Особенность использования пористого кремния
Основные методы формирования и свойства слоев пористого кремния. Температурные зависимости удельного сопротивления бесцветного кристалла, испещренного порами с высокой пористостью. Главная характеристика отпора среды продуктов электрохимических реакций.
Подобные документы
Изучение методики измерения электрического сопротивления образцов горных пород и удельного электрического сопротивления растворов электролитов с помощью прибора "Резистивиметр 2010". Расчет параметров, определяющих диэлектрическую проницаемость.
реферат, добавлен 07.11.2020Установление закономерностей образования электрически активных центров в слоях кремния, имплантированных ионами различных редкоземельных элементов. Изучение возможностей повышения концентрации донорных центров и разработка модели их образования.
автореферат, добавлен 31.07.2018Электромеханические свойства двигателей постоянного тока. Регулирование изменением сопротивления в цепи якоря. Главная особенность стабилизации потоком возбуждения. Основная характеристика коллекторных моторов последовательного и смешанного возбуждения.
курсовая работа, добавлен 22.06.2016Обзор назначения и общих характеристик КМОП и КНИ структур. Исследование подпороговых характеристик структур кремния на изоляторе. Характеристика основных плюсов и минусов КНИ и КМОП структур. Обзор механизмов пробоя структур металл-оксид-полупроводник.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Метод анализа водорода в конструкционных материалах реакторов. Расшифровка энергетических спектров электронов, отраженных от данного образца. Анализ слоев аморфного гидрогенизированного углерода, нанесенных на поверхность монокристаллического кремния.
статья, добавлен 02.11.2018- 56. Исследование электрического контактного сопротивления графита с медью и терморасширенным графитом
Разработка установки для измерения удельного электрического контактного сопротивления контактных пар различных материалов в зависимости от давления сжатия и температуры. Экспериментальные данные по удельному электрическому контактному сопротивлению.
статья, добавлен 27.07.2016 Описание методов получения тонких пленок нихрома и исследование зависимости параметров от стехиометрии пленки. Расчет диапазон толщин пленки, удовлетворяющих требованиям удельного поверхностного сопротивления и температурного коэффициента сопротивления.
курсовая работа, добавлен 16.12.2019Основное уравнение термодинамики и уравнение состояния системы. Особенности термодинамического потенциала кристалла при заданных отклонениях от симметричного состояния. Расчет температурной зависимости параметра порядка и зависимости энтропии кристалла.
контрольная работа, добавлен 29.08.2015Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Исследование необходимости определения и сравнения значений энергии Гиббса реакций углеродотермического восстановления шихт. Наиболее вероятные реакции при выплавке силикомарганца. Зависимость активности кремнезема от мольной доли оксидов магния.
статья, добавлен 23.04.2016Рассмотрение особенностей развития микроэлектроники, основные этапы. Полупроводники как наиболее распространенная в природе группа веществ. Характеристика методов получения монокристаллов кремния. Знакомство с биполярными и полевыми транзисторами.
курс лекций, добавлен 27.01.2013Отличие лаков от компаундов. Особенности эластомеров, их электрофизические свойства. Свойства и область применения германия. Наиболее распространенные типы кристаллических решеток. Определение удельного сопротивления диэлектрика плоского конденсатора.
контрольная работа, добавлен 11.11.2013Электрические свойства кремния. Применение вычислительной техники в Украине. Производительность фотоэлектрического контроля. Математическое моделирование спектров и теллурового дефектообразования. Исследование высокотемпературной сверхпроводимости.
статья, добавлен 23.08.2012Анализ основного сопротивления и постоянных передач четырехполюсника. Фазо- и амплитудно-частотная характеристика электрической цепи при холостом ходе на вторичных зажимах. Главная особенность составления векторной диаграммы напряжений и токов в физике.
контрольная работа, добавлен 15.07.2014Полное внешнее отражение рентгеновских лучей - явление, которое позволяет оценить шероховатость, физические и геометрические свойства приповерхностных слоёв и тонких плёнок. Характеристика двухосевой схемы установки для съёмки интегральных кривых.
статья, добавлен 02.11.2018Теплофизические, термостойкие, химические и механические свойства новых нано- и ультраструктурированных керамокомпозиционных материалов. Метод получения нано- и ультраструктурированных керамокомпозиционных изделий на основе нитрида и карбонитрида кремния.
автореферат, добавлен 29.03.2018Температурные зависимости параметров увлажнённых образцов при низкочастотных измерениях. Измерения в микроволновом диапазоне увлажнённых образцов. Температурные зависимости мощности излучения, проходящего через пластинку с осаждённой на ней плёнкой льда.
статья, добавлен 21.12.2020Основные физические характеристики детекторов. Принципы работы SSPD. Осаждение сверхпроводящей плёнки NbN. Применение метода Ван-дер0Пау для изменения контактного сопротивления. Анализ зависимости поверхностного сопротивления от концентрации азота.
дипломная работа, добавлен 15.09.2018- 69. Расчет параметров транзисторов в зависимости от режимов эксплуатации и их температурная зависимость
Анализ параметров транзистора в зависимости от параметров удельного сопротивления толщины эпитаксии. Технологические операции, связанные с получением монокристаллических полупроводниковых пластин. Причины возникновения точечных дефектов в кристаллах.
контрольная работа, добавлен 15.01.2016 Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Главная особенность модификации свойств лейкосапфира путем пластической деформации диска. Существенная характеристика получения пластины с переменным углом наклона оптической оси кристалла к поверхности, являющиеся линзой для необыкновенных лучей.
статья, добавлен 07.12.2018Рассмотрение основных процессов, происходящих внутри солнечного элемента при преобразовании оптического излучения в электроэнергию. Анализ основных оптических потерь. Оценка спектральной зависимости показателя поглощения для кремния и арсенида галлия.
статья, добавлен 02.02.2019Уяснение сущности фильтрования. Определение постоянных для условий постоянного изменения давления. Определение зависимости удельного объёмного сопротивления от перепада давления. Выяснение сжимаемости фильтрующей перегородки по условленной зависимости.
лабораторная работа, добавлен 01.04.2014- 74. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Определение температуры платиновым термометром сопротивления. Особенности и характеристика использования термоэлектрического термометра. Вычисление коэффициента теплового расширения, связь удельного объема с некоторыми термодинамическими функциями.
учебное пособие, добавлен 23.01.2016