Идеализированный p-n-переход
Включение p-n-перехода в обратном направлении. Обратный ток неосновных носителей. Обратное смещение p-n-перехода. Однонаправленная проводимость перехода. Процесс втягивания неосновных носителей заряда при обратном включении. Понятие теплового тока.
Подобные документы
Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Моделирование системы охлаждения процессоров суперЭВМ с тепловым насосом на обратном цикле Стирлинга путем численного моделирования процессов теплопередачи в исследуемом объекте. Изучена зависимость требуемого температурного лифта теплового насоса.
статья, добавлен 27.02.2018Плавные переходы с микрополосковой на однополосковую линию. Рассмотрение планарной и непланарной конструкции перехода. Анализ распределения амплитуды электрического поля на частоте 31 ГГц при возбуждении перехода со стороны микрополосковой линии.
статья, добавлен 04.11.2018Рассмотрение принципа действия прибора, его основных параметров и характеристик. Зависимость барьерной ёмкости перехода от обратного напряжения. Характеристика особенностей статического и дифференциального сопротивления перехода при отсутствии напряжения.
курсовая работа, добавлен 11.12.2016Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Принцип действия защитного устройства для приборов. Закон полноты частей системы, энергетической и информационной проводимости, согласования-рассогласования, увеличения степени идеальности, повышения динамичности и управляемости, перехода на микроуровень.
курсовая работа, добавлен 18.01.2013Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022Свойства электронно-дырочного или p-n-перехода. Диод как электронный элемент, обладающий различной проводимостью в зависимости от направления электрического поля, свойства и применение транзистора и тиристора. Однокаскадные и двухкаскадные усилители.
курсовая работа, добавлен 18.05.2014Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016Изучение свойств p-n перехода. Исследование принципов действия полупроводниковых диодов и триодов. Анализ схем включения транзисторов, их достоинств и недостатков. Рассмотрение областей применения. Построение выпрямителей и фильтров переменного тока.
реферат, добавлен 16.10.2017История возникновения и классификация носителей информации. Накопители на гибких и жестких магнитных дискетах как продолжение развития технологии магнитного хранения информации. Классы применения оптических, магнитооптических и цифровых компакт-дисков.
курсовая работа, добавлен 18.10.2016- 37. Туннельные диоды
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. Описания варикапа, в котором используется емкость p-n-перехода. Исследование режимов работы фотодиода. Светоизлучающие диоды - преобразователи энергии электрического тока в энергию оптического излучения.
презентация, добавлен 20.07.2013 Метод вычисления статических характеристик джозефсоновского перехода, взаимодействующего с внешней электромагнитной резонансной системой. Компьютерная программа, реализующая алгоритм решения стохастических дифференциальных уравнений с помощью формулы Ито.
статья, добавлен 03.11.2018Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Влияние температуры на вольт-амперную характеристику p-n-перехода. Температурная зависимость прямой ветви ВАХ. Контакты и переходы в полупроводниках. Температурный коэффициент напряжения. Сдвиг вольт-амперной характеристики. Электронный переход.
презентация, добавлен 20.07.2013Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013Возможности доставки программ населению по эфирным, кабельным и спутниковым телевизионным каналам. Необходимость перехода на цифровой формат вещания. Организованный и поэтапный переход с аналогового на цифровое телевещание. Повышение помехоустойчивости.
доклад, добавлен 29.01.2017Возможные пути перехода к "химическим" самосинхронным функциональностям. Перевод универсального базиса двоичной синхронной логики в гетерогенные автоматы. Наличие внешних синхронизирующих сигналов в них, способных работать в режиме самосинхронизации.
статья, добавлен 31.08.2018Аспекты согласования форматов файлов используемых для регистрации биологических сигналов. Характеристика структуры данных и перехода от собственных параметров к стандартным и при проведении государственных испытаний и сертификации медицинского изделия.
статья, добавлен 12.01.2018Типы носителей аналоговой фонограммы. Характерные особенности устройств механической записи-воспроизведения аналоговых фонограмм. Значения параметров механической записи на грампластинки. Ранг шумов и помех, которые вносят искажения в аудиофрагмент.
статья, добавлен 30.07.2016Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Прямое и обратное включение диода. Физический смысл параметров диода. Низкочастотные и высокочастотные значения. Переходные процессы в диодах с p-n переходом. Частотные свойства диодов. Выпрямительные и импульсные диоды, стабилитроны, диоды Шоттки.
курсовая работа, добавлен 07.12.2014Концентрация носителей заряда в эмиттере. Принцип действия биполярного транзистора (р-n-р- типа). Статический режим работы транзистора, предотвращение его перегрева. Схема простейшего усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
реферат, добавлен 28.06.2016Практическая значимость изучения частотных свойств магнетронных автогенераторов. Электронное смещение частоты - изменение частоты магнетрона при изменении анодного тока. Фазовое положение спиц пространственного заряда для значений анодного напряжения.
статья, добавлен 24.10.2010Изучение программных продуктов, предназначенных для восстановления удалённых файлов с жёстких дисков и сменных носителей. Сравнительный обзор программных продуктов для восстановления информации, оценка их функциональных возможностей и эффективности.
лабораторная работа, добавлен 20.02.2020