Эффекты перераспределения зарядов в полупроводнике, содержащем наночастицы нормального металла
Описание и свойства вещества в диспергированном состоянии. Особенности обмена свободных носителей заряда через границу раздела металл-полупроводник. Анализ одиночной металлической сферической частицы в полупроводниковой электронной невырожденной матрице.
Подобные документы
Появление носителей заряда в полупроводниках. Термоэлектрические явления в полупроводниках, эффект Холла. Перераспределение основных носителей заряда в полупроводнике. Эффект Пельтье и эффект Томпсона. Изготовление термоэлементов охлаждающих устройств.
отчет по практике, добавлен 04.10.2019Описание сферической металлической наночастицы радиуса R, покрытой макромолекулярным опушечным слоем адсорбированных на поверхности сферы полимерных цепей. Математическая модель кинетики безызлучательной передачи энергии электронного возбуждения.
статья, добавлен 30.01.2018Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Особенности применения сильнополевой туннельной инжекции носителей в исследованиях структур металл-диэлектрик-полупроводник и технологиях их получения. Проведение исследования процессов генерации положительного заряда при инжекционной модификации.
автореферат, добавлен 31.03.2018Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
статья, добавлен 30.05.2017Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Свойства контактов, полученных из полупроводниковых материалов: p – n переход, контакты p+-p и n+-n, +, p – полупроводник – металл и n – полупроводник – металл, несимметричные контакты, а также гетероконтакты. Их отличительные особенности и назначение.
реферат, добавлен 08.04.2014Решение задачи о прохождении падающей плоской гармонической электромагнитной волны вглубь металла. Введение формулы, описывающей температурный портрет в системе, а также асимптотической формулы для температуры на границе раздела сред "металл-диэлектрик".
статья, добавлен 05.11.2018- 10. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 - 11. Исследование локальной атомной и электронной структуры наностержней AlN: Fe методами XANES и DFT
Наноструктурированный AlN – полупроводник с широкой энергетической щелью. Объяснение происхождения ферромагнетизма в легированном атомами Fe полупроводнике. Экспериментальное значение Фурье-трансформанты. Анализ зарядовых состояний атомов по Бейдеру.
статья, добавлен 30.05.2017 Формирование воспроизводимых профилей распределения легирующих примесей. Совершенствование и разработка новой элементной базы твердотельной электроники на основе наноразмерных гетероструктур. Изготовление контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки.
статья, добавлен 30.05.2017Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.
реферат, добавлен 22.11.2015Понятие удельного заряда частицы. Определение силы Лоренца с помощью правил левой руки. Особенности движения частицы по спирали. Теория метода определения заряда электрона. Описание экспериментальной установки для определения удельного заряда электрона.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2015Определение типа и концентрации примеси, носителей заряда в базе. Условие электрической нейтральности для областей эмиттера, базы и для всей системы в состоянии равновесия. Пояснение принципа полевого управления током в полупроводниковой структуре.
контрольная работа, добавлен 07.06.2016Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Анализ прохождения плоских акустических волн через границу раздела вода-воздух. Анализ зависимости коэффициента прохождения акустических волн через границу раздела вода-воздух по давлению от частоты излучения, и по давлению от заглубления излучателя.
статья, добавлен 30.05.2017Взаимодействие дрейфующих носителей заряда с бегущей волной электрического поля методом последовательных приближений. Создание волн электрического поля при помощи систем, сопряженных с полупроводниковой средой и упругими волнами в пьезополупроводнике.
статья, добавлен 08.12.2018Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Характеристики и свойства наноструктур. Исследование поведения электронов при взаимодействии с наноматериалами. Условия возникновения кулоновских сил. Квантовое ограничение, интерференция и баллистический транспорт. Анализ рассеяния носителей заряда.
реферат, добавлен 22.01.2017Решение уравнения Шредингера для идеального кристалла. Причины возникновения проводимости в собственном полупроводнике. Концентрация электронов и дырок в зонах. Положение уровня Ферми в собственном полупроводнике. Электрон в идеальном кристалле.
курсовая работа, добавлен 19.11.2017Упорядоченное движение электронов под действием электрического поля. Измерения, проведенные в опытах Э. Рике. Определение свободных носителей заряда в металлах. Опыты американских физиков Толмена и Стюарта. Удельный заряд частиц в эксперименте ученых.
презентация, добавлен 02.04.2014Дисперсные частицы и среда в лиофобных коллоидных системах. Состояние вещества на границе раздела фаз. Поверхностные явления в жидкости. Натяжение конденсированных фаз при контакте с воздухом. Капиллярное давление равновесие искривлённых поверхностей.
реферат, добавлен 07.08.2015Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018