Распределение потенциала, концентрация зарядов и токи в биполярном транзисторе

Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.

Подобные документы

  • Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.

    реферат, добавлен 21.07.2013

  • Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.

    статья, добавлен 31.07.2018

  • Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.

    курсовая работа, добавлен 18.12.2015

  • Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.

    реферат, добавлен 22.11.2015

  • Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.

    статья, добавлен 04.12.2018

  • Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.

    контрольная работа, добавлен 16.03.2017

  • Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.

    реферат, добавлен 30.05.2017

  • Распределение плотности зарядов с учетом изменения электростатического заряда и относительной диэлектрической проницаемости дефектного слоя. Учет изменения параметров поверхностного слоя в процессе старения полимерной изоляции, анализ роста плотности.

    статья, добавлен 07.12.2016

  • Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.

    лекция, добавлен 04.12.2018

  • Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.

    контрольная работа, добавлен 21.07.2013

  • Виды режимов работ биполярных транзисторов и их отличия. Процесс протекания эмиттерного тока. Характеристика работы и свойства транзистора в прямом активном режиме. Обратная связь по напряжению в биполярном транзисторе, согласно с эффектом Эрли.

    лабораторная работа, добавлен 21.06.2015

  • Изучение особенностей упорядоченного перемещения зарядов одного знака в каком-либо направлении. Характеристика силы тока. Определение природы носителей тока в металлах. Обзор работы электрического тока. Зависимость сопротивления металлов от температуры.

    презентация, добавлен 25.07.2015

  • Расчет колебательной системы СВЧ-транзисторного генератора с варакторной перестройкой частоты. Определение зависимости параметров генератора от питающего напряжения. Моделирование и использование кусочно-квазилинейной модели биполярного транзистора.

    автореферат, добавлен 13.04.2018

  • Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.

    статья, добавлен 26.10.2016

  • Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.

    автореферат, добавлен 31.07.2018

  • Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Изучение и анализ циркуляции вектора напряжённости электрического поля. Характеристика потенциала поля точечного заряда и системы зарядов. Рассмотрение эквипотенциальных поверхностей. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля.

    реферат, добавлен 24.10.2013

  • Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.

    дипломная работа, добавлен 28.12.2016

  • Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.

    презентация, добавлен 29.08.2015

  • Усилитель напряжения на биполярном транзисторе. Назначение элементов и принцип работы. Факторизация минимизированной функции. Схема в универсальном базисе. Внутреннее сопротивление источника входного сигнала. Максимальная амплитуда напряжения нагрузки.

    курсовая работа, добавлен 12.05.2014

  • Изучение устройства параметрического стабилизатора напряжения, его функции и назначение. Типовая структура и схема трансформаторного ИВЭ. Расчет вторичного источника питания по заданным параметрам. Определение тока коллектора регулирующего транзистора.

    курсовая работа, добавлен 07.06.2013

  • Определение окружения усилителя. Установление выходной мощности. Обзор схем предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе и двухтактного усилителя мощности. Изучение области использования интегральных схем. Оценка работы в ключевом режиме.

    реферат, добавлен 01.11.2017

  • Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.

    статья, добавлен 21.06.2018

  • Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.

    статья, добавлен 30.05.2017

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.