физические основы полупроводниковых приборов. Основы квантовой и оптической электроники.
учебное пособие, добавлен 27.02.2012Исследование причин возникновения электрического разряда в газе. Самостоятельный разряд в газах и начальное напряжение в резко неоднородном поле. Пробой газа. Пробивное напряжение в однородном поле. Характеристика процессов ионизации в электрическом поле.
лекция, добавлен 18.09.2013Характеристика операций планарно-эпитаксиальной технологии производства биполярных полупроводниковых ИМС с изоляцией элементов переходами. Анализ этапов проектирования полузаказных БИС и СБИС. Классификация видов и маркировки полупроводниковых диодов.
контрольная работа, добавлен 29.10.2010Теоретические и методические основы расчета полупроводниковых диодов и транзисторов на p-n-переходах. Рекомендации по определению электрических параметров и построению зонной диаграммы полупроводниковых приборов, а также микроэлектронных устройств.
методичка, добавлен 08.09.2015Особенности распределения электропроводности насыпного октогена при нормальной детонации с высоким временным разрешением. Характеристика зоны электропроводности. Строение и структура зоны проводимости, состоящей из двух основных зон электропроводности.
курсовая работа, добавлен 04.01.2012Физические основы движения заряженной частицы в электрических и магнитных полях. Сущность закона сохранения энергии. Расчет напряжения и заряда конденсатора. Определение физических понятий, объектов, процессов и величин. Построение графиков зависимости.
задача, добавлен 25.03.2015Характеристика и закономерности изменений в составе систем объемных и поверхностных свойств. Описание рентгенографических, электронно-микроскопических, электрофизических исследований определения кислотно-основных свойств полупроводниковых материалов.
статья, добавлен 02.02.2019Исследование взаимодействия электромагнитных волн в бесконечном излучающем электромагнитном кристалле, элементы которого содержат резистивно-емкостные нелинейные двухполюсники, являющиеся моделью полупроводниковых диодов. Изучение детектирования сигнала.
статья, добавлен 04.11.2018Общее понятие и классификация диодов. Структура и схемы включения диода во внешнюю электрическую цепь. Схема электрическая принципиальная однофазных двух полупериодных выпрямителей. Характеристика и график зависимости параметрического стабилизатора.
лекция, добавлен 02.08.2013Состояние и тенденция развития электронно-оптических преобразователей. Транзисторный регулятор сетевого напряжения, назначение и технические параметры. Безтрансформаторный выпрямитель в усилителе мощности. Принцип работы блоков источника питания.
курсовая работа, добавлен 05.11.2009Исследование процесса зарядки и распыления краски. Описание основных конструкций электроокрасочных распылителей. Нанесение порошковых покрытий. Зависимость тока и плотности потока, осаждающихся на изделие частиц наносимого порошка от времени напыления.
реферат, добавлен 22.07.2013Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015Параметры электронных ключей: быстродействие, форсирующая цепочка. Нелинейная обратная связь. Определение номинального тока цепи. Количество диодов. Ступенчатое регулирование. Регулирование путем подмагничивания сердечника. Магнитно-полупроводниковые.
контрольная работа, добавлен 13.01.2017Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Понятие про вакуум и его свойства. Модель прибора вакуумной электроники, исследование электронной эмиссии. Электронно-лучевые приборы, движение электронов в газах. Основы зондовой микроскопии (туннельная микроскопия, зондовые сканирующие микроскопы).
контрольная работа, добавлен 26.01.2020