Устройства выборки – хранения

Определение аналоговых запоминающих устройств как приборов выборки и хранения, амплитудных (пиковых) детекторов. Рассмотрение основных составляющих тока утечки МДП-транзистора. Понятие коммутационной ошибки как увеличения напряжения на конденсаторе.

Подобные документы

  • Сила тока возбуждения с учётом падения напряжения на транзисторе. Расчёт электрической схемы и температурная стабильность бесконтактного транзисторного регулятора напряжения. Определение сопротивления делителя. Мощность, рассеиваемая транзистором.

    контрольная работа, добавлен 03.02.2016

  • Разработка схемы решения задачи классификации, адаптированной для ситуации, когда наблюдается несинхронизированность данных обучающей выборки и распознаваемых объектов. Оценка качества решения задач классификации в условиях несогласованности данных.

    автореферат, добавлен 05.05.2018

  • Получение методом моделирования статических выходных и входных характеристик биполярного транзистора заданной марки. Исследование влияния температуры на данные характеристики. Расчет параметров транзистора, анализ их зависимости от тока в активном режиме.

    контрольная работа, добавлен 14.02.2015

  • Изучение физико-топологических параметров кремниевого полевого транзистора с управляющим p–n-переходом. Статические выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора при различных значениях напряжения, значения крутизны и проводимости канала.

    лабораторная работа, добавлен 20.09.2014

  • Исследование гальваномагнитных явлений в полупроводниках. Параметры устройств на основе гальваномагнитных явлений и обоснование выбора материалов для их изготовления. Анализ приборов и устройств, использующих гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ.

    учебное пособие, добавлен 25.04.2014

  • Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.

    контрольная работа, добавлен 06.11.2021

  • Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.

    реферат, добавлен 21.03.2015

  • Характеристики и параметры оптоэлектронных элементов и устройств: источники и приемники оптического излучения, оптроны, индикаторные устройства. Физические основы работы, конструкция и технологии изготовления, области применения оптоэлектронных приборов.

    учебное пособие, добавлен 07.08.2013

  • Расчет усилителя на биполярном и полевом транзисторах. Расчет частотных характеристик усилителя. Определение усилителя с заданным режимом покоя. Расчет генераторов тока и напряжения. Определение устройств на операционных усилителях и фильтра Чебышева.

    курсовая работа, добавлен 24.04.2017

  • Чувствительность к перегрузке и изменению температуры - одна из отличительных особенностей полупроводниковых приборов. Методика определения постоянной составляющей анодного тока в пиковой точке. Анализ системы охлаждения радиопередающего устройства.

    курсовая работа, добавлен 28.01.2019

  • Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.

    статья, добавлен 29.05.2017

  • Биполярные транзисторы с улучшенными малосигнальными параметрами. Разработка и эксплуатация полупроводниковых приборов. Выбор концентрации примеси в эпитаксиальном слое коллектора. Расчет граничной частоты, напряжения насыщения и импульсных характеристик.

    курсовая работа, добавлен 19.11.2014

  • Рассмотрение предложенных устройств и выбор оптимального варианта структурной схемы вводного устройства, используемого для питания аппаратуры автоматической телефонной станции в буфере с аккумуляторной батареей. Расчёт основных характеристик инвертора.

    контрольная работа, добавлен 20.01.2015

  • Исследование программы для моделирования процессов и расчета электронных устройств на аналоговых и цифровых элементах. Проектирование эмиттерного повторителя в Electronic Workbench. Разработка схем усилителя и регулируемого стабилизатора напряжения.

    контрольная работа, добавлен 11.05.2016

  • Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.

    лекция, добавлен 19.09.2011

  • Формирование цифрового сигнала. Дискретизация сигнала и построение выборки. Выбор аналогово-цифрового преобразователя. Модулированные сигналы. Согласование источника информации с непрерывным каналом связи. Вероятность ошибки оптимального демодулятора.

    курсовая работа, добавлен 17.02.2019

  • Схема простейшего стабилизатора напряжения и делителя, образованного балластным резистором. Коэффициент стабилизации. Принцип действия транзисторного устройства. Интегральные стабилизаторы напряжения. Описание электрической схемы выбранного устройства.

    курсовая работа, добавлен 19.04.2011

  • Способы формирования выходного напряжения для цифро-аналоговых преобразователей. Параллельный цифро-аналоговый преобразователь на переключаемых конденсаторах и преобразователь с суммированием напряжений, их особенности и интерфейсы преобразователей.

    реферат, добавлен 14.02.2009

  • Особенность создания операционных усилителей для работы с обратной связью. Основные предостережения при использовании дифференциального устройства. Характеристика инвертирующих и неинвертирующих приборов. Главный анализ линейных элементов в цепи.

    лекция, добавлен 21.02.2015

  • Рассмотрение устройства и составляющих обратного тока точечных и плоскостных полупроводниковых диодов. Приведение характеристик, параметров, схем и назначения выпрямительных, импульсных, высокочастотных, туннельных диодов, варикапов и стабилитронов.

    реферат, добавлен 24.05.2015

  • Особенность предельной рассеиваемой мощности транзистора. Определение структурной схемы передатчика. Основной расчет максимального предельно допустимого импульсного тока коллектора. Главная характеристика коэффициента усиления по силе устройства.

    контрольная работа, добавлен 22.05.2015

  • Порядок проектирования сетевого источника напряжения, на выходе которого имеется стабилизированное напряжение +3В. Выбор транзистора, стабилитрона. Расчет выпрямителя и трансформатора. Определение сопротивления резистора, его рассеиваемая мощность.

    курсовая работа, добавлен 17.06.2012

  • Применение аналоговых ключей для коммутации знакопеременных сигналов, напряжения и токи которых могут изменяться в широких пределах. Схема последовательного ключа на МДП-транзисторе с индуцированным каналом n-типа. Высокочастотные управляющие импульсы.

    лекция, добавлен 04.10.2013

  • Анализ основных предпосылок для развития отрасли, выпускающей контрольно-измерительные приборы. Перечень основных фирм-изготовителей измерительных приборов и всевозможных устройств контроля начала XX в. Улучшение качества записи и воспроизведения звука.

    реферат, добавлен 22.02.2012

  • Устройство, схемы и принцип действия приборов магнитоэлектрического, электромагнитного, электродинамического и ферродинамического типов. Их достоинства и применение. Использование астатических приборов для защиты от влияния внешних магнитных полей.

    реферат, добавлен 25.05.2014

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.