Повышение показателей качества назначения субгармонического смесителя радиосигналов за счет применения резонансно-туннельного диода
Сравнительный анализ работы субгармонического смесителя радиосигналов на базе резонансно-туннельного диода и на базе диода с барьером Шоттки. Анализ режимов работы смесителя, позволяющие получить повышение показателей качества смесителя на базе диода.
Подобные документы
Проведение исследования кольцевого диодного смесителя. Характеристика полосно-пропускающего фильтра и цепи согласования. Особенность усилителя промежуточной частоты. Создание принципиальной схемы приемного тракта. Главный анализ детектора отношений.
контрольная работа, добавлен 08.12.2016Исследование физического принципа действия, устройства и характеристик лавинно-пролетного диода и диодного генератора на его основе. Зависимость основных параметров генератора от режима работы. Методика измерений, подготовка к ним и порядок проведения.
методичка, добавлен 10.09.2015В статье рассматриваются вопросы применения оптических методов при спектральном анализе радиосигналов. Рассмотрены основные существующие методы измерения характеристик сигналов. Высокие требования по точности измерения фазы и амплитуды радиосигнала.
статья, добавлен 15.01.2021Характеристика основных методов оптимизации поиска информации по базе знаний. Сравнительный анализ методов и внедрение более оптимального метода поиска для решения задачи поиска инструкций по базе знаний. Анализ варианта использования машинного обучения.
статья, добавлен 19.01.2021Графики работы выпрямителя с фильтром по расчётным данным и выбор полупроводникового диода по результатам расчета. Расчётная схема и значения параметров транзисторного усилителя. Проверка правильности выбора трансформатора по мощности рассеяния.
курсовая работа, добавлен 12.01.2011Характеристика истории создания гетеродинного приемника и анализ его принципа действия. Описание схемы телеграфной радиолинии. Вольтамперная характеристика детектора. Определение крутизны и кривизны для современного диода Д2 по вольтамперной зависимости.
курсовая работа, добавлен 28.05.2014Оценка потенциальной помехоустойчивости приема относительно-фазо-манипулированных радиосигналов в аддитивной смеси их с тепловым шумом. Изучение явления обратной работы фазового демодулятора и свойств радиосигналов с относительной фазовой манипуляцией.
методичка, добавлен 27.03.2016Анализ результатов экспериментов по кристаллизации излучательных структур на основе антимонида галлия, формируемых методом термомиграции расплава в полупроводниковой матрице. Разработка и реализация конструкционного решения светоизлучающего диода.
статья, добавлен 11.01.2018Аналитический обзор микросхем, реализующих аналоговое управление однофазными корректорами коэффициента мощности. Расчет переходных, установившихся режимов и показателей качества корректоров, основанных на основных структурах систем их управления.
автореферат, добавлен 02.05.2018Анализ характеристик усилителей на резонансно-туннельных диодах с помощью метода медленно меняющихся амплитуд при больших сигналах и при работе на частотах, близких к резонансной. Зависимости относительной полосы пропускания от параметров схемы усилителя.
статья, добавлен 31.10.2017- 61. Полупроводники
Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012 Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Осуществление корреляции - метода приема сигналов с распределенным спектром. Характеристика шумоподобных сигналов. Выбор усилителя радиочастоты, смесителя, гетеродина, фазового детектора, коррелятора, системы синхронизации и обнаружения, компаратора.
дипломная работа, добавлен 19.02.2013Предпосылки к формированию компактной формы на базе анализа дифференциальной структуры. Анализ дифференциальной структуры и формирование паттерна краевых условий цифрового сигнала. Повышение эффективности сжатия с учётом специфики цифрового сигнала.
статья, добавлен 06.11.2018Структура и параметры p-i-n диода. Сопротивление i-слоя при подаче прямого СВЧ тока. Технология производства p-i-n диодов. Брак, связанный с технологией изготовления структуры, на сборочных операциях. Причины брака при основных технологических операциях.
дипломная работа, добавлен 23.09.2018Определение числа поддиапазонов. Поверочный расчет чувствительности приемника. Выбор промежуточной и структурной частоты приемника. Выбор и обоснование смесителя, гетеродина, преобразователя и детектора. Определение основных параметров входной цепи.
дипломная работа, добавлен 19.11.2013Зависимость проводимости полупроводников от температуры. Терморезисторы, датчики Холла. Классификация полупроводниковых приборов. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Однополупериодные выпрямители на полупроводниковых диодах.
реферат, добавлен 31.03.2015Расчет структурной схемы приемника: определение числа поддиапазонов, поверочный расчет чувствительности, выбор промежуточной частоты. Расчет входной цепи. Выбор и обоснование смесителя, гетеродина. Принцип действия и характеристики диодного детектора.
курсовая работа, добавлен 10.07.2012Исследование полупроводникового диода, биполярных транзисторов и транзисторных усилителей, неуправляемых однофазных выпрямителей, управляемых однофазных выпрямителей. Расчет динамического сопротивления стабилитрона, коэффициента нестабильности.
лабораторная работа, добавлен 16.12.2015Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Формула для идеального диода. Сопротивления контактов металл-полупроводник. Термогенерация носителей непосредственно в области p-n перехода. Поверхностные утечки. Энергетические уровни, обеспечивающие активные процессы генерации и рекомбинации, причины.
презентация, добавлен 23.09.2016Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Особенность сравнения полупроводниковых приборов с электронными лампами. Характеристика электронно-дырочного перехода. Рассмотрение вольтамперной характеристики диода и выявление его нелинейных свойств. Принцип действия и схема включения транзистора.
реферат, добавлен 15.11.2015Преимущества программной системы контроля качества шаблонов - носителей информации о размерах и конфигурации производственных изделий. Целесообразность разработки методики автоматизации тестирования шаблонов на базе предложенной программной системы.
статья, добавлен 23.02.2016Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017