Полупроводниковые стабилитроны

Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.

Подобные документы

  • Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.

    учебное пособие, добавлен 18.04.2016

  • Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.

    статья, добавлен 20.08.2013

  • Оценка предельной энергии, излучаемой круглой поверхностной антенной. Рассмотрение импульсного критерия пробоя. Расчёт и определение характеристик зависимостей предельной энергии излучения от длительности импульса в различных режимах работы генератора.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Конструкция и принципы классификации полупроводниковых диодов. Преобразование переменного тока с помощью выпрямительного диода; работа в импульсных цепях. Изучение основных особенностей транзисторов. Расчет и основные характеристики МДП-транзистора.

    курсовая работа, добавлен 30.11.2013

  • Расчет главных параметров вольтметра. Схематика основных узлов цифрового вольтметра. Исследование входного делителя напряжения и усилителя. Характеристика генератора управляющих импульсов. Анализ схемы временного селектора. Изучение устройства индикации.

    курсовая работа, добавлен 10.04.2023

  • Исследование частотной зависимости катушки индуктивности с ферромагнитным сердечником в звуковом диапазоне частот. Изучение методики определения параметров схемы замещения, возможностей практического применения данной схемы в электронных устройствах.

    статья, добавлен 11.01.2018

  • Определение максимального, среднего и минимального напряжения на входе. Расчет схемы сравнения и источника опорного напряжения. Расчет схемы защиты от перегруза. Выбор регулирующего транзистора. Расчет параметров стабилизатора напряжения постоянного тока.

    курсовая работа, добавлен 22.06.2012

  • Виды полупроводниковых электронных устройств, принципы их работы. Переходная характеристика компаратора при различных превышениях скачка входного напряжения над опорным. Использование операционных усилителей общего применения и интегральных компараторов.

    реферат, добавлен 06.03.2023

  • Анализ назначения, условий эксплуатации и принципа действия стабилизатора напряжения. Создание цифрового печатного узла, выполняющего функцию стабилизации напряжения. Расчёт паразитных ёмкостей, индуктивностей печатных проводников, надежности устройства.

    курсовая работа, добавлен 09.04.2014

  • Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.

    реферат, добавлен 05.04.2011

  • Анализ цифровых и аналоговых систем передачи. Обзор структурной схемы системы передачи с ЧРК. Анализ статических параметров сигналов электросвязи. Оценка спектрального состава тока в нагрузке. Зависимость сопротивления диодов от приложенного напряжения.

    шпаргалка, добавлен 11.12.2015

  • Типы полупроводниковых приборов. Электронные процессы в полупроводниках. Характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, фотоприемников. Квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.

    книга, добавлен 19.03.2015

  • Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.

    доклад, добавлен 29.08.2013

  • Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.

    курсовая работа, добавлен 08.10.2017

  • Основные характеристики и область применение датчиков температуры. Основные типы полупроводниковых датчиков температуры. Датчики температуры на основе диодов и транзисторов. Датчики температуры на основе терморезисторов. Пленочные датчики температуры.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2017

  • Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.

    курсовая работа, добавлен 01.05.2011

  • Организация рабочего места и его обслуживание. Устройство и принцип действия. Технологический процесс измерение параметров полупроводниковых диодов прибором Л2-54. Подготовка прибора к работе. Техника безопасности при проведении электрорадиоизмерений.

    курсовая работа, добавлен 26.11.2008

  • Основные свойства, разновидности и классификация полупроводниковых приборов, контактные и поверхностные явления в них. Биполярные и полевые транзисторы. Переключательные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы. Логические интегральные схемы.

    курс лекций, добавлен 11.09.2012

  • Описание устройства аналогового цифрового ампервольтомметра Ц4341 и прибора DT-9205A. Изучение порядка проведения измерений электрического сопротивления, величины тока и напряжения в цепях постоянного и переменного тока переносным ампервольтомметром.

    лабораторная работа, добавлен 18.06.2015

  • Общая характеристика туннельного и обращенного диодов. Сущность теории туннельного эффекта в полупроводниках. Основные преимущества туннельного диода перед обычными полупроводниковыми диодами и триодами. Принцип работы туннельных диодов, их схемы.

    контрольная работа, добавлен 17.10.2011

  • Источник опорного напряжения как один из важных узлов систем стабилизации частоты, оказывающих большое влияние на точность их работы. Знакомство с основными источниками и особенностями опорного напряжения для интегральных схем стабилизации частоты.

    статья, добавлен 02.02.2019

  • Понятие и виды радиопередающих устройств. Изучение строения и принципа работы радиопередающего устройства на полупроводниковых приборах. Характеристика основных принципов построения передатчиков коммерческой связи, реализующих частотную модуляцию.

    курсовая работа, добавлен 16.02.2016

  • Основы полупроводниковой техники, принцип работы диодов, транзисторов, полупроводниковых резисторов. Характеристика оптоэлектронных устройств. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы, их схемы, принцип работы и основные логические функции.

    методичка, добавлен 30.10.2015

  • Принципы построения цифровых помехозащищенных и приемного устройства. Обоснование энергетических характеристик параметров сигнала. Выбор структурной схемы передающего и приемного устройства. Синтез функциональной схемы декодирующего устройства.

    курсовая работа, добавлен 07.12.2017

  • Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.

    реферат, добавлен 22.03.2010

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.