Биполярные транзисторы
Принцип действия биполярного транзистора, режимы его работы и статические характеристики. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе при работе в активном режиме. Дифференциальные параметры биполярного транзистора, его частотные свойства.
Подобные документы
Механизм образования и электрическое поле в p-n переходе. Расчет контактной разности потенциалов и максимального электрического поля кремниевого p-n перехода. Расчет зависимости коэффициента передачи тока кремниевого p-n-p транзистора от напряжения.
курсовая работа, добавлен 18.10.2014Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Развитие технологий биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), совмещение в одном приборе лучших свойства полевого и биполярного транзистора. Устройство и особенности работы, целесообразность применения в дискретном и модульном исполнениях.
реферат, добавлен 25.09.2009Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Фактор, влияющий на характеристики усилителя в области высоких частот. Граничная частота передачи тока базы. Семейство выходных характеристик выбранного транзистора. Падение напряжения на сопротивлении эмиттера. Расчет разделительных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 10.02.2014- 106. Полевые транзисторы
Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017 Изучение основных терминов цифровой электроники. Понятия о полевых и биполярных транзисторах. Электрические и временные параметры цифровых устройств. Схемы включения биполярного транзистора. Шинная организация связей в резисторах и конденсаторах.
лекция, добавлен 12.01.2015Исследование характеристик и определение параметров усилителей на полупроводниках. Выбор схемы включения и режима работы каскада на трёхполюсниках. Отличия биполярного и полевого транзистора. Влияние температуры на токи в цепях. Функции обратной связи.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2018Влияние масштабирования n-p-n SiGe гетеропереходного биполярного транзистора на динамические характеристики. Изменение максимальной и граничной частот прибора при переходе от технологии БиКМОП с проектными нормами 0,18 мкм к проектным нормам 0,09 мкм.
статья, добавлен 27.07.2017Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Изучение принципа действия, основных характеристик и параметров электронных ключей на биполярных транзисторах. Выполнение инженерного расчета транзисторного ключа на БТ. Определение силы тока коллектора. Напряжение насыщения биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 16.08.2023Экспериментальное определение параметров транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Использование эквивалентных схем, основанных на представлении транзистора как активного линейного четырехполюсника. Измерение напряжения коллектора транзистора.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012АЦП параллельного преобразования. Расчет тактового генератора для АЦП. Выбор и описание микросхем. Разработка преобразователя уровней. Выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов. Построение передаточной характеристики.
курсовая работа, добавлен 27.08.2012Принципиальная схема оптореле и структура ячейки транзистора с двойной диффузией. Экспериментальные выходные характеристики кремниевого МОП-транзистора. Тепловое сопротивление ячейки. Электрическая и тепловая схемы транзистора в редакторе Symica.
статья, добавлен 17.07.2018Диодный преобразователь частоты: схема, принцип действия и недостатки. Использование биполярного или полевого транзистор в транзисторных преобразователях частоты. Балансный и кольцевой преобразователь частоты: основные свойства и принцип работы.
практическая работа, добавлен 15.01.2012Разработка топологии логической схемы ИМС, предназначенной для эксплуатации в современной электронной аппаратуре. Расчет электрических параметров биполярного транзистора и габаритов интегральных резисторов. Выбор конденсаторов для полупроводников.
курсовая работа, добавлен 06.12.2013Обоснование параметров, характеризующих динамический диапазон работы иммитансного логического элемента. Разработка математического аппарата для расчета диапазона ИЛЭ. Его численная оценка для элементов "НЕ" R- и LC-типов на основе биполярного транзистора.
статья, добавлен 29.01.2016Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.
курсовая работа, добавлен 19.11.2014Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Определение значения сопротивления, режима работы транзистора. Напряжение между коллектором и эмиттером. Амплитуда тока нагрузки. Параметры режима покоя транзистора. Падение напряжения на сопротивлениях. Коэффициент нестабильности работы каскада.
контрольная работа, добавлен 25.04.2013Принципиальная схема резисторного каскада усиления на биполярном транзисторе. Исследование частотных характеристик резисторного каскада усиления с использованием САПР Multisim. Разработка усилителя на биполярном транзисторе с заданными характеристиками.
курсовая работа, добавлен 27.04.2016Характеристика принципа действия биполярного транзистора. Изучение основных параметров усилителей электрического тока. Выбор схемы электронного устройства. Расчет параметров принципиальной схемы усилителя, номинальных значений пассивных элементов схемы.
курсовая работа, добавлен 10.01.2016Проведение расчета усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером и с температурной стабилизацией за счет отрицательной обратной связи. Схема усилительного каскада на биполярном транзисторе с общим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 17.01.2020Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013