Фізичні процеси в сенсорних гетероструктурах на основі модифікованих шарів поруватого кремнію
Механізми газової чутливості гетероструктур на основі модифікованих шарів поруватого кремнію на пари води та спирту з різними трансдьюсерними принципами. Електрофізичні процеси в поруватому кремнії, які відбуваються при адсорбції молекул різних газів.
Подобные документы
Дослідження фізичних процесів, що визначають електричні та оптичні характеристики діодних структур на основі телуриду ртуті-індію. Властивості напівпровідникового детектора випромінювання. Фотоелектричні процеси в діодних структурах на основі Hg3In2Te6.
автореферат, добавлен 14.09.2014- 52. Магнітостимульовані зміни дефектно-домішкового стану та фізичних характеристик кристалів кремнію
Закономірності впливу слабкого постійного магнітного поля на релаксаційні процеси еволюції фізико-хімічних та структурно-залежних властивостей, Si його електрофізичні характеристики. Розробка механізму магнітостимульованої дефектно-домішкової перебудови.
автореферат, добавлен 19.07.2015 Природа та особливість взаємовпливу суперіонного наповнювача та полімерної матриці на процеси структуроутворення. Вплив наповнювача на теплофізичні та електрофізичні властивості композиційного матеріалу на основі полімеру пентапласту та йодиду срібла.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження зміни мікромеханічних властивостей кремнію під впливом слабкого постійного магнітного поля. Вплив зовнішніх факторів (рентгенівського опромінення, водних, хімічних розчинів) на характер релаксації магнітомеханічного ефекту в кристалах кремнію.
автореферат, добавлен 27.08.2014Вимірювання електропровідності бішарової ліпідної мембрани. Фізичні механізми впливу ультразвуку на біологічні структури. Зміна товщини мембранних неперемішуваних шарів електроліту. Дослідження динаміки релаксації зсувних деформацій у фантомах тканин.
автореферат, добавлен 06.07.2014Дослідження структури та електрофізичних властивостей об'ємних монокристалів кремнію і кремнієвих композицій. Комплексоутворення точкових дефектів, класифікації та механізму утворення ростових мікродефектів у бездислокаційних монокристалах кремнію.
автореферат, добавлен 25.04.2014Дослідженню впливу фонових домішок і структурних дефектів на формування та фізичні властивості розбавлених твердих розчинів. Основні мови виникнення аномалій фізичних властивостей. Вивчення процесів одержання слабколегованих шарів кремнієвих композицій.
автореферат, добавлен 15.11.2013Результати еліпсометричного дослідження стабільності неорганічних резистних шарів при зберіганні їх у звичайних лабораторних умовах. Встановлення часової стабільності таких структурно залежних параметрів шару як показник заломлення та його товщина.
статья, добавлен 29.01.2019Фізико-хімічні процеси на межі поділу плівки золота з газовим та рідким середовищем. Формування захисних, стабілізуючих і орієнтуючих шарів органічного і неорганічного походження на золотій поверхні перетворювача як визначальних для біохімічного сенсора.
автореферат, добавлен 07.03.2014Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Поняття та класифікація, поляризація діелектриків. Вплив зовнішніх факторів на діелектричну проникність. Формування діелектричних плівок на поверхні напівпровідникових пластин. Отримання шарів оксиду і нітриду кремнію, реактивне іонно-плазмове розпилення.
курсовая работа, добавлен 26.08.2016Вивчення природи та властивостей кисневих термодефектів в кремнії. Характеристика термодонорів, які утворюються в Si при його термообробці. Дослідження зміни внутрішніх пружних напружень ґратки кремнію при утворенні в його об’ємі частинок SiO2-фази.
автореферат, добавлен 05.01.2014Виявлення і дослідження зміни мікромеханічних, електрофізичних характеристик і наноструктури кристалів кремнію при впливі магнітного поля. Аналіз особливостей зміни мікротвердості кристалів кремнію при довготривалій дії слабких постійних магнітних полів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Основні види парамагнітних дефектів в імплантованих шарах оксидів кремнію, плівках SіOx та опроміненому електронами 6H-SіC p-типу. Загальна характеристика спектрів парамагнітних дефектів, утворених внаслідок опромінення кристалів 6H-SіC електронами.
автореферат, добавлен 28.07.2014Розробка способів створення тонких рідких прошарків і методики контролю їх товщини. Умови формування приповерхневих структурованих шарів в надтонких прошарках немезогенів. Вплив мікроструктури поверхні підкладки на параметри епітропної фази немезогенів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Параметри кремнію, опроміненого різними видами і флюенсами високоенергетичного випромінювання з наступними термообробками. Підвищення радіаційної стійкості кремнію. Легування ізовалентними домішками. Вплив попереднього опромінення зарядженими частинками.
статья, добавлен 07.10.2013Напрямки вивчення процесів формування тунельного струму в резонансно-тунельних діодах на основі AlGaAs/GaAs гетероструктур. Дослідження можливостей практичного застосування квантово-розмірних ефектів для застосування в опто- та мікроелектроніці.
автореферат, добавлен 29.08.2014Механізми впливу температури на накопичення радіаційних дефектів. Особливості впливу радіаційних дефектів на рекомбінаційні властивості опроміненного кремнію. Взаємодія вибитого радіацією міжвузловинного атома з акустичними та оптичними фононами.
автореферат, добавлен 29.08.2015Дослідження впливу співвідношення компонентів у системі на тип фізико-хімічних процесів модифікації складу приповерневих шарів напівпровідника. Аналіз дифузії компонентів та визначення змін у складі газової фази при збільшенні вмісту атомарного водню.
автореферат, добавлен 31.01.2014Дослідження атомної структури релаксованої поверхні Si шляхом комп’ютерного моделювання з використанням модифікованого алгоритму молекулярної динаміки. Виявлення специфіки виникнення дімерної структури поверхневих атомних шарів в умовах їх релаксації.
автореферат, добавлен 23.02.2014Вивчення внеску додаткового розсіювання електронів на межах поділу шарів у величину КТ тришарових плівок на основі Cu, Cr та Sc. Експериментальний аналіз і оцінка внеску окремих шарів з різним питомим опором в загальну величину КТ плівкової системи.
статья, добавлен 23.10.2010Вивчення квантових ефектів в плівках телуриду свинцю і вісмуту, гетероструктурах PbTe/Bi, електрофізичних, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей в залежності від товщини шарів методом термічного випаровування в вакуумі на підкладки з слюди.
автореферат, добавлен 27.09.2014З’ясування можливості використання тонко- і товстоплівкових структур на основі трикомпонентних твердих розчинів Cd1-xZn(Mn)xTe для поглинаючих шарів детекторів іонізуючого випромінювання. Оптимізація люмінесцентних характеристик плівкових базових шарів.
дипломная работа, добавлен 13.01.2020Аналіз процесу створення шарів селеніду кадмію зі стабільними кубічною та гексагональною кристалічними структурами методом твердофазного заміщення. Комплексне дослідження їх основних фізичних властивостей і вивчення можливостей практичного використання.
автореферат, добавлен 24.02.2014Визначення фізичних механізмів тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах багатодолинних напівпровідників. Характеристика та особливості індукованого переходу метал-ізолятора у сильно легованих кристалах кремнію, вплив радіаційних дефектів.
автореферат, добавлен 28.10.2015