Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників
Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
Подобные документы
Зв’язок змін фізичних властивостей перехідних металів та сплавів на їх основі під впливом зовнішніх факторів з особливостями електронного спектру. Вплив зміни динаміки руху електронів при електронно-топологічних переходах на кінетичні характеристики.
автореферат, добавлен 24.07.2014Експериментальне дослідження та обґрунтування електричних та фотоелектричних характеристик SiC діодів Шотткі на монокристалах та епітаксійних шарах SiC з використанням різних металів. Перенос заряду в CdTе поверхнево-бар’єрних структурах різного типу.
автореферат, добавлен 10.08.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідження електричних, гальваномагнітних, оптичних, фотоелектричних властивостей монокристалів CdTe. Вивчення та аналіз електричних та фотовольтаїчних процесів у поверхнево-бар’єрних структурах, створених на основі телуриду кадмію, легованого ванадієм.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження електричних, оптичних та фотоелектричних властивостей номінально чистих та легованих ванадієм кристалів Bi12GeO20. закономірності переносу заряду в плівках силікосиленіта. Аналіз придатності моделі легованих компенсованих напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.04.2014- 7. Електричні і фотоелектричні властивості поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту
Дослідження електричних та фотоелектричних характеристик сендвіч-структур на основі поруватого кремнію, модифікованого наночастинками кобальту. Виявлення збільшення електропровідності експериментальних структур, а також, величини фотоерс та фотоструму.
статья, добавлен 23.12.2016 Дослідження структур з квантовими ямами і надграток вузькощілинних напівпровідників, зокрема сполук А4В6. Дослідження їх властивостей з метою встановлення параметрів зонного спектра. Вивчення можливостей їх практичного використання в ІЧ фотоелектроніці.
автореферат, добавлен 04.03.2014Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Створення мікроелектронних хімічних біосенсорiв. Розробка високочутливих селективних аналізаторів іонів важких металів. Вивчення впливу парів аміаку на електропровідність плівок поліаніліну. Комп’ютерне моделювання зміни поверхневого потенціалу сенсорів.
автореферат, добавлен 12.02.2014Оптимальні режими дифузії для створення легованих оловом шарів II–VI сполук, дослідження їх електричних, фотоелектричних, структурних та оптичних властивостей. Спільні та відмінні риси характеру фізичних процесів у шарах, які зумовлені домішкою олова.
автореферат, добавлен 29.08.2015Збудження електромагнітної хвилі у системі "адсорбований молекулярний шар-тверде тіло". Вплив фізичних характеристик системи на дисперсійні властивості та спектр поглинання хвиль. Формування неоднорідних поляризаційних структур у твердотільних системах.
автореферат, добавлен 30.08.2014Дослідження впливу водних розчинів аміаку на чутливий елемент у вигляді плівки бактеріородопсину в матриці золь-гелю, нанесеної, безпосередньо, на торець спільного каналу Y-подібного волоконно-оптичного розгалуджувача. Спектри відбивання для плівки.
статья, добавлен 30.01.2016Виявлення оптимального методу створення гетеропереходів в системі сульфід-телурид кадмію на основі низькоомних монокристалів CdS. Дослідження електричних, фотоелектричних та дозиметричних характеристик структур у залежності від технології їх виготовлення.
автореферат, добавлен 10.01.2014Аналіз будови кристалічної ґратки та характеру сил, що діють між частинками твердого тіла. Вимірювання електричних величин та обчислення похибок. Температурна залежність електропровідності напівпровідників. Вивчення фотопровідності в діелектриках.
методичка, добавлен 28.07.2017Умови виникнення люмінесцентного випромінювання. Характеристика джерел електромагнітного випромінювання, що працюють на основі вимушеного випромінювання атомів та молекул. Перший мазер на молекулах аміаку. Аналіз принципів роботи квантового генератора.
презентация, добавлен 12.03.2012Вирішення проблеми зв’язку між структурними і оптичними властивостями низькорозмірних структур на основі напівпровідників. Закономірності латерального впорядкування квантових точок (наноострівців) отриманих на основі самоорганізації у гетероструктурах.
автореферат, добавлен 29.08.2014Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Дослідження впливу постійних і змінних, однорідних і неоднорідних електричних полів на процеси статики і кінетики сорбції, дифузії та проникнення вологи через ненаповнені і наповнені високодисперсним порошком міді плівки полівінілхлориду різної товщини.
автореферат, добавлен 18.11.2013Вплив електронного стану та атомарної структури поверхні вольфраму на захоплення і прилипання молекул кисню. Властивості адсорбованих шарів кисню на орієнтованих поверхнях вольфраму. Аналіз залежності термодесорбційних спектрів від часу адсорбції кисню.
автореферат, добавлен 11.10.2011Визначення часових меж процесів, що відбуваються під час нагрівання кристалів у відновлювальній атмосфері і після зміни атмосфери відпалу. Вплив атмосфери відпалу на складові кристалів LiNbO3, кореляція змін структурних і оптичних властивостей.
автореферат, добавлен 12.07.2015Встановлення фізичних закономірностей технології виготовлення нових фоточутливих елементів і інтерференційно-абсорбційних фільтрів. Дослідження залежності фотоелектричних електричних властивостей фоточутливих елементів на основі гетеропереходів сполук.
автореферат, добавлен 25.06.2014Оцінка поведінки транзисторних структур у полі високоенергетичного опромінення. Деформація електричних сигналів, що поширюються в опромінених інтегральних схемах. Зміни ВАХ їх активних і пасивних компонентів. Вплив складного радіаційного фактору.
автореферат, добавлен 23.11.2013Взаємодія світла з плоскою та мікрорельєфною межею резонансного поділу. Моделювання сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу. Зміни параметрів тонких плівок золота та каліксаренів при адсорбції органічних розчинників із насичених парів.
автореферат, добавлен 28.07.2014