Вплив опромінення на компоненти радіоелектронної апаратури і розробка методів підвищення їх радіаційної стійкості
Оцінка поведінки транзисторних структур у полі високоенергетичного опромінення. Деформація електричних сигналів, що поширюються в опромінених інтегральних схемах. Зміни ВАХ їх активних і пасивних компонентів. Вплив складного радіаційного фактору.
Подобные документы
Сфери використання такого напівпровідникового матеріалу, як германій. Дослідження температурних залежностей питомого опору для монокристалів n-Ge, опромінених різними дозами електронів. Вплив електронного опромінення на радіаційну стійкість монокристалів.
статья, добавлен 03.07.2016Вплив опромінення і продуктів ядерних реакцій на енергію дефекта упакування модельних і реакторних матеріалів. Фізичні механізми ефектів впливу легування рідкоземельними елементами на схильність матеріалів до радіаційного зміцнення та крихкості.
автореферат, добавлен 20.04.2014Розвиток синтезної теорії незворотної деформації стосовно опису пластичної деформації. Співставлення експериментальних даних і теоретичних значень деформацій радіаційної й термічної повзучості в залежності від часу, температури й рівня напруження.
автореферат, добавлен 24.02.2014З’ясування впливу попереднього опромінення на преципітацію кисню в кремнії. Підвищення стійкості кремнію для твердотільних детекторів ядерних випромінювань. Структурні, оптичні та електрофізичні властивості кремнію після нейтронного опромінення.
автореферат, добавлен 07.03.2014- 5. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Розробка та виготовлення установки для високочастотного електромагнітного імпульсного опромінення композицій, що дозволяє дослідити вплив частоти, тривалості електромагнітного опромінення та напруженості поля на зміну властивостей епоксикомпозитів.
статья, добавлен 29.07.2016Розрахунок залежності положення рівня Фермі та концентрації вільних носіїв заряду в високоомному кремнії від дози опромінення нейтронами. Визначення зсуву вольт-амперних характеристик кремнієвих структур та розподіл електричного поля в стрип-детекторах.
автореферат, добавлен 07.01.2014Дослідження оптичних властивостей і структурно-фазового стану матеріалів у вихідному та опроміненому станах в залежності від параметрів опромінення. Вплив опромінення на оптичні властивості напівпровідникової сполуки GaAs з різним типом провідності.
автореферат, добавлен 28.08.2015Закономірності формування іонно-плазмових покриттів системи Ti-W-B і вплив постконденсаційної обробки на їх фазовий склад, структуру, субструктуру й напружений стан. Структура таких покриттів стійка до відпалів і опромінення протонами з енергією 200 кеВ.
статья, добавлен 13.10.2016Дослідження впливу опромінення великими дозами гамма-квантів і швидких нейтронів на електричні, оптичні і фотоелектричні властивості нелегованих монокристалів CdSb. Особливості домішкової фотопровідності в монокристалах з неоднорідним розподілом дефектів.
автореферат, добавлен 21.11.2013- 11. Вплив лазерного опромінення на поведінку домішок і дефектів у Ві-заміщених ферит-ґранатових плівках
Дослідження та характеристика впливу лазерного опромінення на структуру неімплантованих ферит-ґранатових плівок. Виявлення змін дефектності з товщиною порушеного шару плівки-підкладки за допомогою рентґенодифрактометричних експериментальних досліджень.
автореферат, добавлен 28.07.2014 Характеристика структурних змін у кристалах кремнію. Визначення параметрів методами опромінення, дифракції та акустичної взаємодії. Дослідження мікродефектів та природного старіння. Аналіз температурного гістерезису внутрішнього тертя і модуля зсуву.
автореферат, добавлен 29.07.2014Дослідження еволюції смуг розсіяного світла та дифракції при утворенні періодичних структур у плівках As2S3–Ag під дією сфокусованого лазерного пучка. Вплив дії на плівку розсіяного в підкладку світла поза зоною опромінення плівки лазерним пучком.
автореферат, добавлен 05.08.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Перенос і накопичення носіїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si. Вплив на механічні властивості гетероструктур технологічних режимів одержання плівок, термообробки і високоенергетичного електронного опромінення. Оцінка параметрів осадження.
автореферат, добавлен 15.11.2013Дослідження особливостей в структурі нуклеїнових кислот, що виникають внаслідок дії іонізуючого опромінення, канцерогенних процесів та після застосування протипухлинних препаратів методами ІЧ-фур'є-, SEIRA- та УФ-спектроскопії поглинання та відбивання.
автореферат, добавлен 25.06.2014Неоднорідність розподілу домішок Te та In в монокристалах антимоніду кадмію і їх вплив на електрофізичні ефекти. Вплив освітлення на кінетичні параметри монокристалів. Характер впливу гамма опромінення на явища переносу в монокристалах CdSb, легованих In.
автореферат, добавлен 27.07.2015Дослідження відмінностей впливу опромінення електронами на оптичні та люмінесцентні властивості кристалів лейкосапфіру, вирощених видозміненим методом Кіропулоса. Вивчення сигналів термолюмінесценції за допомогою молібденових та ніобієвих екранів.
статья, добавлен 30.01.2016Розгляд та характеристика математичних моделей процесів, що визначають форму кривих виживаності клітин, опромінених фотонним іонізуючим випромінюванням. Побудова математичної моделі кінетики однониткових розривів ДНК у процесі опромінення і після нього.
автореферат, добавлен 02.08.2014Аналіз динаміки зміни мікротвердості плівки Ge32As8Se60 під час опромінення лазерним променем. Апроксимація часових змін мікротвердості плівки під час і після опромінювання лазером. Часові залежності мікротвердості плівки під час опромінення лазером.
статья, добавлен 30.01.2016- 21. Утворення розгалужених структур з окремих треків, створених при проходженні швидких важких іонів
Залежність площі поверхні зразка після опромінення та видалення модифікованої речовини від повної дози опромінення, кута падіння пучка важких швидких іонів та середньої відстані між сферичними частинами одного треку. Опуклість кривої дозової залежності.
статья, добавлен 02.09.2013 Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази. Дослідження технологічних особливостей процесу утворення нових парамагнітних станів у матеріалі після низькотемпературного електронного опромінення.
автореферат, добавлен 29.08.2014Інтерпретація аномального співвідношення інтенсивностей ліній першого, другого порядків в спектрах комбінаційного розсіяння світла. Високоенергетичне електронне опромінення багатостінних вуглецевих нанотрубок. Наслідки радіаційного дефектоутворення.
автореферат, добавлен 14.09.2014- 24. Електронні процеси в опромінених діелектриках та властивості композицій, що містять ядерне паливо
Аналіз процесів, що відбуваються в діелектриках з високою густиною електронних станів під дією високих доз іонізуючого опромінення. Властивості композицій ядерного палива в активній фазі важкої техногенної аварії та їх подальша поведінка з плином часу.
автореферат, добавлен 27.08.2014 Проведення експресного опромінення на іонному прискорювачі та аналіз систематичних даних з розпухання дисперсно-зміцненої сталі, вплив гелію і водню. Прогноз розпухання і виникнення дефектів сталі за реакторних умов в процесі тривалої експлуатації.
статья, добавлен 30.01.2016