Полупроводниковые приборы
Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
Подобные документы
Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Взаимодействие заряженных тел. Сущность закона Кулона. Понятие напряженности электрического поля. Расчет количества теплоты на проводнике с сопротивлением. Вольтамперная характеристика диода. Классификационные признаки проводимости полупроводников.
краткое изложение, добавлен 14.11.2010Нахождение токов и напряжений в цепях с помощью преобразований Фурье. Прямое и обратное преобразование в основе спектрального метода анализа переходных процессов. Комплексные характеристики цепи: проводимость, сопротивление и коэффициент передачи.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Классификация и область применения полупроводниковых диодов. Выпрямления переменного тока частотой от 50 до 100 килогерц. Расчет цепи, состоящей из последовательно соединенных диодов. Проектирование стабилизатора напряжения на интегральной микросхеме.
контрольная работа, добавлен 20.02.2014Изучение проводимости полупроводниковых материалов без примесей. Особенности выпрямления переменного тока. Основы преобразования энергии светового излучения в энергию электрического тока. Рассмотрение вольт-амперного графика полупроводникового диода.
реферат, добавлен 01.04.2016Свойства нагревостойких диэлектриков, область их применения. Механизм пробоя жидких диэлектриков. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры магнитных материалов. Конструкционные материалы для разрывных контактов.
контрольная работа, добавлен 22.02.2010Вольт-амперная характеристика p-n-перехода реального полупроводникового прибора и ее кусочно-линейная аппроксимация. Характерные признаки теплового пробоя. Возникновение лавинного пробоя р-н-перехода при меньших напряженностях электрического поля.
реферат, добавлен 05.11.2017Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015Классификация веществ по проводимости: проводники, полупроводники, диэлектрики. Движение электронов при увеличении температуры и воздействии на них электрического поля. Характеристика полупроводникового диода, его основные свойства и применение.
презентация, добавлен 19.02.2016Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Полупроводники как особый класс кристаллов со многими физическими свойствами, отличающими их как от металлов, так и от диэлектриков. Принципы функционирования электрического тока в них. Полупроводниковые приборы: типы, принципы действия, назначение.
реферат, добавлен 07.05.2014Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.
лекция, добавлен 08.08.2020- 43. p-n переходы
Принцип работы p-n перехода - структуры, содержащей дырочную и электронную области полупроводника. Понятие области объёмного заряда. Механизм лавинного пробоя. Паразитная ёмкость p-n перехода. Важная особенность тунельного диода, его использование.
лекция, добавлен 25.09.2017 Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. Устройство полупроводникового диода и стабилитрона. Статические вольтамперные характеристики диода. Электрический и тепловой пробой. Барьерная и диффузионная емкость.
реферат, добавлен 13.06.2015Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Возможность генерации диодами с туннельным анодом и боковой границей в диапазоне десятки-сотни гигагерц и существования двух участков отрицательной дифференциальной проводимости двух зон генерации по напряжению. Свойства предложенных диодных структур.
статья, добавлен 29.07.2016Свойства германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт-амперных характеристик. Параметры стабилитрона и туннельного диода, анализ уровня напряжения в электрических схемах.
методичка, добавлен 05.02.2015Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Изучение переходных процессов в полупроводниковых диодах при их работе в импульсном режиме. Влияние процессов на работу диода в импульсных устройствах Предельно допустимые значения токов, напряжений и мощностей в цепях отдельных электродов прибора.
лабораторная работа, добавлен 25.06.2015