Принцип работы флэш-памяти

Флэш-память с несимметричной блочной структурой. Работа с микропроцессорами. Блочное стирание данных. Понятия про статические запоминающие устройства. Запоминающие элементы статических ОЗУ. Стоковое напряжение транзистора. Время доступа при чтении.

Подобные документы

  • Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.

    контрольная работа, добавлен 09.06.2016

  • Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.

    учебное пособие, добавлен 26.05.2014

  • Структурная схема автоматического зарядного устройства УЗА-24-10, назначение, принцип работы; технические характеристики: номинальное напряжение питающей сети, ток заряда батареи. Регулятор работы - широтно-импульсный модулятор; контроль перегрузки.

    лекция, добавлен 03.10.2013

  • Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.

    лабораторная работа, добавлен 27.12.2014

  • Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.

    контрольная работа, добавлен 25.04.2013

  • Структурная схема пятиканального устройства контроля и регулирования температура объекта. Программируемый контроллер прямого доступа к памяти. Характеристика различных микросхем и температурного датчика. Усилитель, выполненный на базе транзистора.

    курсовая работа, добавлен 31.07.2015

  • Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.

    реферат, добавлен 28.06.2016

  • Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.

    лабораторная работа, добавлен 20.09.2014

  • Исследование центрального устройства обработки. Определение регистров устройства обработки. Анализ векторов аппаратных прерываний. Изучение внутренней и внешней памяти. Архитектура внутренней кэш-памяти команд. Характеристика методов адресации операндов.

    курсовая работа, добавлен 30.12.2020

  • Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.

    контрольная работа, добавлен 14.02.2015

  • Методика анализа и расчета входных фильтров трехфазных инверторов напряжения для питания несимметричной нагрузки, ориентированная на обеспечение требуемого качества выходного напряжения. Преимущества схемы с дополнительным полумостом по затратам.

    статья, добавлен 23.12.2017

  • Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с изолированным затвором. Зависимость тока от напряжения на подложке при различных значениях напряжения. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора.

    лабораторная работа, добавлен 20.09.2014

  • Классификация типов памяти. Структуры запоминающих устройств. 3D реализация m-разрядного слова. Полностью ассоциативная КЭШ память. Выборка и выдача информации на шину данных. Выбор 1 ЗЭ на пересечении активных выходов. Файловый регистр и адреса чтения.

    курс лекций, добавлен 29.09.2014

  • Назначение и технические характеристики головного устройства (магнитола) и устройства воспроизведения звука (АС, колонка). Классификация и принцип работы устройства. Структурная схема и основные элементы, техническое обслуживание и ремонт, неисправности.

    контрольная работа, добавлен 10.12.2015

  • Исследование режимов работы транзистора в усилителях, используемых в системах управления производственными процессами. Условия выбора режима работы транзистора. Анализ сведений о типах электронных устройств классов транзисторов и их основных свойствах.

    статья, добавлен 21.10.2016

  • Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Устройство и принцип работы транзисторов. Режимы работы и параметры биполярного транзистора. Основные элементы цепи простейшего усилителя.

    реферат, добавлен 04.05.2014

  • Области использования радиопередающих устройств. Виды модуляции и возможности управления. Согласование электронного прибора с источником возбуждения и нагрузкой. Статические характеристики триода, его аппроксимация. Допустимые параметры транзистора.

    учебное пособие, добавлен 01.06.2017

  • Применение протоколов обеспечения когерентности данных в оперативной памяти модулей биллинговых систем. Проектирование микропроцессорных систем с распределенной памятью. Модификации удаленных копий данных. Конкретная реализация разделяемой памяти.

    реферат, добавлен 26.04.2017

  • Общая характеристика и функциональные особенности, структура и элементы, принцип работы микропроцессорного измерителя температур. Схема концептуального алгоритма. Составление структурной схемы устройства. Особенности и работа программного обеспечения.

    курсовая работа, добавлен 09.01.2013

  • Принцип действия биполярного транзистора. Возникновение коэффициента усиления по напряжению с учётом конкретных схем включения транзистора: с общим эмиттером (ОЭ), с общим коллектором (ОК) и с общей базой (ОБ). Таблица сравнительных данных по этим схемам.

    лекция, добавлен 01.09.2013

  • Исчисление напряжения насыщения и отпирания транзистора, статических уровней выходного напряжения для ненагруженного ключа. Зависимость длительности фронта включения, стадии рассасывания и протяжности фронта выключения от амплитуды входных импульсов.

    контрольная работа, добавлен 23.12.2010

  • Анализ возможности разработки системы автоматизированного контроля на базе микроконтроллера и структурной схемы портов ввода-вывода данных, организация доступа к внешней памяти. Арифметическо-логическое устройство и выполнение простейших операций.

    курсовая работа, добавлен 08.02.2012

  • Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 16.12.2009

  • Назначение и принцип действия радиоприемного устройства. Преобразование принятого радиочастотного колебания в напряжение. Классификация детекторов. Принцип действия и структурные схемы частотных детекторов. Цифровые устройства обработки сигналов.

    контрольная работа, добавлен 28.02.2013

  • Определение понятия микроконтроллера. Анализ структурной организации, набора команд и аппаратурно-программные средства однокристальных микроконтроллеров. Описание арифметико-логического устройства, резидентной памяти и системы прерываний микроконтроллера.

    реферат, добавлен 10.10.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.