Распределение потенциала, концентрация зарядов и токи в биполярном транзисторе
Общая характеристика транзистора, имеющего плоскопараллельные электроды большой протяженности, анализ особенностей распределения неосновных носителей заряда в его базе. Анализ причин изменения напряжения коллектора, знакомство с уравнением тока.
Подобные документы
Знакомство с входными и выходными характеристиками транзистора. Анализ причин роста тока эмиттера. Особенности транзисторов, работающих при высокой плотности тока. Основные причины роста коллекторного напряжения. Этапы расчета транзисторных схем.
реферат, добавлен 21.07.2013Исследования величины потенциала затвора, позволяющие определить его влияние на прохождение электронов. Сложные явления переноса носителей в полевом транзисторе Шоттки. Уравнения, связывающие скорость носителей заряда и напряженность электрического поля.
статья, добавлен 31.07.2018Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда в собственном проводнике, концентрации вырождения донорной примеси. Определение равновесной концентрации основных и неосновных носителей тока, толщины пространственного заряда.
курсовая работа, добавлен 18.12.2015Рекомбинация неравновесных носителей заряда, фотопроводимость. Определение среднего времени жизни неравновесных носителей заряда. Тип примесных центров, их концентрация в объеме и на поверхности пластины. Освещение фоторезистора пульсирующим светом.
реферат, добавлен 22.11.2015Возникновение мощных диффузионных потоков носителей заряда в момент образования контакта. Контактная разность потенциалов р-n-перехода. Оценка плотности тока неосновных носителей заряда. Дифференциальное сопротивление обратно смещенного р-n-перехода.
статья, добавлен 04.12.2018Определение мощности рассеиваемой на транзисторе. Расчет выходного сопротивления коллектора. Частотные параметры транзистора и график зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Приращение напряжения на затворе электрической схемы.
контрольная работа, добавлен 16.03.2017Характеристики и распределение потенциала в области пространственного заряда в полупроводниковой структуре. Энергетические уровни различных примесей в кремнии. Оценка концентрации нейтральных атомов акцепторной примеси и свободных носителей зарядов.
реферат, добавлен 30.05.2017Распределение плотности зарядов с учетом изменения электростатического заряда и относительной диэлектрической проницаемости дефектного слоя. Учет изменения параметров поверхностного слоя в процессе старения полимерной изоляции, анализ роста плотности.
статья, добавлен 07.12.2016Определение концентрации электронов в зоне проводимости собственного или примесного полупроводника. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в примесном полупроводнике n-типа. Дрейфовая проводимость полупроводников. Объяснение эффекта Холла.
лекция, добавлен 04.12.2018Дрейфовый ток: общее понятие и порядок его возникновения. Подвижность носителей заряда и дырок в полупроводнике. Закон Ома в дифференциальной форме. Диффузионный поток электронов и последовательность его движения. Уравнение непрерывности носителей заряда.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Анализ основных способов определения максимальной мощности рассеяния транзистора. Общая характеристика видов пробоя коллекторного перехода: тепловой, электрический. Знакомство с предельными режимами биполярного транзистора, рассмотрение особенностей.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Виды режимов работ биполярных транзисторов и их отличия. Процесс протекания эмиттерного тока. Характеристика работы и свойства транзистора в прямом активном режиме. Обратная связь по напряжению в биполярном транзисторе, согласно с эффектом Эрли.
лабораторная работа, добавлен 21.06.2015Изучение особенностей упорядоченного перемещения зарядов одного знака в каком-либо направлении. Характеристика силы тока. Определение природы носителей тока в металлах. Обзор работы электрического тока. Зависимость сопротивления металлов от температуры.
презентация, добавлен 25.07.2015Расчет колебательной системы СВЧ-транзисторного генератора с варакторной перестройкой частоты. Определение зависимости параметров генератора от питающего напряжения. Моделирование и использование кусочно-квазилинейной модели биполярного транзистора.
автореферат, добавлен 13.04.2018Описание гидродинамической двумерной численной модели GaAs и расчет параметров полевых транзисторов с затвором Шоттки. Анализ проблемы распределения потенциала и заряда в области краевых эффектов на стоковом конце затвора полевого транзистора Шоттки.
статья, добавлен 26.10.2016- 16. Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твёрдых растворов методами фото- и электроотражения
Измерение оптических спектров фотоотражения InP, GaAs и влияния концентрации свободных носителей заряда на их форму. Разработка неразрушающих методов определения концентрации свободных носителей заряда, напряжённости встроенного электрического поля.
автореферат, добавлен 31.07.2018 Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Изучение и анализ циркуляции вектора напряжённости электрического поля. Характеристика потенциала поля точечного заряда и системы зарядов. Рассмотрение эквипотенциальных поверхностей. Связь между напряжённостью и потенциалом электрического поля.
реферат, добавлен 24.10.2013Характер влияния неравновесности транспорта на температурно-полевую зависимость подвижности носителей заряда в молекулярно допированных полимерах. Роль полимерной матрицы в формировании кривых переходного тока, измеренных индуцированным методом.
дипломная работа, добавлен 28.12.2016Структура и режимы работы биполярных транзисторов. Распределение стационарных потоков носителей заряда. Значения постоянных токов при активном режиме. Работа транзистора на малом переменном сигнале. Малосигнальные параметры и частотные характеристики.
презентация, добавлен 29.08.2015Усилитель напряжения на биполярном транзисторе. Назначение элементов и принцип работы. Факторизация минимизированной функции. Схема в универсальном базисе. Внутреннее сопротивление источника входного сигнала. Максимальная амплитуда напряжения нагрузки.
курсовая работа, добавлен 12.05.2014Изучение устройства параметрического стабилизатора напряжения, его функции и назначение. Типовая структура и схема трансформаторного ИВЭ. Расчет вторичного источника питания по заданным параметрам. Определение тока коллектора регулирующего транзистора.
курсовая работа, добавлен 07.06.2013Определение окружения усилителя. Установление выходной мощности. Обзор схем предварительного каскада усиления на биполярном транзисторе и двухтактного усилителя мощности. Изучение области использования интегральных схем. Оценка работы в ключевом режиме.
реферат, добавлен 01.11.2017Моделирование туннельного тока в металл-оксид-полупроводниковых транзисторах, являющихся основой элементов флеш-памяти. Влияние затворного и стокового напряжения, толщины туннельного окисла транзистора на распределение плотности туннельного тока.
статья, добавлен 21.06.2018Прогнозирование коэффициентов прозрачности потенциальных барьеров в областях пространственных зарядов структур металл-полупроводник. Решение уравнения Шредингера с учетом неоднородного пространственного распределения электрически активных примесей.
статья, добавлен 30.05.2017