Полупроводниковые приборы
Электропроводности различных классов веществ. Уровень Ферми в собственных полупроводниках. Диффузионная длина дырок и электронов. Электронно-дырочный переход в состоянии устойчивого равновесия. Характеристики и параметры полупроводникового диода.
Подобные документы
- 76. Виды равновесия
Понятие устойчивого и неустойчивого равновесия тела. Особенности определения степени и характера смещения объекта при заданной массе и площади опоры. Влияние расположения центра тяжести на устойчивость тела. Условия безразличного равновесия в физике.
статья, добавлен 12.11.2014 Аналогия: открытие статистики Ферми-Дирака. Метод разбиения фазового пространства на ячейки. Разработка теории электронной структуры системы многих тел, названной "теорией Томаса-Ферми". Объяснение эффекта расщепления линий. Новые радиоактивные атомы.
статья, добавлен 19.09.2024Открытия Э. Холлом передачи электрической энергии заряженными частицами двух противоположных знаков, несостоятельность принятия "дырок" в качестве положительных носителей, альтернативных электронам. Невозможность существования "свободных электронов".
статья, добавлен 10.12.2024Общие сведения о полупроводниках, их свойства. Методы очистки и переплавки полупроводниковых материалов. Металлургия германия и кремния, применение полупроводников. Источники электромагнитного поля, биологическое воздействие на организм человека.
реферат, добавлен 15.11.2009Описание особенностей производства, общих свойств и области применения полупроводниковых лазеров. Изучение принципа создания инверсной населенности в полупроводниках. Анализ твердотельных лазеров нового поколения. Характеристика их нелинейной динамики.
отчет по практике, добавлен 13.04.2017Исследование характеристик и принципов действия импульсных и высокочастотных диодов. Ознакомление с историей диода Ганна — типа полупроводниковых диодов, использующихся для генерации и преобразования колебаний. Анализ технологии изготовления диода.
контрольная работа, добавлен 27.10.2015Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Процесс нахождения отношение прямого тока к обратному с использованием упрощенного уравнения вольтамперной характеристики диода. Определение тока в цепи, состоящего из источника напряжения, резистора и диода. Линия максимально допустимой мощности.
курсовая работа, добавлен 07.10.2013Основные характеристики и области применения полупроводникового детектора. Знакомство с а-спектрометром на базе полупроводникового счетчика. Амплитудные спектры импульсов в спектрометрическом тракте кремниевого детектора при регистрации заряженных частиц.
лабораторная работа, добавлен 05.12.2013Воздействие быстрых электронов на поверхность стекла, содержащего подвижные ионы металлов. Увеличение показателя преломления в приповерхностном слое с изменением его химического состава. Электронно-лучевая обработка записи оптических волноводов в стеклах.
статья, добавлен 30.11.2018Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Изучение полупроводникового элемента диод, его функции при определении электрических колебаний. Физические основы полупроводниковых выпрямителей, расчет дифференциального сопротивления диода при замыкании цепи, принцип работы измерительного устройства.
реферат, добавлен 23.05.2016Описание прибора ориентации по Полярной звезде. Характеристика электронно-лучевой обработки оптических деталей, статистические параметры поверхности боролантанового стекла. Распределение температурных полей в образце при электронно-лучевой обработке.
статья, добавлен 29.05.2017Влияние емкостей на форму импульсов, свойства полупроводникового диода. Свойства биполярного транзистора в ключевом режиме. Разновидности логических интегральных элементов на биполярных транзисторах. Подключение нагрузки к выходу микросхем усилителей.
учебное пособие, добавлен 13.04.2015Проведение исследования главных видов соединения проводников. Особенность закона Ома для участка цепи. Характеристика работы и мощности тока. Суть вакуумных электронных ламп с подогреваемым катодом. Основные преимущества полупроводникового диода.
курс лекций, добавлен 13.02.2017Методы и приборы для получения качественных характеристик фотонных кристаллов. Полуконтактный, бесконтактный и контактный режим работы атомно-силового микроскопа. Принцип действия конфокального микроскопа. Формирование электронно-оптических изображений.
курсовая работа, добавлен 06.10.2017Светодиод или светоизлучающий диод как полупроводниковый прибор, излучающий некогерентный свет при пропускании через него электрический ток. История разработки и усовершенствования электронно-дырочного перехода. Долговечность и надежность светодиода.
реферат, добавлен 29.08.2015Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Расчет и построение графика сопротивления базы диода от тока через диод. Поиск модели, наиболее хорошо приближающейся к реальной ВАХ диода. График зависимостей статического и дифференциального сопротивлений от тока, а также проводимости ветви диода.
контрольная работа, добавлен 03.09.2012Оценка влияние света на ход электрических процессов. Определение зависимости фототока от приложенного напряжения. Квантовый анализ внешнего фотоэффекта. Механизм перераспределения электронов по энергетическим уровням в диэлектриках и полупроводниках.
реферат, добавлен 01.10.2015Статические характеристики, параметры, частотные свойства и режимы работы транзистора. Основы формирования навыков анализа работы полупроводникового усилительного прибора. Исследование основ режима неискаженного усиления и схемы питания транзистора.
курс лекций, добавлен 21.02.2014Разработка командного файла для моделирования структуры силового диода в программе DESSIS. Результаты моделирования с помощью программы INSPECT. Схематическая структура диода с алюминиевой металлизацией и медными элементами корпуса и термоэлектродами.
курсовая работа, добавлен 20.11.2016Анализ погрешностей измерения электрического поля методом электронно-лучевого зонда, возникающих в результате аберрационных искажений зондирующего электронного луча. Степень возмущения траектории электронов зондирующего луча под действием электричества.
статья, добавлен 28.07.2013Внешние электрические свойства полупроводниковых диодов, их применение в электронных схемах. Основная ветвь вольт-амперной характеристики для стабилитрона. Динамическое сопротивление идеального стабилитрона. Принцип работы диодного ограничителя.
лабораторная работа, добавлен 28.12.2014Абсолютно упругое тело и его деформация. Жидкость и газ в состоянии равновесия. Стационарное течение и условия несжимаемости веществ. Понятие о дивергенции вектора. Движение тела со сверхзвуковой скоростью. Изучение коэффициентов лобового сопротивления.
курс лекций, добавлен 28.12.2013