Униполярное резистивное переключение в структурах на основе оксидов ниобия, тантала и циркония
Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
Подобные документы
Современное состояние и тенденции развития методов проектирования и конструкций аксиально-симметричных замедляющих структур и сверхвысокочастотных устройств на их основе. Физические и конструктивно-технологические особенности микроволновых резонаторов.
диссертация, добавлен 28.12.2016Характерные особенности современных электронных усилителей. Назначение и классификация устройств для усиления мощности. Сущность схемы резистивного усилительного каскада. Определение падения напряжения на коллекторном резисторе в состоянии покоя.
курсовая работа, добавлен 18.01.2016Основные тенденции развития поглощающих материалов. Результаты расчета диаграмм рассеяния и отражения многослойных структур. Расчет оптимальных параметров структур для наблюдения наибольшего эффекта поглощения. Анализ теоретических полученных расчетов.
статья, добавлен 29.07.2017Создание объемного сканера местности на основе лазерного дальномера "Noptel CMP3-30". Механизм позиционирования лазера. Описание модуля контроля позиционирования и обработки данных. Способ связи с программой подсистемы автоматизированного движения.
статья, добавлен 16.06.2018Назначение и области применения усилителей. Виды и основные элементы усилителя, его принцип действия. Транзистор в цепи постоянного тока. Усилитель и его место в схеме с общим эмиттером. Свойства резистивного усилителя на биполярном транзисторе.
лекция, добавлен 21.10.2014Схема индикация исправности тестируемого блока питания. Использование прецизионного таймера для задачи тактового сигнала. Особенность переключения рабочих режимов. Результат моделирования схемы индикации при высоком и низком уровне входного напряжения.
курсовая работа, добавлен 16.08.2018Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018- 33. Обзор существующих микросхем, применяемых для разработки и производства датчиков физических величин
Сравнительный обзор с отечественными и иностранными микросхемами обработки аналогового сигнала, несущего информацию об измеряемой физической величине. Обработка данных, получаемых от резистивного сенсора деформации, установленного на мембране датчика.
статья, добавлен 26.05.2021 Анализ частотных свойств шлейфных структур на основе теоремы о каскадном включении реактивных симметричных четырехполюсников. Каскадные структуры с широкополосными короткозамкнутыми шлейфами. Полосы заграждения математической полосы пропускания.
статья, добавлен 30.10.2018Обеспечение равномерного усиления в широкой полосе частот при помощи резистивного каскада с общим эмиттером. Определение главных технических показателей каскада на средних частотах. Коррекция частотной характеристики в области высоких и низких частот.
реферат, добавлен 27.06.2015Розрахунок резистивного каскаду попереднього зміщення на біполярному транзисторі. Побудова і розрахунок частотної характеристики каскаду. Розрахунок транзисторного джерела живлення компенсаційного типу. Розводка і побудова основних елементів схеми.
курсовая работа, добавлен 12.12.2013Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
статья, добавлен 08.04.2019Исследование особенностей построения надежных элементарных схем автоматной памяти. Способы организации определения их работоспособности. Применение многофункциональных схем памяти при построении надежных перестраиваемых цифровых компьютерных устройств.
статья, добавлен 21.01.2018- 39. Микросхемы для бытовой аппаратуры M24C128, M24C256, M24C32, M24C64, M24C16, TDA7318,TDA7309,TDA7313
Микросхемы для бытовой аппаратуры и энергонезависимой памяти: основные характеристики и функции. Доступ по последовательному интерфейсу, чтение и запись, срок хранения информации в памяти. Параметры выходов звуковых микросхем и виды процессоров.
контрольная работа, добавлен 30.08.2012 Процедура стохастической аппроксимации с ограничением траектории. Исследование параметрической адаптации фильтрационных оценок случайных процессов методом стохастической аппроксимации. Описание эффекта сходимости процедур стохастической аппроксимации.
статья, добавлен 06.11.2018Физическое объяснение способности обнаруживать радиоэлектронные объекты с использованием эффекта нелинейного рассеяния электромагнитных волн. Методика определения рабочей частоты и характеристики электромагнитной совместимости локаторов нелинейности.
статья, добавлен 07.10.2015Поверочный расчет пленочных резисторов и пленочных конденсаторов. Определение оптимального значения удельного сопротивления резистивной пасты для каждой группы. Расчет толстопленочных резисторов и их разбивка на группы, выбор резистивного материала.
контрольная работа, добавлен 09.12.2013Описание и характеристики сигнальных конструкций на основе последовательного турбо-кода. Использование сигналов с относительной фазовой манипуляцией в системах передачи информации по нестационарным каналам с межсимвольным программным переключением частот.
реферат, добавлен 30.10.2018Конструкция заданного проволочного переменного резистора. Электрический и конструктивный расчет резистивного элемента, контактной пружины и частотных характеристик. Эскизная проработка элемента и обоснование решений. Уточнение и описание конструкции.
курсовая работа, добавлен 11.03.2010Коэффициенты прохождения и отражения микрочастицы через барьер по законам квантовой механики. Роль туннельного эффекта в электронике. Энергетическая схема контакта металлов. Прохождение электронов в диэлектрическом слое. Процессы в туннельном диоде.
курсовая работа, добавлен 28.01.2014Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Схема резистивного каскада с общим эмиттером. Тип транзистора и электрический расчёт транзисторного усилителя низкой частоты на биполярном транзисторе: определение сопротивления нагрузки в цепи коллектора, емкости конденсатора, тока в цепи делителя.
контрольная работа, добавлен 05.12.2012Автоматизация процесса измерений в производстве деталей оборудования. Применение контактного щупа (резистивного прибора), точность проведения измерений. Наладка модульной системы OMM-2. Интерфейс OSI. Принцип действия координатно-измерительных машин.
контрольная работа, добавлен 20.02.2018Анализ метода передачи дискретных сообщений на основе интеллектуального модема с многочастотной модуляцией. Оценка параметров модема с целью выравнивания характеристик частотно-ограниченного канала связи на основе оптимальной рекуррентной фильтрации.
статья, добавлен 30.10.2018Основные преимущества при применении однокристальных микроконтроллеров для управления радиоэлектронной аппаратурой. Типы памяти микроконтроллерных систем управления. Особенности диагностирования запоминающих устройств методом сигнатурного анализа.
диссертация, добавлен 23.05.2018