Нанохолодильники для применения в электронике и коммуникационных технологиях
Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
Подобные документы
Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Выбор транзистора для усилительного каскада. Расчёт режима по переменному току. Графики сигналов на входе и выходе каскада и спектральная диаграмма сигнала. Проверка нестабильности рабочего тока. Определение сопротивлений и влияние на них емкостей.
курсовая работа, добавлен 25.11.2014Физическая сущность сверхпроводимости в полупроводниках. История открытия данного явления. Свойства сверхпроводников I и II рода. Влияние магнитного поля на сверхпроводящее состояние вещества. Перспективы применения сверхпроводниковых технологий.
реферат, добавлен 10.01.2014Понятие полевого транзистора, его типы и способы управления. Особенности работы системы и зависимости основных показателей. Входные и выходные характеристики и схема ключа на приборе с p-n переходом и каналом n-типа. Сущность изолированного затвора.
реферат, добавлен 01.05.2009Оценка стойкости библиотечных компонентов комплементарной структуры металл-оксид-полупроводник интегральных схем. Расчет компонентов в структуре систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем. Анализ результатов расчета вентиля.
статья, добавлен 28.04.2017Общие сведения и структурная схема операционного усилителя, его дифференциальный входной, промежуточный и оконечный каскады. Определение коэффициента ослабления синфазного сигнала. Основные способы применения операционных усилителей в электронике.
контрольная работа, добавлен 14.09.2011Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Разработка алгоритма автоматизированного проектирования канального умножителя. Моделирование процессов электронного усиления в различных каналах, специфика энергетических и угловых распределений электронов. Повышение качества микроканальных пластин.
автореферат, добавлен 08.02.2018Получена формула для термодинамического потенциала "грязного" сверхпроводника, выражающая его через квазиклассические функции Грина теории Узаделя. Проведено описание динамических процессов и флуктуаций в устройствах сверхпроводниковой наноэлектроники.
статья, добавлен 03.11.2018Особенности использования буферных микросхем приемников (с гистерезисом) и передатчиков двуполярного сигнала для взаимного преобразования уровней интерфейса RS-232C и логики. Условия и особенности применения преобразователей уровней фирмы Maxim и Sypex.
реферат, добавлен 01.11.2016Практическое использование магнетронов - электровакуумных приборов для генерации радиоволн сверхвысокой частоты, в электронике и радиотехнике, в радиолокационных станциях, для высокочастотного нагрева пищи и металлов, для ускорения заряженных частиц.
статья, добавлен 25.02.2019Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010Распространение одномерных и электромагнитных волн в многослойной структуре с периодической неоднородностью. Линейно-синусоидальный тип распределения, обусловленный диссипацией среды. Переход свойств структуры от диэлектрических к металлическим.
статья, добавлен 05.11.2018Главные характеристики ключевых схем на биполярных транзисторах и интегральных микросхемах. Классификация и область применения счетчиков. Исследование суммирующих асинхронных устройств импульсов. Анализ прибора с параллельным и комбинированным переносом.
контрольная работа, добавлен 10.04.2017Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Фотоприемник, в котором повышение квантовой эффективности реализуется за счет внутреннего усиления в обратносмещенном p-n переходе. Материал и особенности конструкции фотодиодов. Принцип действия лавинного и р-i-n фотодиодов как широкополосных приемников.
презентация, добавлен 02.02.2021Назначение, основные типы и характеристики биполярных транзисторов. Принципы переноса заряда в полупроводниковой структуре. Понятие рекомбинации электронов. Схемы включения и режимы работы. Анализ зависимости токов эмиттера и коллектора от напряжения.
реферат, добавлен 21.01.2019Исчисление напряжения насыщения и отпирания транзистора, статических уровней выходного напряжения для ненагруженного ключа. Зависимость длительности фронта включения, стадии рассасывания и протяжности фронта выключения от амплитуды входных импульсов.
контрольная работа, добавлен 23.12.2010АЦП параллельного преобразования и расчет тактового генератора. Выбор и описание микросхем, разработка преобразователя уровней и выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов и специфика расчета мощности, потребляемой ПУ.
курсовая работа, добавлен 03.12.2014Изучение совершенствования и массового распространения современных коммуникационных технологий в процессе информатизации общества. Виды сетей передачи данных. Структура стоимости информационно-коммуникационных услуг связи, оказанных населению операторами.
статья, добавлен 26.07.2018Недостатки кремниевой полупроводниковой памяти в электронике. Сравнение различных современных технологий памяти. Проблема сопряжения наноустройств с устройствами традиционной схемотехники. Перспективы уменьшения техпроцесса памяти и процессоров.
статья, добавлен 22.03.2018Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Характеристика цифровых фильтров, их свойства, преимущества и недостатки, особенности применения в электронике. Зависимость передаточной функции от внутренних свойств элементов. Определение нормированных граничных частот и параметров преобразования.
курсовая работа, добавлен 20.03.2012Принцип работы и характеристики проходного ключа, зависимость его сопротивления от входного сигнала. Условие отпирания р-канального транзистора. Передача логических уровней транзисторами разных типов. Цифровые схемы с использованием проходных ключей.
лабораторная работа, добавлен 12.11.2011