Вплив симетрійних та структурних факторів на формування енергетичного спектру поблизу забороненої зони складних напівпровідників
Дослідження структурних факторів, які є визначальними у формуванні енергетичних спектрів складних кристалів, характеристика їх відклику на зовнішні збурення такі як деформації та дефекти. Встановлення аспектів формування зонного спектру кристалу CdSb.
Подобные документы
Характеристики та властивості фотонних кристалів, їх значення для науки і практики. Дослідження методів отримання оптичної лауеграми фотонного кристалу. Практичне визначення періоду ґратки фотонного кристалу за його оптичною лауеграмою різними методами.
реферат, добавлен 24.11.2014Встановлення впливу технологічних факторів на процеси формування ростового забарвлення в кристалах ітрій-алюмінієвого перовськиту. дослідження ролі домішкових іонів рідкісноземельних та перехідних елементів в радіаційно- і термоіндукованих процесах.
автореферат, добавлен 22.06.2014- 28. Вплив активних зовнішніх факторів на особливості випромінювальної рекомбінації кристалів Cd1-xZnxTe
Зміни люмінесцентних властивостей кристалів, викликані впливом активних зовнішніх факторів: термообробка, лазерне опромінення. Вивчення фотолюмінесценції кристалічних детекторів іонізуючого випромінювання. Аналіз впливу малих доз радіації на кристали.
автореферат, добавлен 12.07.2015 Опис енергетичного спектру, спінового транспорту та магнітних властивостей кристалів з сильними електронними кореляціями. Дослідження намагнічуваності та просторових неоднорідностей магнітної структури в системах з сильними електронними кореляціями.
автореферат, добавлен 28.09.2014Установка для вивчення температурної залежності електропровідності напівпровідників. Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Формула енергії активації. Коефіцієнт температурної чутливості терморезистора.
лабораторная работа, добавлен 09.07.2017Вивчення впливу термічного відпалу, оточуючої атмосфери, електричного поля та дії опромінення на закономірності емісії електронів з грані (000І) кристалів CdS. Встановлення електрофізичних параметрів структур, отриманих на грані (000І) монокристалів CdS.
автореферат, добавлен 25.08.2014Формування наночастинок Ag в приповерхневих шарах стекол 98.0CaB4O7-2.0Ag2O і 97.0CaB4O7-1.0Gd2O3-2.0Ag2O відпалом у вакуумі або в атмосфері повітря. Аналіз різницевого спектру поглинання і спектру нормалізованого пропускання скла, відпаленого у вакуумі.
статья, добавлен 23.12.2016Дослідження спектру вхідного струму активних високочастотних коректорів. Розробка методу керування, який забезпечить зменшення електромагнітних завад, що надходять у живлячу мережу. Аналіз залежності спектру вхідного струму від навантаження коректорів.
статья, добавлен 29.07.2016Залежність струмів термостимульованної деполяризації. Побудова графіка залежності струму від години. Метод наближеної оцінки енергії активації. Розрахунок ширини забороненої зони методом Гарліка-Гібсона, Гроссвейнера (парціальної напівширини піку).
практическая работа, добавлен 14.04.2013Зв’язок між структурними факторами і фізико-механічними властивостями промислових і експериментальних сортів берилію. Процес пресування берилієвих порошків. Чистота металу і структура, що характеризується рівноосною формою часток, ультрадрібним зерном.
автореферат, добавлен 11.11.2013Встановлення природи особливостей електронних властивостей кристалів та епітаксійних структур твердих розчинів вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe в області домішкової та стрибкової провідності. Опис переходів Мотта й Андерсона у домішковій зоні цих кристалів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Розрахунок законів дисперсії і хвильових функцій напівпровідникових кристалів, електронних енергетичних спектрів і твердих розчинів. Алгоритми для обчислення градієнта закону дисперсії та тензора ефективної маси носіїв заряду у методі змішаного базису.
автореферат, добавлен 28.07.2014Дослідження кристалізаційних, структурних, спектроскопічних, люмінесцентних, нелінійно-оптичних, та генераційних властивостей кристалів боратів стронція. Отримання нової хімічної сполуки. Методика вирощування та дослідження структури нових монокристалів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Вплив модифікації монокристалів Li6Gd(BO3)3:Ce натрієм і магнієм на процеси дефектоутворення під впливом іонізуючого випромінювання. Встановлення природи радіаційно-індукованих дефектів у монокристалах твердих розчинів Li6Gd1-xEux(BO3)3, Li6Y1-xEux(BO3)3.
автореферат, добавлен 23.08.2014Виявлення зв'язку сильної квазіодновимірної анізотропії квазідвовимірного електронного спектру шаруватих купратних метало-оксидних сполук. Побудова моделі високотемпературної надпровідності в МОС. Вивчення впливу анізотропії одноелектронного спектру.
автореферат, добавлен 07.08.2014Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Вимірювання ЕПР спектрів у температурній області фазових переходів досліджуваних кристалів. Характер зв'язку локального кристалічного поля з параметром порядку переходу. Модернізація модуля вимірювального комплексу на базі ЕПР радіоспектрометра Radiopan.
автореферат, добавлен 22.04.2014Дослідження участі дислокацій в фазових і структурних перетворень при рекристалізації та пластичній деформації. Втрата механічної стійкості аустеніту. Утворення фазонаклепаного аустеніту. Утворення зародків рекристалізації без участі полігонізації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Роль фононної підсистеми у формуванні нелінійнооптичного відгуку монокристалів LiB3O5, b-BaB2O4 та Li2B4O7 та вироблення рекомендацій для прогнозування параметрів цих матеріалів. Структура ІЧ спектрів відбивання та спектрів розсіювання монокристалів.
автореферат, добавлен 23.11.2013Формування структурного стану кристалів заліза в умовах імпульсної лазерної обробки. Фізичні властивості перекристалізації сплавів. Вплив енергетичних параметрів імпульсного лазерного випромінювання на формування хвилястої мікрогеометрії поверхні.
автореферат, добавлен 23.11.2013Огляд результатів дослідження оптичних характеристик кристалів ZnS:Mn. Аналіз небезпечних, шкідливих факторів і заходи з охорони праці під час роботи установок кріогенної техніки. Розрахунок системи штучного освітлення при обробці експериментальних даних.
дипломная работа, добавлен 08.02.2016Дослідження фотойонізаційних процесів, обумовлених наявністю домішок перехідних металів групи заліза та власних структурних дефектів у напівпровідникових матрицях кристалів групи А2В6 і їх впливу на оптичні та фотоелектричні властивості даних кристалів.
автореферат, добавлен 06.07.2014Створення елементної бази сенсорів температури та деформації на основі ниткоподібних кристалів твердого розчину Si1-хGeх, вплив магнітного поля на їх характеристики. П’єзорезистивні і термоелектричні властивості кристалів в області низьких температур.
автореферат, добавлен 28.07.2014Визначення структурних змін на поверхні та в приповерхневих шарах карбіду кремнію під дією лазерного опромінення в залежності від режимів випромінювання. Вплив лазерного опромінення на мікроструктурні та фізичні властивості широкозонних напівпровідників.
автореферат, добавлен 20.07.2015Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017