Дисциплина учебного плана "Электроника" Уральского технического института связи и информатики
Структура курса "Электроника". Темы курса. Краткий конспект лекций курса. Физические основы электроники. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры и семисторы. Усилительный каскад на транзисторе и его параметры.
Подобные документы
Отличительной чертой научно-технического прогресса является внедрение электроники во все отрасли народного хозяйства. Применение на производстве стендов для проверки и испытания выпускаемого оборудования позволяет повысить качество выпускаемой продукции.
дипломная работа, добавлен 25.01.2009Исторические вехи становления электроники как технической науки. Прогрессивное значение изобретения радиолампы. Основная конструкция транзистора. Сплавная и диффузионная технология производства полупроводникового триода. Цикл изготовления микросхемы.
лекция, добавлен 26.10.2013Современные перспективы развития электроники. Технология изготовления и принципы функционирования полупроводниковых диодов. Классификация полевых транзисторов и их условное обозначение. Изучение особенностей функционирования динистора и тринистора.
контрольная работа, добавлен 19.04.2014История открытия радио, развитие электроники после его изобретения. Создание первого научно-радиотехнического института. Деятельность нижегородской радиотехнической лаборатории, развитие радиотелеграфирования, радиотелефонирования и радиовещания.
реферат, добавлен 13.10.2010Возникновение и основные этапы развития электроники как науки о взаимодействии заряженных частиц с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, используемых в основном для передачи, обработки и хранения информации.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Требования к эксплуатационным параметрам и технологиям производства микроэлектронных компонентов – структурных единиц конечных устройств. Увеличение массовости производства при снижении издержек. Потребительские свойства органической электроники.
статья, добавлен 12.06.2018Микропроцессоры как основа современной компьютерной техники. Экспансия и следствия закона Мура. Транзисторы, их основные виды. Отладка кристаллов микросхем, их бесконтактная диагностика, анализ структур и электрические испытания. Кремниевая нанохирургия.
реферат, добавлен 30.09.2014Особенность разработки эффективных технологий и систем управления. Исследование развития электроники после изобретения радио. Характеристика построения первой двухэлектродной лампы. Формирование способов передачи изображений и измерительной техники.
реферат, добавлен 22.01.2017Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Изложение этапов разработки радиопередатчика: структурные схемы передатчика и синтезатора частоты; транзисторы радиопередатчика; каскады усиления; расчет цепей согласования; конструктивный расчет катушек индуктивности; конденсаторы в цепях согласования.
курсовая работа, добавлен 07.06.2014Устройство и характеристики транзистора. Его типы, функции и технология изготовления. Назначение областей и электродов полупроводника. Выбор режима трёхполюсника. Схемы включения и принцип работы усилительного каскада. Уменьшение пробивного напряжения.
контрольная работа, добавлен 04.06.2014Общие сведения об усилителях мощности. Понятие каскада. Способы подключения нагрузки в усилителе мощности. Принципиальная электрическая схема усилителя мощности, в котором на выходе используются составные транзисторы. Шумы в усилительных каскадах.
реферат, добавлен 13.10.2013Исследование параметров и характеристик типового усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером и на биполярном транзисторе в схемах с общей базой и общим коллектором. Снятие амплитудно-частотной и переходной характеристик.
лабораторная работа, добавлен 30.11.2012Классификация и система обозначений полупроводниковых диодов: стабилитрон, туннельный, варикап, фотодиод и диод Шотки. Устройство биполярного транзистора, его частотные и усилительные свойства. Статические характеристики полевых транзисторов, их схема.
курсовая работа, добавлен 19.04.2014Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Группы полупроводниковых резисторов. Варисторы, нелинейность вольт. Фоторезисторы – полупроводниковые приборы, изменяющие своё сопротивление под действием светового потока. Максимальная спектральная чувствительность. Плоскостные полупроводниковые диоды.
курсовая работа, добавлен 29.06.2015Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Характеристика принципа работы электромагнитного измерительного механизма с плоской катушкой. Увеличение мощности входного электрического сигнала - одна из основных функций биполярного транзистора. Расчет полного сопротивления цепи переменного тока.
контрольная работа, добавлен 05.03.2022Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Конструкция полевых транзисторов с р-п переходом. Определение коэффициента усиления усилителя. Переходная и выходная характеристики полупроводника (кремний, германий) р-типа электропроводности. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 01.09.2013Устройство, принцип действия и характеристики полевого транзистора с электронно-дырочным переходом, их достоинства и недостатки. Определение максимального падения напряжения на замкнутом ключе. Расчёт сопротивления изоляции между затвором и каналом.
реферат, добавлен 22.02.2015Рассмотрение алгебры логики как математической основы цифровой электроники и вычислительной техники. Изучение основных логических функций, законов и правил булевой алгебры. Обозначение логических элементов на электрических схемах и описание устройства.
реферат, добавлен 23.12.2013