Основные составляющие радиоэлектроники
Движение электронов в ускоряющем электрическом поле. Анализ принципа действия триода. Схематическое устройство кинескопа для черно-белого телевидения. Кристаллическая структура полупроводника на плоскости. Классификация и маркировка транзисторов.
Подобные документы
Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Описаны характеристики, принцип действия, функциональные особенности, краткая история создания и разработки, конструкция, наиболее распространённые модели и фирмы производители ЭЛТи, LCD и TFT-мониторов. Сравнения моделей и характеристик мониторов.
контрольная работа, добавлен 29.04.2014Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Исследование поля электромагнитной волны с учетом влияния турбулентных неоднородностей и его анализ в фокальной плоскости. Зависимость законов распределения поля от размеров апертуры передающей антенны, состояния турбулентной атмосферы и длины трассы.
статья, добавлен 12.07.2013Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Описание конструкции, принцип действия и свойства электромагнитных поляризованных исполнительных устройств. Магнитные опоры, их определение и классификация. Устройство, принцип действия и свойства малоинерционных и асинхронных исполнительных двигателей.
контрольная работа, добавлен 12.06.2009Структура биполярных транзисторов типов. Движение носителей заряда в транзисторе типа п-р-п. Включение транзистора типа п-р-п по схеме с общим эмиттером. Структура и схема включения полевого транзистора. Вольт-амперные характеристики триодного тиристора.
лекция, добавлен 09.12.2013Модуляторы лазерного излучения, их классификация. Физические эффекты, положенные в основу принципа действия. Устройство электрооптического модулятора, недостатки. Магнитооптические модуляторы. Пути совершенствования модуляторов, магнитные нанокомпозиты.
лекция, добавлен 17.08.2014Изучение устройства и описание принципа действия биполярного транзистора - трехэлектродного полупроводникового прибора, имеющего взаимодействующие электронно-дырочные переходы. Технологические типы биполярных транзисторов и их применение в электронике.
реферат, добавлен 21.07.2013Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Рассмотрение принципа действия и схемотехники усилителя низкой частоты. Ознакомление с его техническими характеристиками. Исследование особенностей транзисторов выходного каскада. Изучение работы регулятора усиления в усилителях звуковой частоты.
статья, добавлен 19.02.2019Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
статья, добавлен 29.05.2017Схематическое изображение структуры диода на основе контакта полупроводников. Анализ изменения соотношения между диффузионными и дрейфовыми составляющими потоков электронов и дырок при прямом и обратном напряжениях на электронно-дырочной структуре.
учебное пособие, добавлен 05.12.2016Ознакомление с режимами работы транзисторов двух типов проводимости. Усилитель как устройство, предназначенное для повышения мощности входного сигнала. Увеличение мощности за счет энергии источников питания. Теоретический расчёт каскада усиления.
контрольная работа, добавлен 17.05.2014Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Области применения транзисторов в современной электронике. Интегральные микросхемы усиления мощности. Главные недостатки транзисторов на широкозонных полупроводниках. Влияние технологии выращивания кристаллов и подложек на себестоимость транзисторов.
статья, добавлен 08.06.2018Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Рассмотрение истории изобретения и развития телевидения. Исследования в области телевидения заняли более чем 30 лет в жизни ученых и привели к открытию, принесшему ему мировую известность и послужившему основой для развития современного телевидения.
реферат, добавлен 22.01.2012Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Краткая история появления сканеров. Основные виды и принципы работы сканеров. Схема работы черно-белого и цветного сканера с вращающимся RGB-фильтром. Особенности размещения и обслуживания сканеров. Характеристика общих проблем и направления их решения.
курсовая работа, добавлен 06.01.2017Электронно-дырочный переход, его получение в едином кристалле полупроводника. Структура и графики распределения потенциала, вольтамперная характеристика (ВАХ) p-n-перехода, виды электронно-дырочного перехода. Принцип действия и параметры стабилитрона.
реферат, добавлен 02.08.2009Разновидности технических нормативных правовых актов. Международная классификация изобретений. Организации по установлению единых норм, требований и методов испытаний оборудования радиоэлектроники и связи. Руководство по качеству, его структура.
контрольная работа, добавлен 15.09.2014Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022